Apogee Semiconductor AP54RHC504 Rad-Hard 5-Ch級轉換器的介紹、特性、及應用


原標題:Apogee Semiconductor AP54RHC504 Rad-Hard 5-Ch級轉換器的介紹、特性、及應用
Apogee Semiconductor的AP54RHC504 Rad-Hard 5-Ch級轉換器是一款專為需要輻射耐受性和高可靠性的應用場景設計的輻射硬化電壓電平轉換器。該產品采用180nm CMOS工藝制造,并結合了Apogee的專有輻射硬化技術,能夠在惡劣的環境條件下穩定運行。
特性
輻射硬化設計:
AP54RHC504轉換器通過設計上的輻射硬化處理,具有出色的抗單粒子效應(SEE)和總電離劑量(TID)能力,TID耐受性高達30krad(Si)。
冷備份與三態輸出:
該轉換器支持零功耗冷備份,以及所有輸入和輸出上的Class 2 ESD保護。其輸出支持三態,便于在共享總線或混合電源域的應用中簡化使用。
寬電壓范圍:
AP54RHC504能夠在1.65V至5.5V的寬電壓范圍內工作,支持兩個電源電壓輸入VCCA和VCCY,增強了其應用的靈活性。
高阻抗輸出控制:
配備了輸出使能控制引腳,允許輸出被置于高阻抗(高-Z)狀態,這在共享總線或混合電源域的應用中特別有用。
三重冗余設計:
整個電路采用三重冗余設計,使其能夠免疫單粒子瞬態(SET),無需額外的冗余設備。
封裝與溫度范圍:
提供SMD TSSOP-14封裝,具有-55°C至+125°C的寬工作溫度范圍,適用于各種極端環境。
性能參數:
傳播延遲時間為25ns,通道數量為5個,工作電源電流為100mA,高/低電平輸出電流分別為-24mA和24mA。
應用
航天應用:
AP54RHC504 Rad-Hard 5-Ch級轉換器專為空間應用設計,包括低地球軌道(LEO)、中地球軌道(MEO)和其他空間環境,其高輻射耐受性和高可靠性使其成為航天器電子系統的理想選擇。
醫療成像:
在醫療成像領域,輻射硬化的電子設備同樣至關重要。AP54RHC504轉換器可用于醫療設備的電子系統中,確保在輻射環境下的穩定性和可靠性。
其他高可靠性應用:
除了航天和醫療領域外,AP54RHC504轉換器還適用于其他需要高可靠性和輻射耐受性的應用場景,如核能、石油勘探等。
綜上所述,Apogee Semiconductor的AP54RHC504 Rad-Hard 5-Ch級轉換器以其出色的輻射硬化設計、寬電壓范圍、三重冗余保護和高可靠性特性,在航天、醫療成像及其他高可靠性應用中發揮著重要作用。
責任編輯:David
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