原標題：什么是51單片機?又該如何自學51單片機?

DRAM（動態隨機存取存儲器）是計算機中用于臨時存儲數據的核心組件，通過電容充放電實現數據存儲，核心原理如下：

1. 存儲單元結構

• 組成：每個存儲單元由一個晶體管（MOSFET）和一個電容器構成。

• 工作機制：

• 電容器存儲電荷表示數據：有電荷 = 1，無電荷 = 0。

• 晶體管作為開關，控制電容器與位線（Bit Line）的連接。

2. 寫入數據

• 過程：

• 寫入“1”：位線（BL）加高電壓，電容器充電。

• 寫入“0”：位線（BL）加低電壓，電容器放電。

1. 激活行地址：通過行地址選通信號（RAS）選中目標行。

2. 施加電壓：

3. 關閉晶體管：斷開電容器與位線的連接，數據以電荷形式存儲。

3. 讀取數據

• 過程：

• 若電容器有電荷（存儲“1”），位線電壓升高。

• 若電容器無電荷（存儲“0”），位線電壓不變。

1. 激活行地址：通過RAS選中目標行。

2. 連接位線：晶體管導通，電容器與位線連接。

3. 檢測電壓：

4. 放大信號：靈敏放大器檢測并放大位線電壓變化，恢復為邏輯電平。

5. 刷新數據：讀取后立即將數據寫回電容器，補償電荷損失。

4. 刷新機制

• 原因：電容器存在漏電現象，電荷會隨時間流失。

• 方式：

• 周期性刷新：每隔數毫秒（如64ms內刷新所有行），逐行讀取并重新寫入數據。

• 刷新操作：通過行地址選通信號（RAS）激活目標行，無需列地址。

5. 關鍵特性

• 動態存儲：需定期刷新以維持數據。

• 隨機訪問：可按需訪問任意存儲單元，無需順序讀取。

• 高集成度：單位面積存儲容量大，成本低。

總結

DRAM通過電容器的充放電存儲數據，晶體管控制數據讀寫。其核心挑戰在于電容漏電，需通過刷新機制維持數據穩定性。這一設計使DRAM成為計算機主存的主流技術，平衡了性能、成本與容量需求。