在比較DB3雙向觸發二極管和P溝道場效應管（P-MOSFET）哪個應用更廣時，需要從多個維度進行分析。以下是對兩者的應用范圍的詳細比較：

DB3雙向觸發二極管的應用范圍

1. 交流開關電路：DB3雙向觸發二極管具有雙向導通特性，可以在交流電路中實現雙向開關功能，因此常用于交流開關電路中。

2. 保護電路：在電壓超過其轉折電壓時，DB3會迅速導通，從而限制電路中的電壓和電流，起到保護作用。它常被用于過壓保護、過流保護等場合。

3. 馬達控制：由于DB3具有快速響應和高開關頻率的特性，它常被用于高速馬達控制電路中，以實現馬達的高效、穩定運行。

4. 其他應用：DB3還廣泛應用于熒光燈鎮流器、無線電探測器、整流電路等場合。

P溝道場效應管（P-MOSFET）的應用范圍

1. 模擬電路：P-MOSFET在模擬電路中可用作信號放大器、濾波器、振蕩器等元件，其高輸入阻抗和低噪聲特性使其在需要低噪聲性能的電路中表現優異。

2. 數字電路：在數字電路中，P-MOSFET可用作邏輯門電路的組成部分，實現復雜的數字邏輯功能。

3. 電源管理：在電源管理電路中，P-MOSFET可用作開關管或功率管，控制電源的輸出電壓和電流，實現高效的電源管理。

4. 傳感器接口：在傳感器接口電路中，P-MOSFET可用作傳感器信號的放大和轉換元件，提高傳感器的靈敏度和準確性。

5. 射頻電路：在射頻電路中，P-MOSFET可用作射頻開關或衰減器等元件，實現射頻信號的控制和調節。

綜合比較

1. 應用領域多樣性：從應用領域來看，P-MOSFET的應用范圍更為廣泛。它不僅可以用于模擬和數字電路，還可以用于電源管理、傳感器接口和射頻電路等多個領域。而DB3雙向觸發二極管則主要應用于交流開關電路、保護電路和馬達控制等特定場合。

2. 技術成熟度與市場需求：P-MOSFET作為場效應管的一種，其技術成熟度較高，市場需求穩定且持續增長。隨著電子技術的不斷發展，P-MOSFET在各個領域的應用也在不斷拓展和深化。而DB3雙向觸發二極管雖然具有獨特的雙向導通特性，但其應用相對較為局限，市場需求相對較小。

綜上所述，從應用領域多樣性、技術成熟度與市場需求等方面來看，P溝道場效應管（P-MOSFET）的應用范圍更廣。然而，在具體應用中，還需根據具體需求和條件進行綜合考慮和選擇。