原標題：對缺芯危機出招，臺積電宣布未來三年內投資 1000 億美元提高產能

面對全球性的芯片短缺危機，臺積電宣布了一項重大投資計劃，旨在提高產能并滿足日益增長的市場需求。以下是關于該投資計劃的詳細解讀：

一、投資計劃概述

• 投資金額：臺積電計劃在未來三年內投資1000億美元。

• 投資目的：大幅度提高產能，以滿足日益增長的高需求，并支持先進制程的研發和制造。

二、投資計劃的具體實施

• 產能擴充：臺積電將建設多家新工廠，并擴大現有工廠的產能，以應對芯片短缺問題。

• 技術升級：臺積電將繼續投入研發，推動先進制程技術的發展。例如，臺積電計劃在2025年底開始量產N2（2納米級）制程，并在2026年底量產A16（1.6納米級）制程。這些先進制程將有助于提高芯片的性能和效率。

• 客戶合作：臺積電正與客戶緊密合作，以持續滿足他們的需求。這包括與高通、蘋果以及Nvidia等客戶的合作，確保他們的芯片需求得到滿足。

三、投資計劃的影響

• 市場供應：臺積電的投資計劃將有助于緩解全球芯片短缺的問題，提高市場供應量。

• 技術領先：通過持續投入研發和技術升級，臺積電將保持其在半導體行業的領先地位。

• 經濟貢獻：臺積電的投資計劃將帶動相關產業鏈的發展，為全球經濟做出貢獻。

四、臺積電的其他創新舉措

• 封裝技術：臺積電正在構建一個新計劃，利用chip-on-wafer-on-substrate (CoWoS) 封裝技術讓系統級封裝(system-in-packages, SiPs)的晶元尺寸超過目前最大的兩倍。這將提供更多的計算能力，同時占用更少的數據中心空間，并將每瓦性能提高幾個數量級。

• 新產品開發：臺積電的第一款SoW產品，基于集成扇出(InFO)技術的純邏輯晶圓，已經投入生產。利用CoWoS技術的片上晶圓(chip-on-wafer)版本計劃于2027年準備就緒，可以集成SoIC、HBM和其他組件，以創建強大的晶圓級系統。

綜上所述，臺積電宣布的未來三年內投資1000億美元提高產能的計劃，是應對全球芯片短缺危機的重要舉措。通過產能擴充、技術升級和客戶合作等方式，臺積電將有助于提高市場供應量、保持技術領先地位并為全球經濟做出貢獻。同時，臺積電還在不斷探索新的封裝技術和新產品開發，以進一步推動半導體行業的發展。