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安森美半導體NTTFD4D0N04HL & NTTFD9D0N06HL n溝道mosfet的介紹、特性、及應用

來源: hqbuy
2021-08-04
類別:基礎知識
eye 14
文章創建人 拍明

原標題:安森美半導體NTTFD4D0N04HL & NTTFD9D0N06HL n溝道mosfet的介紹、特性、及應用

安森美半導體NTTFD4D0N04HL和NTTFD9D0N06HL是兩款n溝道MOSFET,它們被設計為POWERTRENCH功率夾對稱雙溝道MOSFET,并采用WQFN12封裝技術。以下是對這兩款MOSFET的詳細介紹、特性及應用領域的分析:

一、介紹

安森美半導體的NTTFD4D0N04HL和NTTFD9D0N06HL是兩款高性能的n溝道MOSFET,它們采用先進的WQFN12封裝技術,使得整體尺寸小巧(3mm x 3mm),占地面積小,便于在電路中的放置和路由。這兩款MOSFET特別適用于需要高效率電源轉換的場合,如DC-DC變換器、通用負載點、單相電機驅動等。

二、特性

  1. 低R(DS(on)):這兩款MOSFET提供了低導通電阻(R(DS(on))),這有助于減少在導通狀態下的功率損耗。具體地,NTTFD4D0N04HL在V(GS) = 10V, I(D) = 10A時的最大R(DS(on))為4.5毫歐,而NTTFD9D0N06HL在相同條件下的最大R(DS(on))為9毫歐。

  2. 低Qg和電容:低柵極電荷(Qg)和低電容特性有助于減少驅動損耗,提高整體效率。

  3. 配置為半橋:這兩款MOSFET被設計為半橋配置,這種配置有助于減少寄生效應,進一步提高性能。

  4. 增強型MOSFET:它們都是增強型MOSFET,這意味著它們需要柵極電壓高于閾值電壓才能導通。

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三、應用

  1. DC-DC變換器:由于其低導通電阻和低損耗特性,這兩款MOSFET非常適合用于DC-DC變換器中,以提高電源轉換效率。

  2. 通用負載點:在需要穩定電源供應的通用負載點應用中,NTTFD4D0N04HL和NTTFD9D0N06HL能夠提供高效的電源管理。

  3. 單相電機驅動:它們也可用于單相電機驅動電路中,幫助控制電機的啟動、停止和速度調節。

  4. 計算和通信:在高性能計算和通信設備中,這些MOSFET可用于電源模塊和電氣連接部分,確保設備的穩定運行。

四、總結

安森美半導體的NTTFD4D0N04HL和NTTFD9D0N06HL是兩款高性能的n溝道MOSFET,它們采用先進的WQFN12封裝技術,具有低導通電阻、低柵極電荷和低電容等特性。這些特性使得它們非常適合用于DC-DC變換器、通用負載點、單相電機驅動以及計算和通信等領域的高效率電源轉換和控制應用。


責任編輯:David

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