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Socionext 和合作伙伴發表半導體研究新成果

來源: 中電網
2021-09-08
類別:業界動態
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文章創建人 拍明芯城

原標題:Socionext 和合作伙伴發表半導體研究新成果

Socionext與其合作伙伴在半導體研究領域取得了多項新成果,這些成果不僅推動了半導體技術的發展,還為未來科技應用提供了有力支持。以下是對Socionext及其合作伙伴發表的新成果的概述:

1. 2nm多核CPU芯片研發計劃

合作方:Socionext、Arm、臺積電

研發內容:Socionext宣布與Arm和臺積電合作,共同研發一款基于Chiplet技術的2nm多核CPU芯片。該芯片旨在滿足超大規模數據中心服務器、5/6G基礎設施、DPU以及邊緣網絡市場的需求,提供最大性能和最高效率。

技術特點

  • 制程工藝:采用臺積電2nm制程工藝,提供卓越的性能、物理尺寸和能效。

  • 架構設計:基于Arm Neoverse CSS技術,可在單個封裝內進行單個或多個實例化,并配備有IO和特定的定制芯片組,為多個目標應用提供靈活的解決方案。

  • 經濟有效的升級路徑:當新的芯片組可用時,支持經濟有效的封裝級升級路徑。

預期成果:工程樣品預計于2025年上半年發布,這款芯片將補足客戶當前的SoC設計,并為系統架構師提供更高的設計自由度。

2. 半導體軟誤差研究

合作方:Socionext、高能加速器研究組織材料結構科學研究所、京都大學綜合輻射與核科學研究所、大阪大學信息科學與技術研究生院

研究內容:Socionext與其合作伙伴共同研究了由宇宙射線介子和中子引起的半導體軟誤差之間的差異。這項研究首次成功證明了介子和中子在引起半導體器件軟誤差方面存在不同的特性。

研究方法:研究小組使用多種類型的量子束(包括負μ子束和正μ子束)對半導體器件進行照射實驗,分析了μ子和中子在錯誤率的電源電壓依賴性、多位錯誤的比率以及多位錯誤模式的特征等方面的差異。

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研究成果

  • 發現差異:μ子和中子在錯誤率的電源電壓依賴性、多位錯誤的比率以及多位錯誤模式的特征方面存在明顯差異。

  • 推動技術發展:該研究成果有望推動對于環境輻射引起的軟錯誤的有效評估方法和對策的發展,促進相關技術的發展以有效解決包括μ介子在內的環境輻射引起的問題。

3. 車載毫米波雷達傳感器研發

研發內容:Socionext推出了SC1260AR3系列60GHz車載毫米波雷達傳感器,該產品采用時分復用(TDM-MIMO)處理方式,帶有多個發射和接收天線,能精準檢測汽車座艙中乘員的位置或移動,實現兒童存在檢測(CPD)功能。

技術特點

  • 低功耗:相較于市面上的友商產品,SC1260AR3系列毫米波雷達傳感器在0.1%占空比運行時功耗僅為0.72mW,能顯著降低功耗至50%左右。

  • 高度集成設計:內置雷達信號處理單元(距離/角度/存在檢測)、天線、RF電路、ADC、FIFO、SPI接口和智能電源控制定序器,可實現靈活的占空比控制,減少BOM成本。

  • 長距離檢測:在MIMO模式下檢測距離可以達到8米,non-MIMO模式下可達到14米的檢測距離。

綜上所述,Socionext及其合作伙伴在半導體研究領域取得了顯著成果,這些成果不僅推動了半導體技術的發展,還為未來科技應用提供了有力支持。


責任編輯:David

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