關于碳化硅二極管（SiC SBD）和SiC MOSFET哪個更常用的問題，實際上取決于具體的應用場景和需求。兩者都是基于碳化硅（SiC）材料的功率半導體器件，在電力電子領域具有廣泛的應用，但各自具有不同的特性和優勢。

SiC MOSFET以其低電容值、高擊穿電壓、低導通電阻、高系統效率和快速開關速度等特點，在電動汽車、光伏發電、智能電網和軌道交通等領域中發揮著至關重要的作用。特別是在電動汽車中，SiC MOSFET被廣泛應用于電機驅動系統中的逆變器，以提高電機系統的效率和可靠性。此外，SiC MOSFET還適用于高壓直流輸電系統和電力配電，以及工業電源和電機驅動應用。

而SiC二極管（SiC SBD）則以其零反向恢復電流、電阻正溫度系數特性、器件性能受溫度影響小、超高開關速度和超低開關損耗等特點，在高頻和高效率的應用場景中備受青睞。例如，在射頻電路、高速開關電源和無線通信等領域，SiC SBD能夠提供更好的性能和穩定性。此外，SiC SBD還因其良好的溫度穩定性和高耐壓特性而被用于高溫和高壓環境中，如航空航天和軍事電子等領域。

因此，無法一概而論地說哪個器件更常用。在實際應用中，應根據具體需求和場景選擇合適的器件以發揮其最大優勢。例如，在需要高頻率和高效率的應用中，SiC SBD可能更受歡迎；而在需要高耐壓和低導通電阻的應用中，SiC MOSFET則可能更具優勢。

總的來說，SiC MOSFET和SiC SBD都是重要的碳化硅功率半導體器件，各自具有獨特的特性和優勢。隨著技術的不斷進步和應用的不斷拓展，它們將在更多領域發揮更大的作用。