安森美MJE2955T PNP功率晶體管

1. 型號及類型

安森美（ON Semiconductor）MJE2955T是一款PNP功率晶體管，廣泛應用于各種電子電路中。MJE2955T屬于塑封功率晶體管系列，具有較高的電流和電壓承受能力。PNP型晶體管的主要特點是，當基極（B）相對于發射極（E）為負時，晶體管處于導通狀態。

MJE2955T的型號解讀如下：

• MJE：表示其屬于中功率塑封晶體管系列。

• 2955：具體型號，表示該晶體管的性能和參數。

• T：代表其封裝形式為TO-220，適用于通用功率放大和開關應用。

廠商名稱：ON安森美

元件分類：晶體管

中文描述： 單晶體管雙極，PNP，60 V，10 A，75 W，TO-220，通孔

英文描述： Trans GP BJT PNP 60V 10A 75000mW 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube

數據手冊：http://www.tongliao8.com/data/k02-24033745-MJE2955T.html

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MJE2955T中文參數

MJE2955T概述

MJE2955T是用于電源開關電路和通用放大器的-60V硅外延基PNP功率晶體管。快速的開關時間和非常低的飽和電壓可減少開關和傳導損耗。

與MJE3055T互補

良好控制的hFE參數可提高可靠性

應用

工業

MJE2955T引腳圖

2. 工作原理

MJE2955T是一種雙極型結晶體管（BJT），其基本工作原理與其他PNP型BJT相同。PNP晶體管由兩個P型半導體材料和一個N型半導體材料組成，N型材料位于中間，形成一個PNP結構。

在PNP晶體管中：

• 當基極電壓低于發射極電壓時，基極-發射極結反向偏置，基極-集電極結正向偏置，晶體管處于導通狀態。

• 電子從基極區注入到發射極區，形成基極電流（IB），同時大量電子從發射極區進入集電極區，形成集電極電流（IC）。

• 發射極電流（IE）是集電極電流和基極電流之和，即IE = IC + IB。

由于基極電流遠小于集電極電流和發射極電流，因此通過控制基極電流，可以控制較大的集電極電流，從而實現電流放大和開關功能。

3. 特點

MJE2955T具有以下顯著特點：

• 高電流能力：其集電極電流（IC）最大值可達15A，適用于大電流應用。

• 高電壓耐受性：集電極-發射極電壓（VCEO）最大值為60V，集電極-基極電壓（VCBO）最大值為70V。

• 低飽和電壓：在較大電流條件下，集電極-發射極飽和電壓（VCE(sat)）較低，提高了效率。

• 良好的熱穩定性：封裝形式為TO-220，具有良好的散熱性能，有助于晶體管在高功率條件下穩定工作。

• 高增益：直流電流增益（hFE）在100至300之間，提供了較好的電流放大能力。

4. 應用

MJE2955T廣泛應用于以下領域：

• 電源開關電路：由于其高電流和高電壓能力，MJE2955T常用于開關電源、DC-DC轉換器和電源管理電路中。

• 音頻功率放大器：其高增益和低飽和電壓特性，使其適用于音頻功率放大器電路，能夠提供高保真音質。

• 電機驅動電路：在電機控制和驅動電路中，MJE2955T可以有效地驅動大功率電機。

• 通用開關應用：作為通用開關器件，MJE2955T在各類電子設備中均有廣泛應用，如家用電器、工業控制和通信設備等。

5. 參數

MJE2955T的主要參數如下：

• 最大額定值：

• 集電極-發射極電壓（VCEO）：60V

• 集電極-基極電壓（VCBO）：70V

• 發射極-基極電壓（VEBO）：5V

• 集電極電流（IC）：15A

• 基極電流（IB）：7A

• 功耗（Ptot）：115W（@TC = 25°C）

• 電氣特性：

• 集電極-發射極飽和電壓（VCE(sat)）：典型值1.1V（IC = 10A, IB = 1A）

• 基極-發射極電壓（VBE）：最大值2V（IC = 10A, VCE = 4V）

• 直流電流增益（hFE）：100-300（IC = 4A, VCE = 4V）

• 熱特性：

• 結溫（TJ）：最高值150°C

• 熱阻（結到外殼，RθJC）：1.52°C/W

MJE2955T作為一款性能優越的PNP功率晶體管，憑借其高電流、高電壓、低飽和電壓等特點，在電源開關、音頻放大、電機驅動等領域得到了廣泛應用。在實際應用中，需要根據具體電路要求，合理選擇工作點和偏置電路，以充分發揮其性能優勢。