Onsemi NVR5198NLT1G MOS管中文資料

一、引言

Onsemi（安森美）作為半導體行業的領先制造商，其生產的NVR5198NLT1G MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應晶體管）在汽車電子、電源管理、工業控制等領域具有廣泛的應用。本文將詳細介紹NVR5198NLT1G MOS管的型號類型、工作原理、特點、應用以及主要參數，以期為讀者提供全面的了解。

　　廠商名稱：Onsemi

　　元件分類：MOS管

　　中文描述： 功率場效應管,MOSFET,AEC-Q101,N通道,60 V,2.2 A,0.107 ohm,SOT-23,表面安裝

　　英文描述： MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH

　　在線購買：立即購買

　　NVR5198NLT1G概述

　　NVR5198NLT1G是車規級功率MOSFET，60V，155 mΩ，單N溝道，邏輯電平，SOT?23 AEC-Q101認證且具備生產件批準程序(PPAP)功能，適用于汽車應用。

　　特性

　　小尺寸工業標準表面貼裝SOT-23封裝

　　低rDS(on)，可降低傳導損耗并提高效率

　　通過AECQ101認證和PPAP能力

　　符合RoHS標準

　　應用

　　鋰離子電池的平衡

　　負載開關

　　終端產品

　　混合動力汽車/電動汽車

　　汽車信息娛樂系統

　　NVR5198NLT1G中文參數

　　NVR5198NLT1G引腳圖

二、型號類型

NVR5198NLT1G是一款車規級功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應晶體管），具體為N溝道增強型MOSFET。其型號中的“NVR”前綴通常用于表示該產品適用于汽車及其他需要獨特站點和控制變更要求的應用。此外，NVR5198NLT1G通過了AEC-Q101認證，并具備生產件批準程序(PPAP)功能，進一步保證了其在汽車應用中的可靠性和穩定性。

三、工作原理

MOSFET是一種具有絕緣柵的場效應晶體管，其中電壓決定了器件的電導率。NVR5198NLT1G作為N溝道增強型MOSFET，其工作原理主要基于MOS電容的特性。當漏源電壓（VDS）連接在漏極和源極之間時，正電壓施加到漏極，負電壓施加到源極。此時，漏極的PN結是反向偏置的，而源極的PN結是正向偏置的，因此漏極和源極之間不會有任何電流流動。

然而，當正電壓（VGG）施加到柵極端子時，由于靜電引力，P襯底中的少數電荷載流子（電子）將開始積聚在柵極觸點上，從而在兩個n+區域之間形成導電橋。在柵極接觸處積累的自由電子的數量取決于施加的正電壓的強度。施加的電壓越高，由于電子積累而形成的n溝道寬度越大，這最終會增加電導率，并且漏極電流（ID）將開始在源極和漏極之間流動。這就是NVR5198NLT1G作為N溝道增強型MOSFET的基本工作原理。

四、特點

1. 小尺寸工業標準表面貼裝：NVR5198NLT1G采用SOT-23封裝，尺寸小巧，便于在PCB板上進行表面貼裝，提高了設計的靈活性和緊湊性。

2. 低rDS(on)值：漏源導通電阻（rDS(on)）為155mΩ，較低的導通電阻有助于降低傳導損耗并提高電路效率。

3. 寬溫度范圍：支持的工作溫度范圍為-55°C至+150°C，滿足各種惡劣環境下的應用需求。

4. AEC-Q101認證：經過嚴格的汽車級質量認證，確保在汽車電子應用中的高可靠性和耐久性。

5. 符合RoHS標準：產品符合環保要求，無鉛、無鹵、無溴化阻燃劑，符合國際環保法規。

五、應用

NVR5198NLT1G因其優異的性能和可靠性，在汽車領域具有廣泛的應用。主要包括但不限于以下幾個方面：

1. 鋰離子電池的平衡：在電動汽車和混合動力汽車的電池管理系統中，NVR5198NLT1G可用于實現電池單體之間的電壓平衡，確保電池組的整體性能和安全性。

2. 負載開關：在汽車電子控制單元（ECU）和其他電源管理系統中，NVR5198NLT1G可作為負載開關使用，通過控制電路的通斷來實現對負載設備的電源管理。

3. 汽車信息娛樂系統：在車載音響、導航系統等信息娛樂設備中，NVR5198NLT1G可用于電源控制和信號切換，提高系統的整體性能和用戶體驗。

六、主要參數

1. 漏源極擊穿電壓（Vdss）：60V，表示MOSFET在漏極和源極之間能承受的最大電壓。

2. 連續漏極電流（Id）：在25°C時，最大連續漏極電流為2.2A。這是MOSFET在連續工作狀態下允許通過的最大電流。

3. 柵源極閾值電壓（Vgs th）：在25°C時，約為1.5V。這是使MOSFET開始導通所需的最小柵極-源極電壓。

4. **漏源導通電阻

   （Rds(on)）**：155mΩ（典型值，在Vgs=4.5V，Id=1.5A時測量），這一參數決定了MOSFET在導通狀態下的功耗和效率。較低的Rds(on)意味著更低的導通損耗，從而提高了整體電路的效率。

5. 柵極電荷（Qg）：柵極電荷是MOSFET在開關過程中需要充放電的電荷量，它影響了MOSFET的開關速度和功耗。NVR5198NLT1G的柵極電荷相對較低，有助于實現快速開關和降低功耗。

6. 總門極電荷（Qgd）：總門極電荷中的Qgd部分代表了柵極到漏極的電荷，它會影響MOSFET在高頻應用中的性能。較低的Qgd有助于減少在高頻開關過程中產生的電壓尖峰和電磁干擾（EMI）。

7. 開關時間：包括上升時間（tr）和下降時間（tf）。上升時間是從柵極電壓開始增加到MOSFET完全導通所需的時間；下降時間則是從柵極電壓開始降低到MOSFET完全截止所需的時間。NVR5198NLT1G具有較短的開關時間，適用于需要快速響應的應用場景。

8. 最大功耗（Pd）：在給定的工作條件下，MOSFET能夠安全承受的最大功耗。對于NVR5198NLT1G，其最大功耗受限于封裝熱阻和允許的最大結溫。

9. 熱阻（RθJA, RθJC）：熱阻是衡量MOSFET散熱性能的重要參數。RθJA表示從結點到周圍環境的熱阻，而RθJC則表示從結點到封裝外殼的熱阻。這些參數對于評估MOSFET在不同散熱條件下的工作溫度至關重要。

10. 封裝類型：SOT-23，這是一種緊湊且易于安裝的表面貼裝封裝，適合高密度PCB設計。

七、總結與展望

NVR5198NLT1G作為Onsemi推出的一款高性能車規級N溝道增強型MOSFET，憑借其低Rds(on)、高可靠性、寬溫度范圍以及符合AEC-Q101認證等優勢，在汽車電子、電源管理、工業控制等領域展現出廣泛的應用潛力。其小尺寸的表面貼裝封裝也進一步提升了設計的靈活性和緊湊性。

隨著汽車電子化、智能化程度的不斷提升，對功率半導體器件的性能要求也越來越高。NVR5198NLT1G作為一款專為汽車電子設計的MOSFET，不僅滿足了當前的需求，也為未來汽車電子系統的發展提供了有力支持。未來，隨著新能源汽車、自動駕駛等技術的不斷發展，相信NVR5198NLT1G及其同類產品將在更多領域發揮重要作用。

同時，隨著半導體制造工藝的不斷進步，我們也有理由期待Onsemi等半導體制造商能夠推出更多性能更優異、成本更低廉的功率半導體產品，為各行各業的發展提供更加強勁的動力。