SOC不同層如何進行低功耗設計?芯片功耗由哪些組成?


原標題:SOC不同層如何進行低功耗設計?芯片功耗由哪些組成?
SOC(System on Chip,系統級芯片)的低功耗設計是一個多層次、多方面的任務,它涉及從系統級到電路級的各個層次。同時,芯片功耗主要由靜態功耗和動態功耗兩大部分組成。以下是對這兩個問題的詳細解答:
SOC不同層次的低功耗設計
系統級:
在系統架構設計階段,就需要考慮功耗優化。例如,通過合理的任務調度和電源管理策略,降低不必要的功耗。
采用低功耗的通信協議和接口,減少數據傳輸過程中的功耗。
RTL級(寄存器傳輸級):
在RTL代碼編寫階段,可以通過優化算法和數據路徑,減少不必要的計算和數據傳輸,從而降低功耗。
使用低功耗的編碼風格,如避免不必要的邏輯翻轉等。
邏輯門級:
在邏輯門級設計階段,可以通過優化邏輯門的選擇和布局,減少功耗。例如,選擇等效電容較小的邏輯門來減小動態功耗。
采用門控時鐘和電源門控技術,在不需要時關閉時鐘信號和電源,以降低靜態和動態功耗。
電路級:
在電路級設計階段,可以通過調整晶體管的大小、閾值電壓等參數,優化功耗。
使用多閾值電壓工藝,根據性能要求選擇不同的閾值電壓單元,以降低靜態功耗。
采用多電壓域設計,為不同的功能模塊提供不同的工作電壓,以優化動態功耗。
芯片功耗的組成
靜態功耗:
亞閾值漏電流:從Drain經過弱反形層流向Source的電流。
柵電流:由于隧道效應和熱載流子效應,由Gate經薄柵氧流向Sub的電流。
由Gate引起的Drain電流:由于Drain端的強電場引起的由Drain流向Sub的電流。
結反偏電流:反偏結耗盡區少子漂移和電子空穴對產生形成的由Drain、Source到Sub的電流。
靜態功耗是電路在沒有翻轉時,晶體管中漏電流造成的功耗。它主要由以下幾個部分組成:
動態功耗:
開關功耗:為電路翻轉時對負載電容充電的功耗。
短路功耗:為輸入翻轉時,PMOS和NMOS同時打開的瞬間電流形成的功耗。
動態功耗是電路在工作時(翻轉時)所消耗的能量。對于CMOS電路來說,它又分為開關功耗和短路功耗。
綜上所述,SOC的低功耗設計需要從多個層次入手,而芯片功耗則由靜態功耗和動態功耗兩大部分組成。在實際設計中,需要根據具體的應用場景和需求來選擇合適的低功耗設計方法和策略。
責任編輯:David
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