原標題：Kioxia和西部數據宣布推出第六代162層3D閃存技術

Kioxia（鎧俠）和西部數據確實宣布推出了第六代162層3D閃存技術，以下是關于該技術的詳細介紹：

一、技術背景與發布

在ISSCC 2021中，Western Digital Corporation（西部數據公司）宣布與Kioxia（鎧俠）聯手研發出第六代162層3D NAND Flash。這是兩家企業建立20年合作關系的又一里程碑，也是兩家公司迄今密度最高、最先進的3D NAND技術。

二、技術特點與優勢

1. 高堆疊層數：與第五代的112層堆疊架構相比，第六代產品進一步提升至162層堆疊架構。這種高堆疊層數的設計使得晶圓尺寸減小約40%，從而降低了成本。

2. 高密度與低成本：第六代3D NAND Flash橫向單元陣列密度較第五代提高了約10%。同時，新技術降低了單位成本，并使每個晶圓可制作多70%容量的NAND Flash。

3. 高性能：采用了陣列CMOS電路布局及四路同時工作等新技術，處理性能可望提高近2.4倍，讀取延遲減少約10%，I/O性能也提高了約66%。

三、生產與應用

1. 合資工廠：Kioxia和西部數據在日本四日市的合資工廠Fab7具備生產第六代162層閃存和未來先進3D閃存的能力。該工廠于2022年竣工，計劃于2023年初開始出貨162層閃存。

2. 市場應用：雖然廠商已陸續采用第六代3D NAND Flash產品，但市場上的NVMe SSD主要仍是使用第四代3D NAND Flash。然而，隨著技術的不斷成熟和成本的進一步降低，第六代3D NAND Flash有望在更廣泛的領域得到應用。

四、技術競爭與行業影響

1. 技術競爭：在3D NAND閃存技術領域，各大廠商都在不斷推陳出新。例如，美光和SK海力士在2020年底陸續推出新一代176層3D NAND，三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND。這些新技術的推出加劇了市場競爭，推動了行業的快速發展。

2. 行業影響：Kioxia和西部數據推出的第六代162層3D閃存技術將對整個存儲行業產生深遠影響。它不僅提高了存儲密度和性能，還降低了成本，為消費者和企業提供了更加優質、高效的存儲解決方案。同時，該技術的推出也將進一步推動自動駕駛、人工智能等新興領域的發展。

綜上所述，Kioxia和西部數據推出的第六代162層3D閃存技術是一項具有里程碑意義的技術創新。它將為存儲行業帶來新的發展機遇和挑戰，同時也將推動整個行業的快速發展和變革。