德州儀器DRV5013AGQDBZR霍爾效應鎖存器中文資料


德州儀器DRV5013AGQDBZR霍爾效應鎖存器中文資料
德州儀器(Texas Instruments,簡稱TI)的DRV5013AGQDBZR是一款高性能的霍爾效應鎖存器,屬于TI的霍爾效應傳感器系列。該器件通過利用霍爾效應原理來檢測磁場的變化,并將其轉換為數字信號輸出,具有廣泛的應用前景。DRV5013AGQDBZR以其高電壓(高達38V)、高帶寬(30kHz)的特性,在眾多工業和消費電子領域中發揮著重要作用。
廠商名稱:TI德州儀器
元件分類:霍爾效應鎖存器
中文描述: 高電壓(高達38V)、高帶寬(30kHz)霍爾效應鎖存器
英文描述: 2.5V to 38V Hall Effect Latch Sensor
數據手冊:http://www.tongliao8.com/data/k03-24330542-DRV5013AGQDBZR.html
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DRV5013AGQDBZR概述
DRV5013器件是一款斬波穩定霍爾效應傳感器,可提供磁檢測解決方案(在工作溫度范圍內具有出色的靈敏度穩定性和集成保護特性)。
磁場由數字雙極鎖存輸出表示。該集成電路(IC)配有一個灌電流能力達30mA的漏極開路輸出級。該器件具有2.5V至38V的寬工作電壓范圍,反極性保護高達–22V,因此適用于各種工業應用。
針對反向電源條件、負載突降和輸出短路或過流,提供了內部保護功能。
DRV5013AGQDBZR中文參數
制造商:Texas Instruments
產品種類: 霍爾效應鎖存器
類型:Hall Effect Latch
工作電源電流:2.7 mA
最大輸出電流:30 mA
工作點最小值/最大值:3 mT,9 mT
最小/最大釋放點(Brp):-9 mT,-3 mT
工作電源電壓:38 V
最小工作溫度:-40 C
最大工作溫度:+125 C
安裝風格:SMD/SMT
封裝/箱體:SOT-23-3
系列:DRV5013
輸出類型:Open Drain
電源電壓-最大:38 V
電源電壓-最小:2.5 V
DRV5013AGQDBZR引腳圖
工作原理
DRV5013AGQDBZR的工作原理基于霍爾效應。當電流通過置于磁場中的導體時,磁場會在導體兩側產生電勢差,這一現象稱為霍爾效應。DRV5013AGQDBZR內部集成了霍爾元件和信號處理電路,能夠感知外部磁場的變化,并通過內部的邏輯電路將這一變化轉換為數字信號輸出。
具體來說,當外部磁場達到一定強度(稱為工作點BOP)時,DRV5013AGQDBZR的輸出狀態會發生變化,由高電平變為低電平(或相反,取決于具體配置),表示檢測到了磁場。而當磁場強度降低到一定水平(稱為釋放點BRP)時,輸出狀態會恢復到原始狀態。這種雙極鎖存機制確保了輸出信號的穩定性和可靠性,能夠有效抵御磁場噪聲的干擾。
特點
高電壓范圍:DRV5013AGQDBZR支持2.5V至38V的寬工作電壓范圍,使其能夠適應不同電源條件的工業應用。
高帶寬:30kHz的帶寬確保了器件能夠快速響應磁場的變化,適用于需要高速檢測的場合。
反向極性保護:提供高達-22V的反極性保護,增強了器件的抗干擾能力和可靠性。
內部保護功能:針對反向電源條件、負載突降、輸出短路或過流等情況,提供了內部保護功能,進一步提高了器件的可靠性。
數字雙極鎖存輸出:通過數字雙極鎖存機制,確保了輸出信號的穩定性和準確性,有效抵御了磁場噪聲的干擾。
溫度補償:器件具有出色的溫度穩定性,在工作溫度范圍內(-40°C至+125°C)的BOP變化率僅為±10%,確保了測量結果的準確性。
小型封裝:采用SOT-23-3封裝,具有小型化和輕量化的特點,便于在有限的空間內安裝和使用。
應用
DRV5013AGQDBZR因其獨特的性能和廣泛的應用范圍,在多個領域得到了廣泛應用:
電動工具:在電動工具中,DRV5013AGQDBZR可用于檢測電機的轉速和位置,實現精確的電機控制。
流量計:在流量計中,該器件可用于檢測流體的流量變化,通過測量磁場的變化來推算出流量值。
