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ROHM Semiconductor RGT20NL65場停止溝槽IGBT的介紹、特性、及應(yīng)用

來源: hqbuy
2022-06-28
類別:基礎(chǔ)知識
eye 26
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

原標(biāo)題:ROHM Semiconductor RGT20NL65場停止溝槽IGBT的介紹、特性、及應(yīng)用

ROHM Semiconductor RGT20NL65是一款場停止溝槽型絕緣柵雙極型晶體管(IGBT),是電力電子領(lǐng)域中一種重要的高壓、高功率電子器件。它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極型晶體管(BJT)的特性,具有獨(dú)特的四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(P-N-P-N)。

特性

  1. 低導(dǎo)通損耗:RGT20NL65采用了先進(jìn)的溝槽柵與場截止結(jié)構(gòu),有效降低了器件的飽和電壓和導(dǎo)通電阻,進(jìn)而降低了導(dǎo)通損耗,提高了整體功率密度。

  2. 高效率:由于具有低導(dǎo)通損耗,RGT20NL65在運(yùn)行時能夠保持較高的效率,尤其在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

  3. 高耐壓能力:該IGBT的額定電壓為650V,具有較高的耐壓能力,能夠滿足各種高電壓應(yīng)用的需求。

  4. 快速開關(guān)特性:RGT20NL65具有快速的開關(guān)速度和短的關(guān)斷時間,使其在需要頻繁開關(guān)的應(yīng)用中具有優(yōu)勢。

  5. 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn):RGT20NL65是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的車規(guī)級IGBT,適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用中的惡劣環(huán)境。

  6. 表面貼裝型封裝:采用TO-263AB封裝,便于在電路板上的安裝和使用。

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應(yīng)用

  1. 新能源汽車:RGT20NL65是電動汽車及充電樁等設(shè)備的核心技術(shù)部件之一,主要用于電動車汽車的充電樁、電動控制系統(tǒng)以及車載空調(diào)控制系統(tǒng)等。

  2. 智能電網(wǎng):在智能電網(wǎng)的發(fā)電端、輸電端、變電端及用電端,RGT20NL65也發(fā)揮著重要作用,為電網(wǎng)的穩(wěn)定運(yùn)行提供可靠支持。

  3. 軌道交通:在軌道交通領(lǐng)域,RGT20NL65作為牽引變流器最核心的器件之一,為交流傳動系統(tǒng)提供穩(wěn)定可靠的電力支持。

綜上所述,ROHM Semiconductor RGT20NL65場停止溝槽IGBT憑借其低導(dǎo)通損耗、高效率、高耐壓能力、快速開關(guān)特性以及符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)等特點(diǎn),在新能源汽車、智能電網(wǎng)和軌道交通等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。


責(zé)任編輯:David

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標(biāo)簽: RGT20NL65 IGBT ROHM

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