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AEC-Q n通道功率mosfet L-TOGL 封裝的介紹、特性、及應用
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東芝的40 V n通道功率mosfet XPQR3004PB和XPQ1R004PB通過將高散熱封裝L-TOGL(大型晶體管輪廓鷗翼引線)與U-MOS IX-H芯片工藝相結合，實現了超低導通電阻，高漏極電流額定值和高散熱。
L-TOGL封裝在尺寸上與現有的to - 220sm (W)封裝相當，但是，XPQR3004PB大大提高了電流額定值，并顯著降低了導通電阻至0.23 毫歐 typ。與相同尺寸的to - 220sm (W)封裝相比，L-TOGL優化的封裝占地面積還有助于改善熱特性。
結合這些特性，東芝的產品提供高電流能力和高散熱，以幫助提高各種汽車應用中的功率密度。
特性
AEC-Q101合格
低漏源導通電阻:
XPQR3004PB R (DS(上))= 0.23歐姆(typ。)(V (g) = 10)
XPQ1R004PB R (DS(上))= 0.80歐姆(typ。)(V (g) = 10)
低漏電流:I(DSS) = 10μA (max) (V(DS) = 40 V)
增強方式:V(th) = 2.0 V ~ 3.0 V(V(DS) = 10 V, I(D) = 1.0 mA)
應用程序
汽車
開關電壓調節器
電機驅動程序
直流/直流轉換器
責任編輯：David
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