原標(biāo)題：SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？

SiC MOSFET替代Si MOSFET時(shí)，自舉電路在一定程度上是適用的，但需要注意一些關(guān)鍵問(wèn)題和調(diào)整。

自舉電路能夠極大地簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電源的設(shè)計(jì)，它只需要一路電源就可以驅(qū)動(dòng)上下橋臂兩個(gè)開(kāi)關(guān)管，從而節(jié)省成本。在SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)中，常規(guī)自舉電路的基本工作原理保持不變：當(dāng)下管導(dǎo)通時(shí)，電源通過(guò)自舉二極管和電阻對(duì)自舉電容進(jìn)行充電；當(dāng)下管關(guān)斷后，自舉電容提供電源對(duì)上管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。

然而，由于SiC MOSFET與Si MOSFET在特性上存在一些差異，因此在應(yīng)用自舉電路時(shí)需要注意以下幾點(diǎn)：

1. 上管驅(qū)動(dòng)電壓降幅：由于自舉電容的放電和二極管壓降的存在，上管驅(qū)動(dòng)電壓會(huì)有一定降幅。這要求自舉電路中的組件選擇需要更加精細(xì)，以確保上管能夠得到足夠的驅(qū)動(dòng)電壓。同時(shí)，整個(gè)自舉電路對(duì)雜散參數(shù)有較高要求。

2. 充電時(shí)間調(diào)整：為了保證上管的正常開(kāi)關(guān)，需要調(diào)整PWM信號(hào)，為自舉電容預(yù)留足夠的充電時(shí)間。這可以通過(guò)優(yōu)化PWM信號(hào)的占空比和頻率來(lái)實(shí)現(xiàn)。

3. 組件選擇：自舉二極管需要選擇具有足夠耐壓和載流能力的型號(hào)，以承受母線級(jí)別的大電壓和瞬間充電電流。自舉電容則需要選擇寄生電感盡可能小的類型，以防止充電時(shí)產(chǎn)生LC震蕩。

4. 功率范圍限制：由于自舉電路在設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)上存在一定的復(fù)雜性，并且要求較高的組件性能，因此建議在中低功率范圍內(nèi)使用。在高功率應(yīng)用中，可能需要考慮其他更復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)方案。

綜上所述，SiC MOSFET替代Si MOSFET時(shí)，自舉電路在一定程度上是適用的，但需要根據(jù)SiC MOSFET的特性和應(yīng)用需求進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼{(diào)整和優(yōu)化。通過(guò)精細(xì)的組件選擇和電路設(shè)計(jì)，可以確保自舉電路在SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)中的可靠性和性能。