原標題：氮化鎵快充研發重大突破！三大核心芯片實現全國產

近年來，氮化鎵（Gallium Nitride, GaN）快充技術取得了顯著進展，標志著我國在第三代半導體領域邁出了重要一步。氮化鎵作為一種新興的半導體材料，以其高速度、高功率、高效率的優勢，在快充領域展現出巨大的應用潛力。

一、氮化鎵快充技術的優勢

氮化鎵材料具有以下顯著特點：

• 運行速度快：比傳統硅材料快二十倍。

• 功率密度高：能夠實現高出三倍的功率輸出。

• 體積小、效率高：在尺寸相同的情況下，輸出功率提高了三倍，適用于高頻高效的開關電源應用。

這些優勢使得氮化鎵快充產品具有更高的轉換效率、更小的體積和更輕的重量，成為消費類快充電源市場的首選材料。

二、氮化鎵快充三大核心芯片

在氮化鎵快充產品的設計中，主要需要用到三顆核心芯片：

1. 氮化鎵控制器

• 負責控制氮化鎵功率器件的開關，實現高效的電能轉換。

• 由于氮化鎵功率器件的驅動電壓范圍窄，對負壓敏感，因此氮化鎵控制器的設計難度較大。

2. 氮化鎵功率器件

• 是實現電能轉換的核心部件，具有高頻率、低損耗的特點。

• 氮化鎵功率器件的性能直接影響快充產品的效率和體積。

3. 快充協議控制器

• 負責與充電設備之間的通信，支持多種快充協議。

• 實現智能識別和管理充電過程，保障充電的安全性和兼容性。

三、全國產化突破

此前，氮化鎵快充產品的核心芯片中，氮化鎵控制器主要依賴進口，限制了國內快充產品的發展。然而，近年來，國內半導體廠商在氮化鎵快充領域取得了重大突破，三大核心芯片均已實現全國產化。

以東莞市瑞亨電子科技有限公司為例，該公司成功量產了一款65W氮化鎵快充充電器，這是業界首款基于國產氮化鎵控制芯片、國產氮化鎵功率器件以及國產快充協議芯片開發并正式量產的產品。這三顆核心芯片分別來自南芯半導體、英諾賽科和智融科技。

• 南芯半導體：提供主控芯片SC3021A，采用專有的GaN直驅設計，省去外置驅動器，集成度高，性能優越。

• 英諾賽科：提供氮化鎵功率器件INN650D02，耐壓650V，導阻低至0.2Ω，采用先進的8英寸生產加工工藝，性能領先。

• 智融科技：提供二次降壓+協議識別芯片SW3516H，支持多種快充協議，集成度高，外圍器件少。

四、全國產化的意義

氮化鎵快充三大核心芯片實現全國產化，具有重要意義：

1. 提升產業鏈自主可控能力：避免關鍵技術被國外廠商“卡脖子”，保障國家信息安全和產業安全。

2. 降低成本，推動普及：國產半導體廠商可以充分發揮本土企業的優勢，降低生產成本，推動氮化鎵快充產品的普及。

3. 促進技術創新和產業升級：全國產化的實現將激發國內半導體廠商的創新活力，推動氮化鎵快充技術的持續進步和產業升級。

五、市場前景

隨著氮化鎵快充技術的不斷成熟和成本的逐步降低，氮化鎵快充產品將在消費類電子、新能源汽車、數據中心等領域得到廣泛應用。據預測，到2027年，功率GaN器件市場規模有望達到20億美元，氮化鎵快充市場將迎來更加廣闊的發展前景。

六、總結

氮化鎵快充研發取得重大突破，三大核心芯片實現全國產化，標志著我國在第三代半導體領域邁出了重要一步。這將有助于提升我國半導體產業的自主創新能力，推動氮化鎵快充產品的普及，為我國電子產業的發展注入新的動力。