原標題：上海瀚鎵半導體將建4英寸GaN中試線

上海瀚鎵半導體將建4英寸GaN中試線的相關信息如下：

一、項目背景

• 項目名稱：瀚鎵GaN自支撐晶圓制造關鍵技術研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目

• 建設內容：4英寸GaN高質量自支撐晶圓的研發(fā)及中試

• 環(huán)評公示時間：2021年8月9日（據(jù)浦東時報報道）

二、公司概況

• 公司名稱：上海瀚鎵半導體科技有限公司

• 成立時間：2020年8月

• 注冊資本：500萬元人民幣

• 法定代表人：何哲強

• 公司位置：位于中國（上海）自由貿易試驗區(qū)臨港新片區(qū)，由上海集成電路材料研究院支撐孵化

三、技術實力與團隊

• 技術核心：專注于GaN晶體材料制造技術及相關設備、應用技術的開發(fā)

• 團隊背景：技術核心團隊成員來自中國科學院、加州勞倫斯伯克利國家實驗室、加州大學伯克利分校等知名機構和院校，具有完全自主知識產(chǎn)權的核心專利技術

四、項目意義

• 該項目的實施將推動GaN半導體行業(yè)的高性能、高品質發(fā)展，提供核心基礎材料支撐

• 助力我國競占第三代半導體行業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略制高點

五、發(fā)展動態(tài)

• 根據(jù)上海市經(jīng)濟和信息化委員會發(fā)布的公告，上海瀚鎵還入選了《臨港新片區(qū)2021年第二批重點產(chǎn)業(yè)企業(yè)所得稅優(yōu)惠資格擬認定企業(yè)名單》，這進一步體現(xiàn)了公司在行業(yè)內的地位和影響力。

綜上所述，上海瀚鎵半導體將建的4英寸GaN中試線項目，不僅體現(xiàn)了公司在GaN半導體領域的深厚技術積累和創(chuàng)新能力，也預示著公司在推動中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展方面將發(fā)揮重要作用。