安森美DTC144EET1G NPN雙極數(shù)字偏置電阻晶體管(BRT)

安森美（ON Semiconductor）生產(chǎn)的DTC144EET1G是一款NPN雙極數(shù)字偏置電阻晶體管（Digital Bias Resistor Transistor，簡稱BRT）。這類晶體管在其內(nèi)部集成了兩個電阻，一個是基極電阻，一個是基極-發(fā)射極電阻。這種結(jié)構(gòu)的設計簡化了外部電路，減少了元件數(shù)量和設計復雜性。

DTC系列是安森美的一個重要產(chǎn)品線，其中包括多個不同型號的BRT，除了DTC144EET1G之外，還有DTC114E、DTC124E等。不同型號之間的主要區(qū)別在于其內(nèi)部電阻值的不同，用戶可以根據(jù)具體的電路需求選擇適合的型號。

廠商名稱：ON安森美

元件分類：晶體管

中文描述： 晶體管，雙極預偏置/數(shù)字，BRT，單路NPN，50 V，100 mA，47 kohm，47 kohm

英文描述： NPN Bipolar Digital Transistor(BRT)，SC-75(SOT-416)3 LEAD，3000-REEL

數(shù)據(jù)手冊：http://www.tongliao8.com/data/k02-24039002-DTC144EET1G.html

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DTC144EET1G概述

DTC144EET1G是一款NPN雙極數(shù)字偏置電阻晶體管(BRT)，旨在替代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡。BRT包含一個帶有單片偏置網(wǎng)絡的晶體管，該網(wǎng)絡由兩個電阻組成，一個串聯(lián)基極電阻和一個基極-發(fā)射極電阻。BRT通過將單個組件集成到單個設備中來消除單個組件。

簡化電路設計

減少電路板空間

減少組件數(shù)量

無鹵素

AEC-Q101合格和PPAP能力

應用

工業(yè)，電源管理，車用

DTC144EET1G中文參數(shù)

數(shù)字晶體管極性:單路NPN

集電極發(fā)射電壓，Vceo:50V

集電極連續(xù)電流:100毫安

基極輸入電阻R1:47kohm

電阻，基極-發(fā)射極，R2:47kohm

電阻比R1/R2:-

射頻晶體管封裝:SC-75

晶體管安裝:表面安裝

引腳數(shù):3引腳

產(chǎn)品范圍:DTC144E

汽車質(zhì)量標準:AEC-Q101

DTC144EET1G引腳圖

工作原理

DTC144EET1G的工作原理基于NPN雙極型晶體管的基本工作特性。NPN晶體管由三個區(qū)域構(gòu)成：發(fā)射極（E）、基極（B）和集電極（C）。在DTC144EET1G中，基極電阻（R1）和基極-發(fā)射極電阻（R2）的集成使得輸入信號可以直接施加到基極，而不需要額外的外部偏置電阻。具體工作原理如下：

1. 導通狀態(tài)：當基極-發(fā)射極電壓（V_BE）超過晶體管的導通電壓（一般約為0.7V），晶體管進入導通狀態(tài)，集電極電流（I_C）開始流動。這時，發(fā)射極和集電極之間形成低阻抗路徑，允許電流通過。

2. 截止狀態(tài)：當基極-發(fā)射極電壓低于導通電壓，晶體管處于截止狀態(tài)，集電極電流幾乎為零，發(fā)射極和集電極之間為高阻抗狀態(tài)。

3. 放大狀態(tài)：在放大狀態(tài)下，基極電流（I_B）的微小變化會引起集電極電流（I_C）的大幅變化，實現(xiàn)電流放大。集成的基極電阻（R1）限制了基極電流，從而保護晶體管，避免過大的電流損壞器件。

特點

DTC144EET1G具有以下特點：

1. 內(nèi)置偏置電阻：內(nèi)置的基極電阻（R1）和基極-發(fā)射極電阻（R2）簡化了電路設計，減少了外部元件數(shù)量。

2. 小型封裝：采用小型SOT-23封裝，適合高密度電路板設計。

3. 低功耗：由于內(nèi)置電阻的存在，晶體管在截止狀態(tài)下的功耗極低，非常適合低功耗應用。

4. 高可靠性：集成電阻減少了外部連接點，從而提高了電路的可靠性和穩(wěn)定性。

5. 通用性強：適用于各種數(shù)字電路和開關電路，具有廣泛的應用前景。

應用

DTC144EET1G廣泛應用于各種電子電路中，尤其是在需要數(shù)字信號處理和開關功能的場合。具體應用包括：

1. 信號開關：在數(shù)字電路中用作信號開關，控制信號的通斷。

2. 電平轉(zhuǎn)換：用于不同電壓電平之間的信號轉(zhuǎn)換，適用于混合電壓系統(tǒng)。

3. 緩沖器：用作緩沖器，以隔離前后級電路，防止信號干擾。

4. LED驅(qū)動：用于驅(qū)動LED燈，控制其開關和亮度。

5. 保護電路：在電源和負載之間提供過流保護，防止電路損壞。

參數(shù)

DTC144EET1G的主要技術參數(shù)如下：

1. 集電極-基極電壓（V_CBO）：50V

2. 集電極-發(fā)射極電壓（V_CEO）：50V

3. 發(fā)射極-基極電壓（V_EBO）：5V

4. 集電極電流（I_C）：100mA

5. 集電極功耗（P_C）：200mW

6. 基極電阻（R1）：47kΩ

7. 基極-發(fā)射極電阻（R2）：47kΩ

8. 集電極飽和電壓（V_CE(sat)）：0.1V（典型值）

9. 過渡頻率（f_T）：250MHz

10. 工作溫度范圍：-55℃至150℃

結(jié)論

綜上所述，DTC144EET1G作為一款NPN雙極數(shù)字偏置電阻晶體管，具有內(nèi)置偏置電阻、小型封裝、低功耗和高可靠性等特點，廣泛應用于信號開關、電平轉(zhuǎn)換、緩沖器、LED驅(qū)動和保護電路等場合。其集成電阻的設計不僅簡化了電路設計，還提高了電路的穩(wěn)定性和可靠性。作為一種高效、可靠的電子元件，DTC144EET1G在現(xiàn)代電子設計中發(fā)揮著重要作用。