onsemi 2N7000BU MOS管中文資料

一、概述

2N7000BU是由onsemi公司生產的一種N溝道增強型MOSFET。這種MOSFET因其低導通電阻和高輸入阻抗的特點，被廣泛應用于各種電子電路中，尤其適用于開關和放大電路。

廠商名稱：onsemi

元件分類：MOS管

中文描述： 功率場效應管，MOSFET，N通道，60 V，200 mA，5 ohm，TO-226AA，通孔

英文描述： MOSFET Transistor，N Channel，200 mA，60 V，5 ohm，10 V，3.9 V

數據手冊：http://www.tongliao8.com/data/k02-36712992-2N7000BU.html

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2N7000BU概述

2N7000BU是一種先進的小信號N溝道增強模式MOSFET，采用高單元密度DMOS技術生產。它最大限度地減少了導通電阻，同時提供堅固、可靠和快速的開關性能。它可用于需要高達400mA直流電的大多數應用，并可提供高達2A的脈沖電流。它特別適用于低電壓、低電流的應用，如功率MOSFET柵極驅動器和其他開關應用。

快速的開關時間

提高了電感的堅固性

更低的輸入電容

擴展的安全工作區域

改進的高溫可靠性

2N7000BU中文參數

通道類型:N通道

晶體管極性:N溝道

電流，Id連續:200mA

漏源電壓，Vds:60V

漏源接通狀態電阻:5ohm

在電阻RDS(上):5ohm

Rds(on)測試電壓:10V

閾值柵源電壓最大值:3.9V

晶體管安裝:通孔

功耗Pd:400mW

晶體管封裝類型:TO-226AA

針腳數:3引腳

功率耗散:400mW

工作溫度最高值:150°C

2N7000BU引腳圖

二、型號類型

onsemi公司生產的2N7000系列MOSFET，包括多種不同的封裝和改進型號，常見的包括：

1. 2N7000：基礎型號，TO-92封裝。

2. 2N7002：SOT-23封裝，更適合表面貼裝。

3. 2N7000BU：與2N7000功能相同，但帶有不同的標識或改進的制造工藝。

4. NTR1P02：P溝道版本，適用于需要P溝道MOSFET的電路。

不同型號在封裝和某些特定參數上有區別，但它們的基本功能和工作原理相同。

三、工作原理

MOSFET（金屬氧化物半導體場效應管）是一種基于電場控制的半導體器件。2N7000BU作為N溝道增強型MOSFET，其工作原理如下：

1. 導通：當在柵極（G）和源極（S）之間施加足夠的正電壓（通常為2-3V以上），柵極下方的N型半導體會形成一個導電溝道，電子可以自由通過，從而使漏極（D）與源極（S）之間導通。

2. 關斷：當柵極電壓低于閾值電壓時，N型半導體中沒有形成導電溝道，漏極和源極之間的電流被切斷，MOSFET處于關斷狀態。

四、特點

2N7000BU具有以下主要特點：

1. 低導通電阻：R_DS(on)值較低，使得它在導通狀態下有較低的功率損耗。

2. 高輸入阻抗：由于柵極是由絕緣層隔離的，因此MOSFET的輸入阻抗非常高，幾乎不會對前級電路造成負擔。

3. 快速開關速度：MOSFET可以在非常短的時間內從導通狀態切換到關斷狀態，適合高速開關電路。

4. 低柵極電荷：低柵極電荷意味著在切換過程中所需的能量較小，提高了整體效率。

五、應用

2N7000BU因其獨特的特點，廣泛應用于以下幾個領域：

1. 開關電源：用于高效的直流-直流轉換器中，提供快速、高效的開關控制。

2. 信號放大：在模擬電路中用作小信號放大器，由于其高輸入阻抗和線性區域的良好特性，使得信號放大更加穩定。

3. 驅動電路：用于驅動小型繼電器、LED等負載，能夠提供較大的電流和電壓轉換。

4. 保護電路：作為保護元件，防止過流和過壓對電路的損壞。

5. 模擬電路：在模擬開關、混頻器等電路中發揮關鍵作用。

六、參數

2N7000BU的主要電氣參數如下：

1. 最大漏源電壓（V_DS）：60V

2. 最大柵源電壓（V_GS）：±20V

3. 漏極連續電流（I_D）：200mA（@25℃）

4. 漏極峰值電流（I_D(pulse)）：500mA

5. 導通電阻（R_DS(on)）：最大值5Ω（V_GS=10V, I_D=500mA）

6. 柵極閾值電壓（V_GS(th)）：1-2.5V

7. 柵極電荷（Q_g）：最大值20nC

8. 漏極-源極反向二極管：

• 正向電流（I_F）：200mA

• 正向電壓（V_F）：最大值1.3V（I_F=200mA）

七、實際應用中的考慮

在實際應用中，設計師應注意以下幾點：

1. 熱管理：盡管2N7000BU具有良好的性能，但在高電流應用中可能會產生熱量。適當的散熱措施，如散熱片或強制風冷，是必要的。

2. 柵極驅動電路：確保驅動電路能夠提供足夠的柵極電壓，以便快速可靠地切換MOSFET。

3. 電磁干擾（EMI）：由于MOSFET的高速開關特性，可能會產生電磁干擾。設計電路時應考慮EMI的抑制措施，如濾波器和屏蔽。

4. 安全工作區（SOA）：在設計過程中，必須確保MOSFET的工作電流和電壓始終保持在安全工作區內，避免器件損壞。

八、總結

2N7000BU作為一種性能優良的N溝道增強型MOSFET，因其低導通電阻、高輸入阻抗和快速開關速度等特點，被廣泛應用于各種電子電路中。設計師在使用時應注意熱管理、柵極驅動和EMI抑制等方面的問題，以確保電路的穩定性和可靠性。

這種MOSFET適用于開關電源、信號放大、驅動電路、保護電路和模擬電路等多個領域，是一種非常靈活和高效的電子元件。在選擇和應用2N7000BU時，詳細了解其電氣參數和實際工作環境，是實現最佳性能的關鍵。