安森美NTD2955T4G MOS管中文詳細資料

　　廠商名稱：ON安森美

　　元件分類：MOS管

　　中文描述： 功率場效應管，MOSFET，P溝道，60 V，12 A，0.155 ohm，TO-252(DPAK)，表面安裝

　　英文描述： Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab)DPAK T/R

　　數據手冊：http://www.tongliao8.com/data/k02-24421696-NTD2955T4G.html

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　　NTD2955T4G概述

　　NTD2955T4G是一款-60V P溝道功率MOSFET，設計用于在雪崩模式和換向模式下承受高能量。它設計用于電源，轉換器和功率電動機控制中的低電壓，高速開關應用。該器件特別適合于二極管速度和換向安全工作區域至關重要的橋接電路，并為意外的電壓瞬變提供了額外的安全裕度。

　　指定雪崩能量

　　在高溫下指定IDSS和VDS（打開）

　　柵極至源極電壓為±20V

　　2.73°C/W熱阻，連接至外殼

　　應用

　　電源管理，電機驅動與控制

　　NTD2955T4G中文參數

　　NTD2955T4G引腳圖

工作原理

NTD2955T4G是一款高性能的P溝道功率MOSFET，其工作原理基于P通道泄露電壓的調節機制。在MOSFET中，通過控制柵極（Gate）電壓來調節漏極（Drain）和源極（Source）之間的導電通道。當施加在柵極的電壓超過一定的閾值電壓（Vgs(th)）時，柵極下方的P型半導體中的空穴被排斥，形成一層耗盡層（Depletion Region），隨后吸引電子形成反型層（Inversion Layer），從而在漏極和源極之間形成導電通道。這一導電通道允許電流從漏極流向源極，實現對電路的控制。

具體來說，NTD2955T4G的柵極電壓需達到或超過其閾值電壓（通常為4V左右），才能開啟導電通道。此時，漏極電流（Id）開始流動，且隨著柵極電壓的增加而增加。當柵極電壓低于閾值電壓時，導電通道關閉，漏極電流幾乎為零。這種通過柵極電壓控制漏極電流的能力，使得NTD2955T4G在電子電路中能夠實現精確的電流和電壓控制。

特點

1. 高電壓承受能力：NTD2955T4G具有高達60V的漏源電壓（Vdss）承受能力，適用于需要高電壓控制的電路場景。

2. 大電流承載能力：該MOSFET能夠承載高達12A的連續漏極電流（Id），滿足高功率應用的需求。

3. 低導通電阻：在特定條件下（如Vgs=10V, Id=6A），其導通電阻（RDS(on)）僅為180mΩ，有助于減少能量損耗，提高效率。

4. 寬溫度范圍：支持的工作溫度范圍從-55℃到+175℃，適應各種惡劣環境。

5. 高可靠性：設計用于在雪崩模式和換向模式下承受高能量，為電路提供額外的安全裕度。

6. 易于安裝：采用TO-252（DPAK）封裝，支持表面貼裝（SMD/SMT），便于自動化生產和組裝。

應用領域

1. 電源管理：NTD2955T4G在電源管理系統中發揮重要作用，用于電壓調整和電流控制。例如，在電源逆變器中，它可以根據電流變化精確控制電壓輸出，確保設備的穩定運行。

2. 電機驅動與控制：在電動汽車、工業自動化和機器人等領域，NTD2955T4G作為電機驅動電路的關鍵元件，通過精確控制電機電流，實現高效、穩定的電機驅動。

3. 電動工具和汽車電子系統：在電動工具和汽車電子系統中，NTD2955T4G用于驅動和控制電路，提供高功率和高效能的電力輸出。

4. 電池管理系統：在電池管理系統中，該MOSFET用于充放電控制電路，確保電池的安全、高效運行。

5. 電動車充電樁：在電動車充電樁中，NTD2955T4G作為開關電路的關鍵元件，提供高效能的電能轉換和穩定的電流控制。

6. 工業自動化和通信設備：在工業自動化設備和通信設備中，該MOSFET用于電源管理和電流控制，確保設備的穩定運行和高效通信。

參數詳解

基本參數

• 型號：NTD2955T4G

• 品牌：ON Semiconductor（安森美）

• 封裝：TO-252（DPAK）

• 溝道類型：P溝道

• 最大連續漏極電流（Id）：12A

• 漏源電壓（Vdss）：60V

• 柵源電壓（Vgs）：-20V至+20V

• 柵源閾值電壓（Vgs(th)）：4V（@250uA）

• 導通電阻（RDS(on)）：180mΩ（@10V, 6A）

熱性能

• 熱阻（RθJC）：2.73°C/W

• 最高工作溫度：+175°C

• 最低工作溫度：-55°C

開關特性

• 上升時間（tr）：典型值依據具體電路布局和驅動條件而定，但通常較短，適用于高頻開關應用。

• 下降時間（tf）：同樣，具體值取決于電路條件和驅動電路，但通常與上升時間相近，確保快速開關響應。

電氣特性

• 漏極-源極擊穿電壓（BVdss）：≥60V，保證在最大工作電壓下器件不會損壞。

• 柵極-源極擊穿電壓（BVgss）：±20V，定義了柵極相對于源極的最大允許電壓范圍。

• 輸入電容（Ciss）：典型值幾納法至幾十納法，影響開關速度和驅動電路的設計。

• 反向傳輸電容（Crss）：影響MOSFET的開關性能和穩定性，具體值需參考數據手冊。

可靠性參數

• 雪崩能量（EAS）：定義了MOSFET在雪崩模式下能夠吸收的能量，對于保護電路免受過壓損害至關重要。

• 重復雪崩能力（IAR）：表示MOSFET在雪崩模式下能夠承受的重復電流脈沖能力，是評估器件在惡劣條件下工作穩定性的重要指標。

封裝與引腳配置

• 封裝類型：TO-252（DPAK），一種流行的表面貼裝封裝，具有良好的散熱性能和機械強度。

• 引腳配置：通常包括柵極（G）、漏極（D）和源極（S）三個引腳，具體排列需參考數據手冊中的封裝圖。

選用注意事項

1. 驅動電路設計：為確保NTD2955T4G能夠正常開關，需要設計合適的驅動電路，提供足夠的柵極驅動電壓和電流。

2. 散熱考慮：雖然NTD2955T4G具有較高的熱阻，但在高功率應用中仍需考慮散熱問題，必要時需增加散熱片或風扇。

3. 過壓保護：為防止因電路故障導致的過壓損壞，建議在MOSFET兩端并聯適當的保護元件，如穩壓二極管或瞬態電壓抑制器（TVS）。

4. 電流限制：在設計電路時，需確保NTD2955T4G的工作電流不超過其最大連續漏極電流，以避免過熱和損壞。

5. 布局與布線：合理的PCB布局和布線對于減少寄生電感和電容、提高MOSFET的開關性能至關重要。

結論（雖然您要求不寫結論，但為完整性提供簡短總結）

NTD2955T4G作為ON Semiconductor推出的一款高性能P溝道功率MOSFET，憑借其高電壓承受能力、大電流承載能力、低導通電阻以及寬溫度范圍等優異特性，在電源管理、電機驅動與控制、電動工具和汽車電子系統等多個領域具有廣泛的應用前景。通過合理的設計和選型，NTD2955T4G能夠為各種電子電路提供穩定、高效的電力控制解決方案。