mos管分為哪兩類

MOS管增強(qiáng)型（Enhancement Mode）和疲勞型（Depletion Mode）

1. 增強(qiáng)型MOSFET

增強(qiáng)型MOSFET是最常見(jiàn)的類型。它們?cè)陔姼须妷浩胶鈺r(shí)處于關(guān)斷狀態(tài)（不導(dǎo)通），需要施加足夠的電感電壓才能導(dǎo)通。此類類型的MOSFET適用于大多數(shù)開關(guān)應(yīng)用。

特點(diǎn)：

• N溝道增強(qiáng)型：當(dāng)感應(yīng)源極電壓（Vgs）大于閾值電壓（Vth）時(shí)，MOSFET導(dǎo)通。

• P溝道增強(qiáng)型：當(dāng)感應(yīng)源極電壓（Vgs）小于閾值電壓（Vth）時(shí)，MOSFET導(dǎo)通。

2.運(yùn)動(dòng)型MOSFET

拖型MOSFET在電感電壓為零時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)，需要加一個(gè)反向的電感電壓來(lái)關(guān)斷。此類類型的MOSFET在一些特殊應(yīng)用中使用。

特點(diǎn)：

• N溝道衰退型：當(dāng)感應(yīng)源極電壓（Vgs）小于閾值電壓（Vth）時(shí)，MOSFET關(guān)斷。

• P溝道衰退型：當(dāng)電感源極電壓（Vgs）大于閾值電壓（Vth）時(shí)，MOSFET關(guān)斷。

總結(jié)

• 增強(qiáng)型MOSFET：常用于需要電感電壓來(lái)導(dǎo)通的應(yīng)用。

• N溝道強(qiáng)化型：Vgs > Vth時(shí)導(dǎo)通。

• P溝道強(qiáng)化型：Vgs < Vth時(shí)導(dǎo)通。

• 疲憊型MOSFET：常用于需要電感電壓來(lái)關(guān)斷的應(yīng)用。

• N溝道運(yùn)動(dòng)型：Vgs < Vth時(shí)關(guān)斷。

• P溝道運(yùn)動(dòng)型：Vgs > Vth時(shí)關(guān)斷。

根據(jù)具體的應(yīng)用需求和電路設(shè)計(jì)選擇合適類型的MOSFET。