ON安森美NJW0281G NPN雙極型功率晶體管中文資料

一、型號與類型

NJW0281G是ON安森美（ON Semiconductor）生產的一款NPN雙極型功率晶體管，其型號為NJW0281G，屬于雙極結型晶體管（BJT）類別。這款晶體管以其出色的性能和高可靠性，廣泛應用于各種電子設備和系統中。

廠商名稱：ON安森美

元件分類：三極管

中文描述： 晶體管，NPN，最大直流集電極電流15 A，TO-3P封裝，1 MHz，3引腳

英文描述： Trans GP BJT NPN 250V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab)TO-3P Tube

數據手冊：http://www.tongliao8.com/data/k02-24028829-NJW0281G.html

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NJW0281G中文參數

NJW0281G概述

NJW0281G是NPN雙極型功率晶體管，具有出色的增益線性度和安全的工作區域性能。該晶體管是高保真音頻放大器輸出級和其他線性應用的理想選擇。

對NJW0302G的補充

出色的安全操作區域

從50 mA到3 A的增益匹配在10%以內

出色的增益線性度

高BVCEO

高頻

高功率下的可靠性能

準確再現輸入信號

動態范圍更大

高放大器帶寬

應用

音頻，工業，信號處理

NJW0281G引腳圖

二、工作原理

雙極型晶體管（Bipolar Transistor）是一種電流控制器件，其工作原理基于電子和空穴的流動與相互作用。與場效應晶體管（FET）相比，BJT具有更高的電流增益和更快的開關速度，但輸入阻抗較小且功耗較大。

在BJT中，通過摻雜工藝在半導體材料上形成三個區域：發射區、基區和集電區，它們之間通過兩個背靠背的PN結連接。BJT的工作主要依賴于這些區域之間的電流控制作用。當在基極和發射極之間施加正向電壓時，發射區的電子會注入到基區，并在基區擴散。由于集電區相對于基區具有更高的電位，這些電子會被吸引到集電區，形成集電極電流。通過控制基極電流，可以實現對集電極電流的大幅度控制，這是BJT最基本也是最重要的功能。

三、特點

NJW0281G作為NPN型雙極功率晶體管，具有以下幾個顯著特點：

1. 出色的增益線性度：該晶體管在寬電流范圍內表現出良好的增益線性度，能夠準確再現輸入信號，減少失真。

2. 安全的工作區域：NJW0281G具有較大的安全工作區域，能夠在高功率和高電壓條件下穩定工作，不易損壞。

3. 高功率耗散：最大功率耗散達到150W，適合用于高功率輸出應用。

4. 高頻特性：最大工作頻率達到30MHz，能夠滿足高頻放大和信號處理的需求。

5. 高溫穩定性：最大工作溫度可達+150°C，適合在高溫環境下工作。

四、應用

NJW0281G由于其卓越的性能特點，被廣泛應用于以下領域：

1. 音頻放大器：作為高保真音頻放大器的輸出級，NJW0281G能夠提供清晰、無失真的音頻信號放大，是音頻設備中的關鍵元件。

2. 工業控制：在工業自動化設備中，NJW0281G可用于電流放大、信號控制等場景，確保設備穩定運行。

3. 信號處理：在通信、雷達等系統中，NJW0281G可用于高頻信號放大和處理，提高信號質量和傳輸效率。

4. 電源管理：NJW0281G的高功率耗散能力和高電壓承受能力使其成為電源管理電路中的優選元件，能夠確保電源的穩定輸出和系統的可靠運行。

五、參數

NJW0281G的主要參數如下：

• 晶體管類型：NPN

• 最大發射極-基極電壓（VEBO）：5V

• 最大直流集電極電流（Ic）：15A

• 最大工作頻率（fT）：30MHz

• 最大集電極-發射極電壓（VCEO）：250V

• 引腳數目：3引腳（TO-3P封裝）

• 安裝類型：通孔安裝

• 最大集電極-發射極飽和電壓（VCE(sat)）：1V（直流）

• 最大功率耗散（Pd）：150W

• 直流電流增益（hFE）：最大值75（在特定條件下）

• 工作溫度范圍：-65°C至+150°C

• 封裝類型：TO-3P

• 尺寸：15.8 x 5 x 20.1mm

• 配置：單端配置

六、詳細解析

1. 集電極-發射極電壓（VCEO）：
   VCEO是晶體管在集電極開路時，發射極與集電極之間所能承受的最大反向電壓。NJW0281G的VCEO為250V，表明其具有較高的電壓承受能力，適用于高電壓環境。

2. 發射極-基極電壓（VEBO）：
   VEBO是晶體管在基極開路時，發射極與基極之間所能承受的最大反向電壓。NJW0281G的VEBO為5V，這一參數限制了基極與發射極之間的反向電壓，防止晶體管因過電壓而損壞。

3. **直流電流增益

   （hFE）**：直流電流增益（hFE）是衡量BJT放大能力的一個重要參數，它表示在共發射極配置下，集電極電流（Ic）與基極電流（Ib）之間的比值。NJW0281G的hFE最大值為75，這意味著在理想條件下，每增加1mA的基極電流，集電極電流將增加約75mA，體現了其較強的電流放大能力。然而，需要注意的是，hFE的值會隨溫度和偏置電流的變化而有所改變，實際應用中應根據具體情況調整。

七、熱特性與散熱

NJW0281G作為一款高功率耗散的晶體管，其熱管理顯得尤為重要。在高功率應用中，晶體管內部會產生大量熱量，如果不能及時散發出去，將會導致晶體管溫度升高，進而影響其性能和可靠性，甚至造成永久性損壞。

因此，NJW0281G通常采用TO-3P封裝形式，這種封裝提供了較大的散熱面積，并通過金屬底座直接與散熱器相連，有效地將熱量傳遞到外部環境中。此外，用戶在設計電路時還需考慮合理的散熱方案，如使用熱導率高的散熱材料、增加散熱片或風扇等，以確保晶體管能在安全的工作溫度范圍內運行。

八、保護措施

為了確保NJW0281G的穩定運行和延長使用壽命，需要采取一系列保護措施：

1. 過流保護：在電路中設置過流保護電路，當集電極電流超過額定值時，能夠自動切斷或限制電流，防止晶體管因過流而損壞。

2. 過壓保護：通過串聯穩壓二極管或采用其他電壓限制措施，防止發射極-基極或集電極-發射極之間出現過高的反向電壓。

3. 溫度監控：在關鍵部位安裝溫度傳感器，實時監測晶體管的溫度，并在溫度過高時采取降溫措施或切斷電源。

4. 靜電防護：在處理和安裝晶體管時，采取防靜電措施，如佩戴防靜電手環、使用防靜電工作臺等，防止靜電放電對晶體管造成損害。

九、總結

NJW0281G作為ON安森美生產的一款NPN雙極型功率晶體管，以其出色的增益線性度、高功率耗散、高溫穩定性和高頻特性，在音頻放大器、工業控制、信號處理和電源管理等領域得到了廣泛應用。通過深入了解其工作原理、特點、應用以及關鍵參數，我們可以更好地選擇和使用這款晶體管，以滿足各種復雜電子系統的需求。同時，合理的散熱設計和保護措施也是確保NJW0281G穩定運行和延長使用壽命的關鍵。隨著電子技術的不斷發展，NJW0281G及其同類產品將繼續在電子領域發揮重要作用。