安森美BC847CLT1G NPN通用雙極晶體管

一、型號簡介

安森美（ON Semiconductor）是全球領先的半導體制造商，生產的BC847CLT1G是一款NPN型通用雙極晶體管。這種晶體管廣泛應用于各種電子電路中，因其穩定的性能和較高的可靠性而備受青睞。

廠商名稱：ON安森美

元件分類：三極管

中文描述： 單晶體管，雙極，通用，NPN，45 V，100 MHz，300 mW，100 mA，520 hFE

英文描述： Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

數據手冊：http://www.tongliao8.com/data/k02-24025922-BC847CLT1G.html

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BC847CLT1G中文參數

BC847CLT1G概述

BC847CLT1G是一款NPN通用雙極晶體管，設計用于線性和開關應用。該器件設計用于低功耗表面安裝應用.額定功率：300mW 集電極電流Ic：100mA 集射極擊穿電壓Vce：45V 晶體管類型：NPN NPN 45V 100mA

潮濕敏感度1級

符合AEC-Q101標準，PPAP功能

靜電保護:>4000V人體模型，>400V機型

應用

工業，電源管理，車用

BC847CLT1G規格參數

BC847CLT1G引腳圖

二、型號類型及后續產品

BC847CLT1G屬于BC847系列的一個變種，其系列包括BC847、BC847A、BC847B、BC847C等。這些型號的主要區別在于它們的增益參數（hFE），具體來說：

• BC847A：低增益，hFE在110到220之間。

• BC847B：中等增益，hFE在200到450之間。

• BC847C：高增益，hFE在420到800之間。

BC847CLT1G通常應用于要求較高增益的電路中，是BC847系列的一種常見配置。

三、工作原理

NPN型雙極晶體管由三個區域構成：發射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）。其工作原理如下：

1. 發射極注入電子：當基極電流存在時，發射極區域的電子被注入到基極區域。

2. 基極控制電流：基極區域很薄，電子迅速穿過，少部分電子與基極的空穴復合，大部分電子到達集電極區域。

3. 集電極收集電子：集電極區對電子具有強吸引力，使得大部分從發射極來的電子進入集電極，形成集電極電流（IC）。

總電流關系可以表示為：$I_C approx eta cdot I_B$IC≈β?IB其中，$eta$β為晶體管的電流增益。

四、特點

BC847CLT1G具有以下顯著特點：

1. 高增益：提供了高電流增益，使其適用于信號放大。

2. 低噪聲：低噪聲特性使其適用于高保真音頻放大器和其他低噪聲應用。

3. 小型封裝：采用SOT-23封裝，有利于高密度電路板設計。

4. 可靠性高：在寬溫度范圍內工作，具有良好的熱穩定性。

5. 低功耗：在較低電壓和電流條件下工作，有效降低能耗。

五、應用

BC847CLT1G因其多功能性和優異性能，廣泛應用于以下領域：

1. 信號放大器：用于低電平信號的放大，如音頻放大器、傳感器信號處理。

2. 開關電路：用于數字電路中的開關和控制，如驅動繼電器、LED。

3. 振蕩器和定時器：用于構建振蕩器和定時電路。

4. 電源管理：在電源管理電路中，用于電流和電壓調節。

六、參數

BC847CLT1G的主要參數如下：

• 最大集電極-基極電壓（VCBO）：50V

• 最大集電極-發射極電壓（VCEO）：45V

• 最大發射極-基極電壓（VEBO）：6V

• 最大集電極電流（IC）：100mA

• 功耗（Ptot）：250mW

• 集電極-發射極飽和電壓（VCE(sat)）：典型值0.25V（IC=10mA，IB=0.5mA）

• 基極-發射極飽和電壓（VBE(sat)）：典型值0.65V（IC=10mA，IB=0.5mA）

• 直流電流增益（hFE）：典型值420到800（IC=2mA，VCE=5V）

七、結語

綜上所述，安森美的BC847CLT1G是一款性能優越的NPN通用雙極晶體管，具有高增益、低噪聲、低功耗等特點，適用于多種電子電路中的放大、開關和振蕩等應用。其小型封裝和廣泛的應用場景，使其成為電子工程師在設計和開發過程中不可或缺的基本元件之一。