原標題：IC Insights ：中國對純晶圓服務需求旺盛，銷量將增長26％

一、核心數據與趨勢解讀

IC Insights預測：2023-2024年中國對純晶圓代工服務的需求將以26%的復合年增長率（CAGR）擴張，遠超全球平均增速（約12%）。這一數據反映中國半導體產業在國產化替代、新興技術驅動和供應鏈重構三大邏輯下的爆發式增長。

類比說明：
若將全球晶圓代工市場比作“蛋糕”，中國需求的增速相當于每年多切走1/4份額，而傳統市場（如歐美）增速僅為“分食剩余蛋糕”。

二、驅動因素分析

1. 國產化替代浪潮

• 政策推動：中國“十四五”規劃要求2025年芯片自給率達70%（2021年僅16%），催生本土晶圓代工需求。

• 企業行動：中芯國際、華虹半導體等本土廠商擴產28nm及以上成熟制程（如中芯深圳廠2024年產能達4萬片/月），填補中低端市場空白。

2. 新興技術需求

• 5G/AIoT：聯發科、紫光展銳等廠商加大28nm射頻/電源管理芯片代工訂單（如華為海思轉單中芯國際）。

• 汽車電子：2023年中國新能源汽車銷量突破900萬輛，催生車規級MCU（如芯馳科技X9系列）和功率器件（IGBT）代工需求。

3. 供應鏈安全重構

• 地緣政治風險：美國對華為、長江存儲等制裁倒逼中國廠商將訂單從臺積電、三星轉向本土代工廠。

• 區域化布局：中芯國際天津廠（12英寸）、積塔半導體上海廠（8英寸）等新產能集中釋放，承接溢出需求。

三、細分市場表現

關鍵數據：

• 2023年中國28nm及以上成熟制程晶圓代工市場規模達120億美元，占全球份額的35%（2020年僅22%）。

• 功率器件代工需求中，SiC MOSFET訂單年增超60%（如比亞迪半導體擴產6英寸SiC產線）。

四、挑戰與風險

1. 技術瓶頸

• 設備依賴：光刻機等關鍵設備仍受ASML、應用材料等限制，中芯國際7nm以下制程推進緩慢。

• 良率差距：本土廠商28nm良率約85%（臺積電>95%），導致成本高企。

2. 產能過剩風險

• 盲目擴產：據SEMI數據，2023-2024年中國新增12英寸晶圓廠產能達80萬片/月，若需求不及預期可能引發價格戰。

• 結構性矛盾：高端制程（如7nm）產能不足，而成熟制程（如90nm）可能過剩。

3. 人才短缺

• 晶圓代工領域高端工程師缺口超5萬人，制約技術迭代速度。

五、未來展望與策略建議

1. 技術突破方向

• 成熟制程優化：通過多重曝光、先進封裝（如CoWoS）提升28nm等效性能，對標臺積電16nm。

• 新材料應用：加速GaN、SiC功率器件代工能力（如三安光電6英寸SiC產線良率突破90%）。

2. 市場策略

• 綁定頭部客戶：中芯國際與中芯集成深度合作，鎖定新能源汽車、工業控制領域訂單。

• 差異化競爭：華虹半導體聚焦特色工藝（如BCD、eFlash），避開與臺積電正面競爭。

3. 政策建議

• 加大對本土設備廠商（如北方華創、中微公司）的研發投入，推動28nm設備國產化率至50%以上。

• 建立晶圓代工產能預警機制，避免重復建設。

六、結論

中國純晶圓代工需求的爆發是國產化替代、技術升級、供應鏈安全三重邏輯的必然結果。盡管面臨設備、良率、人才等挑戰，但通過技術迂回路線（如成熟制程優化）和區域化布局，本土廠商有望在2025年前占據全球成熟制程市場的40%以上份額。對于全球半導體產業而言，中國需求的激增既是機遇（市場規模擴大），也是挑戰（技術競爭加劇），需重新評估供應鏈戰略。