立式小信號MOSFET至今仍有用途，本設計理念提出了兩個簡單的例子：AND柵極和幅度調制器。

　　圖1 圖中顯示了標準雙輸入AND柵極及其MOSFET(以及單電阻或雙電阻)實現。

　　圖1 雙輸入和柵極 (a) 和 MOSFET 實現 (b)

　　輸入 A 和輸入 B 在這里連接

　　到由 15V 電池供電的單極開關。輸入A連接到MOSFET的漏極;輸入-B 到其柵極端子。標記為 Output-C 的源端子是 AND 門的輸出。電路中的 MOSFET 處于截止或飽和模式。

　　當在柵極端子上施加邏輯低電平 (0V) 時，MOSFET 工作在截止模式，MOSFET 的漏極和源極端子之間存在高阻抗。類似地，當在柵極端子上施加高電壓 (15V) 時，MOSFET 在飽和模式下工作，并且 MOSFET 的漏極和源極端子之間存在低阻抗。

　　圖2 兩個輸入的模擬示例 = 1

　　當然，NAND柵極可以通過添加M2和R3來形成輸出逆變器來實現。

　　圖3 雙輸入 NAND 柵極 (a) 和 MOSFET 實現 (b)

　　為了更多 模擬 MOSFET應用，考慮這個簡單的AM調制器。

　　圖4 場效應管幅度調制器

　　電路

　　由一個 N 溝道 MOSFET、兩個電阻器和一個肖特基二極管組成。調制信號， V-sig(t)， 連接到 MOSFET 的漏極。載波信號， V-卡爾(T) ，連接到柵極端子。調幅輸出信號， V-輸出(T) ，是從源終端獲取的。

　　載波信號是方波，由于MOSFET的柵極連接到載波，MOSFET將以該頻率打開和關閉。導通時，漏極上的任何電壓都將通過MOSFET并出現在源極端子上。當MOSFET關斷時，R2會將輸出拉至地。

　　為了正常工作，載波信號的峰峰值電壓應是調制信號峰峰值電壓的兩倍。肖特基二極管可防止調幅輸出信號成為雙極性信號。

　　圖5 25kHz 12V 時的仿真結果P-P 載波和 1kHz 6VP-P 正弦調制

　　圖6 如上所述，具有方波調制