原標題：反向MOSFET幫助555振蕩器忽略電源和溫度變化

反向MOSFET在幫助555振蕩器忽略電源和溫度變化方面，主要通過特定的電路設計和連接方式來實現。以下是對此過程的詳細解釋：

1. 原理概述：

• 利用反極性P溝道MOSFET（如Q1）來引導C1（通常是一個電容器）的充電電流，而不產生明顯的壓降。這樣的設計能夠產生與溫度和電源電壓V+無關的時序設計方程。

2. 時序設計方程：

• T+ = R1C1ln((2/3V+)/(1/3V+)) = R1C1ln(2)

• T- = R1C1ln((2/3V+)/(1/3V+)) = R1C1ln(2)

• Fosc（振蕩頻率） = 1/(ln(2)/((R1+R2)C1)) = 1.44/(P1C1)（其中P1為某種與R1和R2相關的參數）

• 在不考慮溫度和V+的影響下，得到新的時序設計方程如下：

1. 電路連接：

• 將MOSFET Q1“反向”連接，即將其漏極引腳而非源極引腳連接到正電壓源。這種連接方式可以避免在555電路輸出引腳將漏極引腳驅動為低電平，而C1將R2連接的引腳保持為高電平時，對FET體二極管形成正向偏置。

2. 功能實現：

• 通過上述設計，在不影響555電路固有精度的情況下，實現了可變占空比/恒定頻率的功能。這意味著，無論電源電壓V+如何變化，或者環境溫度如何波動，555振蕩器都能夠保持穩定的頻率輸出。

3. 總結：

• 反向MOSFET在555振蕩器中的應用，通過其特定的連接方式和電路設計，有效地消除了電源和溫度變化對振蕩器性能的影響，提高了其穩定性和可靠性。這種設計在需要高精度和穩定輸出的電子電路中具有廣泛的應用前景。