閂式短路保護電路


原標題:閂式短路保護電路
閂式短路保護電路(Latch-Type Short Circuit Protection Circuit)是一種自鎖式保護機制,當檢測到短路或過流時,電路會立即切斷輸出并保持鎖定狀態,即使短路故障消失,也需通過外部復位信號(如手動開關或MCU控制)才能重新恢復工作。其核心優勢在于快速響應、高可靠性、避免反復觸發,廣泛應用于電源管理、電機驅動、電池保護等場景。
一、閂式保護電路的核心原理
1. 基本工作邏輯
正常狀態:電路輸出正常電壓/電流,保護模塊處于待機狀態。
短路觸發:當輸出端短路或負載電流超過閾值時,保護電路在納秒至微秒級內切斷輸出。
自鎖保持:切斷后,電路通過邏輯門或觸發器(如RS鎖存器)維持斷開狀態,防止短路反復觸發導致器件損壞。
復位機制:需通過外部信號(如復位按鈕、MCU控制)清除自鎖狀態,恢復輸出。
2. 關鍵組件
電流檢測元件:采樣電阻、霍爾傳感器或功率MOSFET的導通電阻(Rds(on))。
比較器:將檢測電壓與參考閾值比較,輸出高低電平信號。
閂鎖邏輯:RS觸發器、D觸發器或專用保護IC(如TPS2590、LM5069)。
開關器件:MOSFET、IGBT或繼電器,用于實際切斷負載路徑。
二、典型電路設計示例
示例1:基于MOSFET和RS觸發器的閂式保護
電路組成:
采樣電阻(Rsense):串聯在負載路徑中,將電流轉換為電壓信號。
比較器(U1):正輸入接Rsense電壓,負輸入接參考電壓(Vref,設定短路閾值)。
RS觸發器(U2):S端接比較器輸出,R端接復位信號(手動或MCU控制)。
N溝道MOSFET(Q1):柵極由RS觸發器Q端控制,源極接地,漏極接負載。
工作流程:
正常工作:負載電流小,Rsense電壓 < Vref,比較器輸出低電平,RS觸發器Q端輸出高電平,Q1導通,負載通電。
短路觸發:負載短路導致電流激增,Rsense電壓 > Vref,比較器輸出高電平,RS觸發器置位(Q=1),Q1柵極被拉低,快速關斷。
自鎖保持:即使短路消失,RS觸發器狀態保持,Q1維持關斷。
復位恢復:通過復位信號(R端高電平)清除觸發器狀態,Q1重新導通。
優點:
成本低,僅需少量分立器件。
響應速度快(依賴比較器速度,通常<1μs)。
缺點:
需手動或MCU復位,無法自動恢復。
參數分散性需調試(如Rsense阻值、Vref精度)。
示例2:基于專用保護IC的閂式保護(如TPS2590)
電路組成:
TPS2590:集成電流檢測、比較器、閂鎖邏輯和MOSFET驅動的專用芯片。
外部元件:僅需配置采樣電阻(Rsense)和復位按鈕。
工作流程:
短路檢測:芯片內部比較器實時監測Rsense電壓,超過閾值后觸發閂鎖。
快速關斷:芯片內置MOSFET驅動電路,在100ns內關斷外部功率MOSFET。
自鎖保持:芯片內部鎖存故障狀態,需通過/RESET引腳(低電平)復位。
優點:
集成度高,參數一致性好。
支持可調閾值和延遲時間。
提供故障標志輸出(/FAULT引腳),便于MCU監控。
缺點:
成本較高(約
3)。靈活性受限(功能由芯片固定)。
三、關鍵設計考量
1. 響應時間優化
采樣電阻布局:盡量靠近負載端,縮短走線以減少寄生電感(避免電壓尖峰誤觸發)。
比較器選擇:選用高速比較器(如TLV3501,傳播延遲<10ns),減少檢測延遲。
MOSFET驅動:使用圖騰柱驅動或專用驅動芯片(如TC4420),確保快速關斷。
2. 閾值設定
短路閾值(Vref):根據負載最大允許電流(Imax)和Rsense阻值計算:
例如:Imax=5A,Rsense=0.05Ω,則Vref=0.25V。
抗干擾設計:在Vref路徑添加濾波電容(如0.1μF),抑制噪聲干擾。
3. 復位策略
手動復位:適用于低成本場景(如消費電子),通過按鈕清除故障。
MCU自動復位:通過GPIO輸出高電平復位信號,結合軟件看門狗實現故障自動恢復。
延時復位:在復位信號中加入RC延時(如100ms),避免短路瞬間反復觸發。
4. 故障指示
LED指示燈:通過/FAULT引腳驅動LED,直觀顯示保護狀態。
UART/I2C通信:將故障信息上傳至MCU,便于日志記錄和遠程監控。
四、應用場景與擴展
1. 典型應用
電源適配器:防止輸出短路導致電源模塊損壞。
電機驅動器:保護H橋MOSFET免受電機堵轉或相間短路沖擊。
電池保護板:防止電池過放或外部短路引發安全問題。
2. 擴展功能
過壓保護(OVP):在比較器輸入端增加分壓電阻,檢測輸入電壓是否超限。
過溫保護(OTP):通過NTC熱敏電阻和比較器實現溫度閂鎖。
軟啟動:在復位后加入MOSFET漸變導通(PWM調壓),避免啟動沖擊。
五、測試與驗證要點
短路響應測試:
用導線短接輸出端,驗證電路是否在<1μs內切斷輸出。
檢查自鎖狀態是否保持(需復位信號才能恢復)。
閾值精度測試:
通過可調負載逐步增加電流,記錄觸發保護時的實際電流值,與設定閾值對比(誤差應<5%)。
復位可靠性測試:
重復觸發短路和復位操作1000次,檢查電路是否出現功能失效。
EMC測試:
注入快速瞬態脈沖(EFT)或靜電放電(ESD),驗證保護電路的抗干擾能力。
六、設計挑戰與解決方案
挑戰 | 解決方案 |
---|---|
誤觸發(噪聲干擾) | 在采樣電阻兩端并聯小電容(如1nF),濾除高頻噪聲。 |
復位信號抖動 | 在復位引腳增加施密特觸發器(如74HC14),消除按鍵抖動。 |
功率MOSFET二次擊穿 | 選擇帶雪崩額定值的MOSFET(如IRF540N),或增加RC緩沖電路吸收電壓尖峰。 |
多路保護協同 | 使用帶使能端(EN)的保護IC,通過MCU統一控制多路電路的復位和狀態監測。 |
七、總結
閂式短路保護電路通過快速檢測、自鎖切斷、外部復位的機制,為電源和負載提供了高可靠性的保護。設計時需重點關注:
響應速度(比較器+驅動電路優化);
閾值精度(采樣電阻選型和布局);
復位邏輯(手動/自動策略選擇);
故障擴展(OVP/OTP集成)。
實際開發中,可根據成本、體積和功能需求,選擇分立器件方案或專用保護IC方案。對于高可靠性場景(如工業、醫療),建議優先選用集成度高的專用芯片,并增加冗余設計(如雙比較器交叉驗證)。
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