閥和電磁閥狀態檢測:在工業自動化系統中,DRV5013AGQDBZR可用于檢測閥和電磁閥的開關狀態,確保系統的正常運行。
無刷直流電機(BLDC):在無刷直流電機中,該器件可用于實現電機的位置檢測、轉速控制和換向控制,提高電機的運行效率和穩定性。
接近傳感:在接近傳感應用中,DRV5013AGQDBZR可用于檢測物體的接近距離,實現非接觸式測量和開關控制。
轉速計:在轉速計中,該器件可用于測量旋轉物體的轉速,為系統提供實時、準確的轉速信息。
參數
以下是DRV5013AGQDBZR的主要參數:
制造商:Texas Instruments
產品種類:霍爾效應鎖存器
工作電源電流:2.7mA(最大值)
最大輸出電流:30mA
工作點最小值/最大值:3mT, 9mT
最小/最大釋放點(Brp):-9mT, -3mT
工作電源電壓:2.5V至38V
最小/最大工作溫度:-40°C至+125°C
安裝風格:SMD/SMT
封裝/箱體:SOT-23-3
輸出類型:Open Drain
電源電壓-最大:38V
電源電壓-最小:2.5V
引腳數:3
外形尺寸:2.92mm × 2.37mm(SOT-23-3封裝)
結語
德州儀器DRV5013AGQDBZR作為一款高性能的霍爾效應鎖存器,DRV5013AGQDBZR不僅以其卓越的性能參數滿足了多樣化的應用需求,還通過其獨特的設計和優化,進一步提升了系統的整體性能和可靠性。
精準的磁場檢測能力
DRV5013AGQDBZR的磁場檢測能力尤為出色。其工作點(BOP)和釋放點(BRP)的精確控制,使得該器件能夠準確區分磁場的微小變化,從而在各種復雜環境中提供穩定的信號輸出。這種高靈敏度和低誤差的磁場檢測特性,使得DRV5013AGQDBZR成為需要精確位置控制或速度測量的應用領域的理想選擇。
高效的電源管理
在電源管理方面,DRV5013AGQDBZR同樣表現出色。其寬工作電壓范圍(2.5V至38V)不僅支持多種電源系統,還降低了對電源穩壓電路的需求,簡化了系統設計。同時,該器件的低功耗特性(工作電源電流僅為2.7mA最大值)有助于減少系統整體的能耗,延長電池壽命,尤其適用于便攜式或移動設備。
強大的抗干擾能力
為了應對實際應用中可能遇到的復雜電磁環境,DRV5013AGQDBZR采用了多種抗干擾措施。除了內部集成的數字雙極鎖存機制外,該器件還具備反向極性保護、過流保護等安全特性,確保了在極端工作條件下的穩定性和可靠性。此外,DRV5013AGQDBZR的溫度補償功能也進一步提升了其在不同溫度條件下的測量精度和穩定性。
易于集成與使用
DRV5013AGQDBZR的SOT-23-3封裝設計緊湊且易于集成,使得該器件在有限的空間內也能輕松安裝和使用。同時,TI提供了詳盡的數據手冊和應用指南,幫助開發者快速了解器件特性和使用方法,降低了設計門檻和成本。此外,該器件的引腳布局合理且易于焊接,進一步簡化了生產流程。
環保與可持續性
作為一款面向未來的電子產品,DRV5013AGQDBZR在設計和生產過程中充分考慮了環保和可持續性要求。該器件符合RoHS標準(關于限制在電子電氣設備中使用某些有害物質的指令),減少了對環境的潛在危害。同時,其低功耗特性和高可靠性也有助于降低產品的整體能耗和維修成本,符合綠色、低碳的發展趨勢。
展望與總結
隨著物聯網、工業自動化和消費電子等領域的快速發展,對高性能、高可靠性和低功耗的傳感器需求日益增長。DRV5013AGQDBZR作為一款集高性能、寬電壓范圍、高帶寬和強抗干擾能力于一體的霍爾效應鎖存器,無疑將在這些領域發揮重要作用。未來,隨著技術的不斷進步和應用場景的不斷拓展,DRV5013AGQDBZR有望在更多領域實現廣泛應用,為智能化、自動化和綠色化的發展貢獻力量。
總之,德州儀器DRV5013AGQDBZR是一款功能強大、性能卓越的霍爾效應鎖存器。其獨特的設計和優化不僅滿足了多樣化的應用需求,還通過提升系統的整體性能和可靠性,為用戶帶來了更加優質的使用體驗。在未來,我們期待看到更多基于DRV5013AGQDBZR的創新應用和產品誕生,共同推動電子技術的進步和發展。
責任編輯:David
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