ROHM Semiconductor RQ3L060BG功率MOSFET的介紹、特性、及應用
來源:
2024-01-22
類別:基礎知識


ROHM Semiconductor RQ3L060BG功率MOSFET具有60V漏源電壓(V(DSS))和±15.a連續漏極電流。該n溝道MOSFET提供38毫歐低導通電阻(R(DS(on)))和14W的功耗。RQ3L060BG MOSFET工作在-55°C至150°C的工作結和存儲溫度范圍內,采用無鹵素,大功率小模具封裝(HSMT8)。這款符合rohs標準的設備包含無鉛電鍍。典型應用包括開關、電機驅動和DC/DC轉換器。
特性
低導通電阻
大功率小模具封裝(HSMT8)
無鉛電鍍,符合rohs標準
無鹵素
100% Rg和ui測試
規范
60V漏源電壓(V(DSS))
門源電壓(V(GSS))
-55°C至150°C工作結和存儲溫度范圍
38 毫歐R (DS(上)(最大)
±15.a連續漏極電流(I(D))
14W功耗
應用程序
切換
馬達驅動器
直流/直流轉換器
內部電路
責任編輯:David
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