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PANJIT 第1.5代SiC肖特基勢壘二極管的介紹、特性、及應用
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PANJIT的第1.5代碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)是為電氣工程師設計具有更低散熱的高性能系統而開發的。快速恢復二極管(FRD)在關斷操作時有一些反向恢復電流，在主開關打開時產生額外的開關損失。相比之下，肖特基勢壘二極管沒有反向恢復電流，因此它可以在更高的開關頻率下使用，但它的缺點是由于更高的漏電而導致較低的擊穿電壓。SiC器件比硅器件具有更高的帶隙能量，這意味著泄漏電流非常低。SiC器件具有更高的電子速度，比硅器件具有更好的開關性能。
PANJIT的SiC SBD Gen.1.5經過優化，對正向電壓(V(F))具有較低的溫度依賴性，因此可以在較高溫度下抑制傳導損失。通過在金屬接觸區添加P+層，形成結勢壘肖特基(JBS)結構。因此，可以顯著提高浪涌電流容量，這有助于確保冷啟動系統運行的系統級可靠性。PANJIT的SiC SBD Gen.1.5系列具有650 V和1200 V擊穿電壓，額定電流為4 A至40 A，以及各種分立封裝，如to - 220AC, to - 252aa和to - 247ad - 3ld。
特性
零反向恢復
不依賴于溫度的開關
增強的浪涌電流能力
電動汽車充電樁
聯合包裹
工業汽車
家用電器
數字電視
責任編輯：David
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