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用于通信的高壓升壓和反相轉換器

來源: 電子產品世界
2020-09-03
類別:設計應用
eye 58
文章創建人 拍明

原標題:用于通信的高壓升壓和反相轉換器

在通信系統中,高壓升壓(Boost)和反相(Inverting)轉換器是關鍵電源管理模塊,廣泛應用于射頻(RF)功率放大器、激光二極管驅動、高壓偏置電路等場景。這些轉換器需滿足高效率、低噪聲、快速動態響應等嚴苛要求,同時兼顧小型化與成本優化。本文將從工作原理、拓撲選擇、設計要點、典型應用及器件推薦五個維度,系統解析通信領域高壓轉換器的技術實現。

一、高壓升壓與反相轉換器的核心需求

1. 通信系統的電源挑戰

  • 高壓需求

    • RF功率放大器(PA):需提供28V~48V偏置電壓以支持高功率輸出(如5G基站PA)。

    • 激光二極管(LD):驅動電壓可達50V~100V(如光纖通信中的分布式反饋激光器)。

  • 低噪聲要求
    電源噪聲會直接耦合到信號鏈路,導致相位噪聲惡化、誤碼率上升(尤其在相控陣雷達、衛星通信中)。

  • 動態響應
    需快速響應負載突變(如RF PA的突發傳輸模式),避免電壓跌落(<1% Vout)和過沖。

2. 升壓與反相轉換器的功能定義

  • 升壓轉換器(Boost Converter)
    將輸入電壓(如12V/24V電池)提升至更高輸出電壓(如48V),適用于正壓供電場景。

  • 反相轉換器(Inverting Converter)
    將正輸入電壓轉換為負輸出電壓(如+12V → -48V),常用于偏置電路或雙極性供電系統。

二、關鍵拓撲結構與工作原理

1. 升壓轉換器拓撲

(1)傳統Boost拓撲
  • 電路組成
    輸入電容(Cin)、電感(L)、開關管(MOSFET)、二極管(D)、輸出電容(Cout)。

  • 工作模式

    • 電感儲能階段:MOSFET導通,電感電流線性上升,儲存能量。

    • 能量釋放階段:MOSFET關斷,電感電流通過二極管向輸出電容充電,電壓抬升。

  • 關鍵公式

其中,為占空比,為開關周期。

(2)多相Boost拓撲
  • 適用場景
    高電流(>10A)應用(如5G基站PA供電),通過并聯多相降低電感電流紋波。

  • 優勢

    • 輸出紋波頻率提升為為相數),簡化濾波設計。

    • 均流控制可自動平衡各相電流,提高可靠性。

2. 反相轉換器拓撲

(1)傳統Buck-Boost拓撲(反相模式)
  • 電路組成
    與Boost類似,但輸出電壓極性相反。

  • 工作模式

    • 儲能階段:MOSFET導通,電感電流上升,能量儲存在電感中。

    • 釋放階段:MOSFET關斷,電感電流通過二極管向輸出電容充電,形成負電壓。

  • 關鍵公式

(2)電荷泵反相拓撲
  • 適用場景
    低功率(<1W)、低噪聲場景(如光模塊偏置電路)。

  • 優勢

    • 無電感設計,體積小、EMI低。

    • 通過飛電容(Flying Capacitor)實現電壓反相,效率可達90%以上。

  • 典型器件
    TI的LM27762(支持-12V輸出,噪聲<10μVrms)。

三、通信系統中的設計要點

1. 高效率設計

  • 同步整流(Synchronous Rectification)
    用MOSFET替代二極管,降低導通損耗(如ADI的LTC3895支持同步Boost,效率>95%)。

