PN結與MOS管在結構、工作原理和應用特性上存在顯著的區別。

首先，從結構來看，PN結是由P型半導體和N型半導體在同一塊半導體襯底上制作而成的，二者之間的邊界或界面被稱為PN結。而MOS管，全稱金屬-氧化物半導體場效應晶體管，由柵極、漏極和源極三個極構成，其柵極和源極之間存在絕緣層，通常為二氧化硅。

其次，在工作原理方面，PN結通過其獨特的電勢壘來控制電子和空穴的移動方向，實現電流的整流。當施加正向電壓時，電勢壘變窄，電子和空穴可以自由擴散并流過二極管；當施加反向電壓時，電勢壘變寬，電子和空穴幾乎不能流過。而MOS管則是一個電壓控制電流的器件，通過改變柵極與源極之間的電壓來控制漏極與源極之間的電流，其柵極電壓決定了漏極電流的大小。

最后，在應用特性上，PN結因其單向導電性而廣泛應用于整流器、二極管等半導體器件中。而MOS管則因其電壓控制電流的特性，在半導體主動元件、分立器件等領域有廣泛應用，其柵極電壓的變化可以精確控制漏極電流的變化，因此常用于需要精確控制電流的場景。

總的來說，PN結和MOS管在結構、工作原理和應用特性上各有特點，它們都是現代電子技術中不可或缺的重要元件。