2N6491G PNP晶體管中文資料

1. 簡介

2N6491G 是一款由安森美半導體 (ON Semiconductor) 生產的高功率 PNP 晶體管。PNP 型晶體管是雙極型晶體管 (BJT) 中的一種，另外一種是 NPN 型晶體管。PNP 晶體管通常用于放大和開關應用，在電路設計中起到重要的作用。

廠商名稱：ON安森美

元件分類：三極管

中文描述： PNP晶體管,TO-220封裝,最大直流集電極電流15 A,最大集電極-發射電壓80 V,通孔安裝,最大耗散功率75 W,3引腳

英文描述： Power Bipolar Transistor,NPN,80 V,15 A,TO-220 3 LEAD STANDARD,50-TUBE

數據手冊：http://www.tongliao8.com/data/k02-24022740-2N6491G.html

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2N6491G概述

該15A，80 V，PNP雙極功率晶體管適用于通用放大器和開關應用。2N6487、2N6488(NPN);以及2N6490、2N6491(PNP)為互補器件。

特性

直流電流增益指定為15安培-h FE=20-150 I C=5.0 Adc;h FE=5.0(Min) I C=15 Adc

集電極-發射極維持電壓--V CEO(sus)=60 Vdc(Min)-2N6487,2N6490;V CEO(sus)=80 Vdc(Min)-2N6488,2N6491

高電流增益-帶寬積

f T=5.0 MHz(Min) IC=1.0 Adc

TO-220AB緊湊型封裝

提供無鉛封裝

應用

設計用于通用放大器和開關應用。

2N6491G中文參數

晶體管類型 PNP

最大直流集電極電流 15 A

最大集電極-發射極電壓 80 V

封裝類型 TO-220

安裝類型 通孔

最大功率耗散 75 W

晶體管配置 單

最大集電極-基極電壓 90 V 直流

最大發射極-基極電壓 5 V

最大工作頻率 1 MHz

引腳數目 3

每片芯片元件數目 1

2N6491G引腳圖

2. 型號類型

2N6491G 屬于 PNP 型晶體管，其對應的 NPN 型號為 2N6488。這兩個型號常常配對使用，尤其是在互補對稱功率放大器中。以下是與 2N6491G 相關的一些其他型號：

• 2N6491：這是 2N6491G 的基本型號，未帶 G 后綴。G 后綴表示符合環保標準（無鉛）。

• 2N6491R：R 后綴表示該型號具有增強的電流增益性能。

• TIP42C：這是與 2N6491G 性能相似的替代型號，也是一款 PNP 高功率晶體管。

3. 工作原理

2N6491G 是一種 PNP 型雙極型晶體管，具有三個引腳：發射極 (E)、基極 (B) 和集電極 (C)。其工作原理如下：

• 正向偏置：當基極相對于發射極電壓為負時（即 V_BE < 0），基極電流流入發射極，導致集電極電流流向發射極。這種情況下，晶體管處于導通狀態。

• 反向偏置：當基極相對于發射極電壓為正時（即 V_BE > 0），基極電流不能流入發射極，晶體管處于截止狀態。

在放大應用中，晶體管工作在放大區間，即基極電壓略微低于發射極電壓（負偏壓），從而控制集電極電流。

4. 特點

2N6491G 具有以下幾個顯著特點：

• 高功率處理能力：其最大集電極電流 (I_C) 為 15A，最大集電極-發射極電壓 (V_CE) 為 100V。

• 低飽和電壓：在高電流條件下，2N6491G 的飽和電壓較低，有利于減少功耗和熱量產生。

• 高可靠性：由于采用了先進的制造工藝和材料，2N6491G 具有較高的可靠性和長壽命。

• 符合環保標準：帶 G 后綴的型號為無鉛環保產品，符合 RoHS 標準。

5. 應用

2N6491G 被廣泛應用于各種高功率電路中，包括但不限于以下幾個領域：

• 音頻功率放大器：由于其高電流和高功率處理能力，2N6491G 常用于音頻放大器的輸出級。

• 電源管理：在開關電源和電壓調節器中，2N6491G 用作開關和穩壓元件。

• 電動機控制：在直流電動機控制電路中，2N6491G 用于驅動和控制電動機。

• 逆變器電路：用于太陽能逆變器和不間斷電源 (UPS) 中，將直流電轉換為交流電。

6. 參數

以下是 2N6491G 的主要電氣參數：

• 最大集電極-發射極電壓 (V_CEO)：100V

• 最大集電極-基極電壓 (V_CBO)：100V

• 最大發射極-基極電壓 (V_EBO)：5V

• 最大集電極電流 (I_C)：15A

• 最大基極電流 (I_B)：7A

• 最大功耗 (P_D)：115W（在合適的散熱條件下）

• 集電極-發射極飽和電壓 (V_CE(sat))：典型值為 1.8V (I_C=15A, I_B=1.5A)

• 基極-發射極飽和電壓 (V_BE(sat))：典型值為 2.5V (I_C=15A, I_B=1.5A)

• 電流增益 (h_FE)：50 至 150（I_C=5A, V_CE=4V）

7. 包裝和引腳配置

2N6491G 通常采用 TO-3 金屬封裝，有兩個引腳和一個金屬外殼。具體引腳配置如下：

• 引腳 1：基極 (B)

• 引腳 2：發射極 (E)

• 金屬外殼：集電極 (C)

TO-3 封裝具有良好的散熱性能，適合高功率應用。

8. 安裝和散熱

在高功率應用中，2N6491G 的散熱管理非常重要。安裝時，通常使用散熱片和導熱膏，以確保晶體管在工作時能夠有效散熱，避免過熱導致損壞。

9. 典型電路設計

以下是一個使用 2N6491G 的典型音頻功率放大器電路：

       +Vcc
         |
         |
        R1
         |
         |----+
         |    |
         Q1   R2
         |    |
         +----+
         |
        Load
         |
        GND

在這個電路中，Q1 是 2N6491G，R1 和 R2 是偏置電阻，Load 是負載（如揚聲器）。通過調整 R1 和 R2 的值，可以設置適當的偏置電壓和電流，以確保 2N6491G 在放大區域工作。

10. 安全注意事項

在使用 2N6491G 時，需注意以下幾點以確保安全和性能：

• 電壓和電流限制：確保工作電壓和電流不超過最大額定值，避免損壞晶體管。

• 散熱管理：高功率應用中必須配備足夠的散熱措施，以防止晶體管過熱。

• 正確安裝：確保引腳正確連接，避免引腳接錯導致電路故障。

• ESD 保護：在處理和安裝過程中，注意防靜電措施，以防止靜電損壞晶體管。

通過以上介紹，可以對 2N6491G PNP 晶體管有一個全面的了解。這款晶體管在高功率應用中具有廣泛的用途和優異的性能，是電子工程師設計電路時的可靠選擇。