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Qorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅(SiC)場效應管的介紹、特性、及應用
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Qorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅(SiC) fet是基于獨特的“級聯編碼”電路配置的1200V, 23毫歐器件。在這種配置中，一個常開的SiC JFET與一個Si MOSFET一起封裝，產生一個常關的SiC FET器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器，因此在更換Si igbt, Si超級結器件或SiC mosfet時需要最小的重新設計。這些器件采用節省空間的D2PAK-7L封裝(實現自動化組裝)，具有超低柵極電荷和卓越的反向恢復特性。Qorvo UF4SC120023B7S G4 SiC fet是切換感性負載和需要標準柵極驅動的應用的理想選擇。
特性
23mW典型導通電阻
+175°C最高工作溫度
卓越的243nC反向恢復
低1.2V體二極管
低37.8nC柵極電荷
4.8V典型閾值電壓允許0V到15V驅動
低固有電容
HBM 2級和CDM C3級ESD保護
D(2)PAK-7L封裝，用于更快的開關，干凈的柵極波形
無鉛，無鹵，符合rohs標準
應用程序
電動汽車充電
光伏逆變器
開關電源
功率因數校正模塊
感應加熱
示意圖
責任編輯：David
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