  • 軟開關技術
    采用零電壓開關(ZVS)或零電流開關(ZCS),減少開關損耗(適用于MHz級高頻應用)。

2. 低噪聲與低EMI

  • 開關頻率選擇

    • 避開AM廣播頻段(535kHz~1.7MHz)和通信關鍵頻段(如2.4GHz Wi-Fi)。

    • 推薦頻率范圍:300kHz~1MHz(平衡效率與濾波難度)。

  • 濾波設計

    • 輸入/輸出端添加π型濾波器(L-C-L結構),抑制開關噪聲。

    • 使用陶瓷電容(X7R/X5R)替代電解電容,降低ESR和體積。

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3. 動態響應優化

  • 補償網絡設計
    采用Type III補償(雙極點-雙零點),提升相位裕度至60°以上,避免振蕩。

  • 預調節技術
    在負載突變前提前調整占空比(如ADI的Power by Linear?技術),將電壓跌落控制在<50mV。

4. 保護功能集成

  • 過壓保護(OVP)
    通過比較器監測輸出電壓,觸發MOSFET關斷(如TI的TPS61090內置OVP)。

  • 過流保護(OCP)
    采用谷底電流檢測(Valley Current Sensing),避免電感飽和損壞。

  • 熱關斷(TSD)
    當結溫超過閾值(如150℃)時自動停機,防止器件損壞。

四、典型應用場景與器件推薦

1. 5G基站射頻功率放大器(PA)供電

  • 需求

    • 輸入:24V(來自DC-DC模塊)

    • 輸出:48V/5A(支持GaN PA)

    • 效率:>92%

    • 動態響應:負載階躍1A時,Vout跌落<100mV

  • 推薦方案

    • Infineon IRS2505L
      集成MOSFET驅動和保護功能,支持48V輸出,效率94%。

    • TI LM5143-Q1
      雙相Boost控制器,支持10A/相,相位間自動均流。


2. 光纖通信激光二極管(LD)驅動

  • 需求

    • 輸入:12V(電池供電)

    • 輸出:-50V/200mA(偏置電流)

    • 噪聲:<5μVrms(10Hz~100kHz)

    • 體積:<1cm3

  • 推薦方案

    • Analog Devices ADP1614
      電荷泵反相轉換器,支持-12V~-60V輸出,噪聲僅3μVrms。

    • Maxim MAX17596
      集成LDO后級穩壓,進一步降低輸出紋波。

3. 衛星通信相控陣天線偏置

  • 需求

    • 輸入:28V(太陽能電池陣)

    • 輸出:±48V/1A(雙極性供電)

    • 輕量化:重量<50g

    • 抗輻射:滿足MIL-STD-883標準

  • 推薦方案

    • Intersil ISL78268
      雙路Buck-Boost控制器,支持正負電壓同步調節,輻射加固設計。

    • Vicor PRM?模塊
      集成磁性元件,功率密度達2000W/in3,適合空間受限場景。

五、未來趨勢:高壓轉換器的技術演進

  1. 集成化與模塊化
    將控制器、功率器件、磁性元件集成到單芯片或SiP模塊(如TI的TPS62913-Q1),縮小PCB面積。

  2. 高頻化與GaN/SiC應用
    采用GaN FET(如EPC的EPC2054)將開關頻率提升至10MHz以上,減小電感/電容體積。

  3. 數字化控制
    通過PMBus/I2C接口實現遠程監控與參數動態調整(如ADI的LTC3888),提升系統靈活性。

總結:高壓升壓與反相轉換器的選型指南


設計目標推薦拓撲關鍵器件注意事項
高效率(>95%)同步Boost/多相BoostADI LTC3895, TI LM5143-Q1需優化布局以降低寄生電感
低噪聲(<10μVrms)電荷泵反相ADI ADP1614, TI LM27762避免長走線引入耦合噪聲
快速動態響應預調節+Type III補償Infineon IRS2505L, Maxim MAX17596需精確建模補償網絡
小型化集成模塊/SiPVicor PRM?, TI TPS62913-Q1評估熱設計是否滿足降額要求


通過合理選擇拓撲、優化補償網絡、集成保護功能,并結合GaN等新材料技術,可設計出滿足通信系統嚴苛需求的高壓轉換器,為5G、光纖、衛星等領域的電源管理提供可靠解決方案。


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標簽: 反相轉換器

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