英飛凌科技1200V CoolSiC M1H模塊為電動汽車充電和其他逆變器設計人員提供了前所未有的效率和功率密度水平。

當碳化硅(SiC)半導體用作開關時，在保持高可靠性的同時，允許更高的工作溫度和開關頻率，從而提高了整個系統的效率。英飛凌的1200V SiC MOSFET模塊系列提供卓越的柵極氧化物可靠性，這得益于其最先進的溝槽設計。

這些電源模塊封裝在行業標準的EASY封裝中，可以根據不同的應用需求進行定制，并提供各種R(DSon)電平和電路配置，如3級，半橋接或6包。所有EasyPACK 和EasyDUAL MOSFET功率模塊都可以預先應用熱界面材料(TIM)訂購，并提供其他功能。采用高性能氮化鋁(AlN)陶瓷的Easy模塊特別提高了R(thJH)的熱性能。

與硅(Si)相比，寬禁帶碳化硅(SiC)半導體具有更高的突破電場、更顯著的導熱性、更高的電子飽和速度和更低的本征載流子濃度等優點。基于SiC材料的這些優勢，SiC mosfet可用于高功率應用的開關晶體管，例如用于車載/車載電動汽車(EV)充電器的太陽能逆變器。

好處

·更高頻率運行
·增加功率密度
·效率最高，減少冷卻努力
·降低系統和操作成本

特性

• 與硅相比，開關損耗降低約80%

• 優異的柵氧化可靠性

• 具有低反向恢復電荷的本征體二極管

• 最高閾值電壓V(th)大于4V

主打產品

FF4MR12W2M1H_B70
·雙配置
·簡易2B外殼
·v (dss) = 1200v
·i (dn) = 200a / i (drm) = 400a
·低電感設計
·低開關損耗
·高電流密度
·改進的陶瓷基板
·集成NTC溫度傳感器
·按fit接觸技術
·堅固的安裝由于集成安裝夾具

FF4MR12W2M1H_B11
·v (dss) = 1200v
·i (dn) = 200a / i (drm) = 400a
·低開關損耗
·低電感設計
·高電流密度
·堅固的安裝由于集成安裝夾具
·按fit接觸技術
·集成NTC溫度傳感器

FF6MR12W2M1_B70
·高電流密度
·低電感設計
·低開關損耗
·集成NTC溫度傳感器
·按fit接觸技術
·堅固的安裝由于集成安裝夾具
·改進的陶瓷基板

FF6MR12W2M1H_B11
·v (dss) = 1200v
·i (dn) = 150a / i (drm) = 300a
·低開關損耗
·低電感設計
·高電流密度
·堅固的安裝由于集成安裝夾具
·按fit接觸技術
·集成NTC溫度傳感器