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科銳GaN-on-SiC功率放大器結合MaxLinear線性化技術,高效賦能新型超寬帶5G

來源: 中電網
2021-07-07
類別:業界動態
eye 9
文章創建人 拍明

原標題:科銳GaN-on-SiC功率放大器結合MaxLinear線性化技術,高效賦能新型超寬帶5G

科銳(Cree)的GaN-on-SiC功率放大器與MaxLinear的線性化技術的結合,為新型超寬帶5G提供了高效賦能。以下是對這一組合的詳細解析:

一、技術背景

  1. GaN-on-SiC功率放大器

    • GaN(氮化鎵)是一種新型的半導體材料,具有高電子遷移率、高飽和電子速度和高熱導率等優點,非常適合用于高頻、大功率的射頻應用。

    • SiC(碳化硅)作為襯底材料,具有高硬度、高熔點、高熱導率和低介電常數等特性,為GaN的生長提供了優異的基底。

    • 科銳作為全球碳化硅技術的領先企業,其GaN-on-SiC功率放大器在5G通信中展現了出色的性能。

  2. MaxLinear線性化技術

    • MaxLinear是射頻(RF)、模擬、數字和混合信號集成電路的領先供應商。

    • 線性化技術對于提高功率放大器的效率和線性度至關重要,特別是在5G通信中,由于信號帶寬的增加和調制方式的復雜化,對功率放大器的線性化要求越來越高。

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二、技術結合的優勢

  1. 提高無線容量

    • 科銳的GaN-on-SiC功率放大器與MaxLinear的線性化技術相結合,可以顯著增加5G基站的無線容量。這意味著可以支持更多的并發用戶,提高數據傳輸速度,從而滿足日益增長的移動通信需求。

  2. 提升功率效率

    • 采用GaN-on-SiC材料的功率放大器具有高效率的特點,而MaxLinear的線性化技術可以進一步優化功率放大器的性能,使其在保證線性度的同時,實現更高的功率效率。

  3. 降低成本和散熱

    • 由于GaN-on-SiC功率放大器具有高熱導率的特點,因此可以更有效地散熱,降低系統的冷卻成本。同時,高效率的功率放大器也可以減少能源消耗,進一步降低成本。

  4. 支持大規模MIMO

    • 5G通信中廣泛采用MIMO(多入多出)技術來提高系統容量和頻譜效率。科銳的GaN-on-SiC功率放大器與MaxLinear的線性化技術相結合,可以支持大規模MIMO陣列(如64x64或32x32),同時保持合理的尺寸、重量和功率。

三、應用場景

這一技術組合可以廣泛應用于5G基站、移動通信設備、物聯網(IoT)等領域。特別是在需要高速數據傳輸、低延遲和高可靠性的場景中,如無人駕駛、遠程醫療、虛擬現實等,這一技術組合將發揮重要作用。

綜上所述,科銳的GaN-on-SiC功率放大器與MaxLinear的線性化技術的結合,為新型超寬帶5G提供了高效賦能。這一技術組合不僅提高了無線容量和功率效率,還降低了成本和散熱要求,支持大規模MIMO陣列的應用。未來,隨著5G技術的不斷發展和普及,這一技術組合將在更多領域發揮重要作用。


責任編輯:David

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