原標題：UnitedSiC推首款750V SIC FETs 性能取得突破性發展

UnitedSiC推出的首款750V SiC FETs在性能上確實取得了突破性發展，以下是對其性能特點的詳細歸納：

一、電壓等級與導通電阻

• UnitedSiC是業界第一個推出750V SiC FET的公司，與650V的元器件相比，750V SiC FET有更低的導通損耗。

• 750V SiC FET的導通電阻（RDS(on)）范圍廣泛，從6mOhm至60mOhm不等，為設計人員提供了更大的靈活性，可以優化系統的效率、熱管理復雜性和成本。

二、封裝與熱性能

• 750V SiC FET采用TO-247-3L和TO-247-4L插入式封裝，以及低電感的表面貼裝D2PAK-7L封裝，提供6.7mm的高壓爬電距離。

• 采用先進的晶圓減薄和銀燒結芯片貼裝技術，顯著提升了熱性能。

三、品質因數與性能優勢

• UnitedSiC利用業界最佳的導通電阻x面積（RDS(on) x A），在一系列功率水平和封裝選項中擴展了其SiC FET產品組合，提供一流的品質因數（FoM）。

• 750V SiC FET在硬開關和軟開關電路中都能提高效率，具有極低的RDS(on)和優秀的反向恢復特性。

四、應用領域與市場前景

• 750V SiC FET旨在加速在汽車充電、工業充電、電信整流器、數據中心PFC直流轉換、可再生能源和儲能應用中采用寬帶隙器件。

• 由于其卓越的性能和廣泛的應用領域，750V SiC FET具有廣闊的市場前景。

五、技術特點與創新

• UnitedSiC的750V SiC FET是第4代技術產品，具有一流的RDS(on) x Area，同時改善了給定RDS(on)的Qrr和Eon/Eoff損失，降低了Coss(er)/Eoss和Coss(tr)。

• 保持0至12V柵極驅動器，閾值電壓VTH=5V，同時保持所有典型SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET柵極驅動器的運行能力。

• 750V SiC FET具有更低的二極管壓降VF和出色的反向恢復特性，降低了死區損耗并提高了效率。

綜上所述，UnitedSiC推出的首款750V SiC FETs在性能上取得了顯著突破，具有廣泛的應用領域和市場前景。其技術特點和創新使得該產品在硬開關和軟開關電路中都能表現出色，為設計人員提供了更多的選擇和靈活性。