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深圳市微碧半導(dǎo)體有限公司成立于2003年春，是一家集場(chǎng)效應(yīng)管的芯片開發(fā)、封裝生產(chǎn)、銷售服務(wù)為一體的創(chuàng)新型民營(yíng)企業(yè)，企業(yè)以微碧品牌系列產(chǎn)品為核心，積極批量開發(fā)、并根據(jù)不同客戶要求，為客戶量身定制高、中、低壓場(chǎng)效應(yīng)管；企業(yè)主要產(chǎn)品的封裝有：SOP-8 、TO-220（F）、TO-263、TO-247、TO-252、TO-251、SOT-23、SOT-223、SOT-89、QFN等系列封裝產(chǎn)線，廣泛應(yīng)用于無(wú)人機(jī)、快充、通訊、醫(yī)療設(shè)備、小家電、家電控制板、電腦主板顯卡、MP3 MP4 MP5PMP播放器，MIDUMPC 、GPS、藍(lán)牙耳機(jī)、PDVD、車載DVD、汽車音箱、液晶顯示器、移動(dòng)電源、手機(jī)電池（鋰電池保護(hù)板）、LED電源等產(chǎn)品，十多年來(lái)，企業(yè)歷盡風(fēng)霜雪雨，贏得了廣大客戶的信賴和支持。

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射頻用FET/MOSFET

Vds=20V Id=1.4A SC70-3 類型：P溝道漏源電壓(Vdss)：20V 連續(xù)漏極電流(Id)：3.1A 功率(Pd)：500mW 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@4.5V,1.4A 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：2.7nC@2.5V 輸入電容(Ciss@Vds)：272pF@10V 反向傳輸電容(Crss@Vds)：44pF@10V 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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射頻用FET/MOSFET

Vds=60V Id=250mA SOT23-3 ：類型：N溝道漏源電壓(Vdss)：60V 連續(xù)漏極電流(Id)：250mA 功率(Pd)：300mW 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8Ω@10V,200mA 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：400pC@4.5V 輸入電容(Ciss@Vds)：25pF@25V 反向傳輸電容(Crss@Vds)：2pF@25V 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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SI2318DS-T1-GE3

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射頻用FET/MOSFET

SOT23-3 類型：N溝道漏源電壓(Vdss)：30V 連續(xù)漏極電流(Id)：6.5A 功率(Pd)：1.7W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@10V,3.2A 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：2V@250μA

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射頻用FET/MOSFET

Vds=20V Id=2.3A SC70-6 類型 N+N溝道漏源電壓(Vdss)：20V 連續(xù)漏極電流(Id)：2.6A 功率(Pd)：2.7W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：86mΩ@4.5V,1A；閾值電壓(Vgs(th)@Id)：2V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：5nC@8V 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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射頻用FET/MOSFET

Vds=30V Id=5.5A TSOP-6 類型 N溝道漏源電壓(Vdss)：30V 連續(xù)漏極電流(Id)：6A 功率(Pd)：2.5W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：23mΩ@10V,5.5A；閾值電壓(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：8.2nC@10V 輸入電容(Ciss@Vds)：424pF@15V 反向傳輸電容(Crss@Vds)：42pF@15V 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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SI2300DS-T1-GE3

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射頻用FET/MOSFET

Vds=20V Id=5A SOT23-3 類型：N溝道漏源電壓(Vdss)：20V 連續(xù)漏極電流(Id)：6A 功率(Pd)：2.1W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@4.5V,5A 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：1V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：8.8nC@4.5V 輸入電容(Ciss@Vds)：865pF@10V 反向傳輸電容(Crss@Vds)：55pF@10V 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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射頻用FET/MOSFET

SOT-23-3 類型：N溝道漏源電壓(Vdss)：30V 連續(xù)漏極電流(Id)：6.5A 功率(Pd)：1.7W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@10V,3.2A 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：2V@250μA

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射頻用FET/MOSFET

Vds=20V Id=4.5A SOT23-3 類型 P溝道漏源電壓(Vdss)：20V 連續(xù)漏極電流(Id)：5A 功率(Pd)：2.5W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@10V,5.1A 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：10nC@4.5V 輸入電容(Ciss@Vds)：835pF@10V 反向傳輸電容(Crss@Vds)：155pF@10V 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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射頻用FET/MOSFET

Vds=20V Id=3.5A SOT23-6 類型 N+N溝道漏源電壓(Vdss)：20V 連續(xù)漏極電流(Id)：6A 功率(Pd)：1.6W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@4.5V,3.4A 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：3.7nC@10V 輸入電容(Ciss@Vds)：400pF@10V 反向傳輸電容(Crss@Vds)：26pF@10V 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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Vds=30V Id=7.2A SO-8 類型：2個(gè)N溝道漏源電壓(Vdss)：30V 連續(xù)漏極電流(Id)：7.2A 功率(Pd)：2W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@10V,8A 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

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射頻用FET/MOSFET

Vds=20V Id=5A SOT23-3 類型 N溝道漏源電壓(Vdss)：20V 連續(xù)漏極電流(Id)：6A 功率(Pd)：2.1W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@4.5V,5A；閾值電壓(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：12nC@5V 輸入電容(Ciss@Vds)：865pF@10V 反向傳輸電容(Crss@Vds)：55pF@10V 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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射頻用FET/MOSFET

Vds=60V Id=250mA SOT-23 類型 N溝道漏源電壓(Vdss)：60V 連續(xù)漏極電流(Id)：250mA 功率(Pd)：0.3W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8Ω@10V,200mA 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：0.4nC@4.5V 輸入電容(Ciss@Vds)：25pF@25V 反向傳輸電容(Crss@Vds)：2pF@25V 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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射頻用FET/MOSFET

Vds=30V Id=6.0A SOT89-3 類型 P溝道漏源電壓(Vdss)：30V 連續(xù)漏極電流(Id)：-7.6A 功率(Pd)：6.5W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@10V,7.0A；閾值電壓(Vgs(th)@Id)：2.5V@-250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：38nC 輸入電容(Ciss@Vds)：1355pF@15V 反向傳輸電容(Crss@Vds)：145pF@-15V 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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SI2305ADS-T1-GE3

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晶體管 - FET，MOSFET MOS管，P溝道,-20V,-5A,43mΩ@-4.5V

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晶體管 - FET，MOSFET MOS管，P溝道,-20V,-5A,43mΩ@-4.5V

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0.234587

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Si2338DS-T1-GE3

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射頻用FET/MOSFET

SOT23-3 類型：N溝道漏源電壓(Vdss)：30V 連續(xù)漏極電流(Id)：6.5A 功率(Pd)：1.7W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@10V,3.2A 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：2V@250μA

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0.349195

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射頻用FET/MOSFET

Vds=20V Id=5A SOT23-3 類型 N溝道漏源電壓(Vdss)：20V 連續(xù)漏極電流(Id)：6A 功率(Pd)：2.1W 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@4.5V,5A 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：1.0V@250uA 柵極電荷(Qg@Vgs)：12nC@5V 輸入電容(Ciss@Vds)：865pF@10V 反向傳輸電容(Crss@Vds)：55pF@10V 工作溫度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作溫度(最大值)：+150℃@(Tj)

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射頻用FET/MOSFET

晶體管 - FET，MOSFET MOS管，N+P溝道,30V,8A,18mΩ@10V；-30V,-8A,32mΩ@-10V

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