碳化硅二極管芯片相較于硅二極管芯片更耐用。以下是對兩者耐用性的詳細對比：

一、耐高溫性能

• 碳化硅（SiC）二極管：能在高達200°C（甚至更高）的溫度下運行而不影響性能，這得益于其出色的耐高溫特性。

• 硅（Si）二極管：在85°C左右就開始性能下降，無法像SiC二極管那樣在高溫環境下保持穩定。

二、熱導率與散熱能力

• 碳化硅二極管：熱導率幾乎是硅二極管的3.5倍，意味著每單位面積可以耗散更多的功率（熱量），從而提高了器件的耐用性和可靠性。

• 硅二極管：熱導率相對較低，散熱能力不如SiC二極管，可能導致器件在高溫下性能下降或損壞。

三、反向恢復損耗與功率損耗

• 碳化硅二極管：反向恢復損耗幅度較低，可以大大提高功率轉換器的效率。此外，SiC二極管在反向偏壓下會由于其固有電容放電而產生反向電流尖峰，但其峰值仍比P-N結二極管低一個數量級，意味著二極管和相應開關晶體管的功耗都更低。

• 硅二極管：反向恢復損耗較高，且隨著開關頻率的增加而增大。此外，硅二極管在反向偏壓下會產生較大的反向電流尖峰，導致功率損耗增加。

四、耐用性與服務壽命

• 碳化硅二極管：不僅能在惡劣的環境下穩定工作，而且比硅二極管有更長的服務壽命。這意味著在產品整個生命周期內，使用SiC二極管可以減少更換頻率，降低維護成本。

• 硅二極管：耐用性相對較差，可能需要在較短的周期內進行更換或維修。

五、應用領域的廣泛性

• 碳化硅二極管：由于其出色的性能，被廣泛應用于汽車、航空、電動汽車充電器、太陽能逆變器等領域，這些領域通常要求器件具有高溫、高電壓和高功率處理能力。

• 硅二極管：雖然也廣泛應用于各種電子設備中，但在面對高溫、高電壓和高功率等極端條件時，其性能可能不如SiC二極管。

綜上所述，碳化硅二極管芯片在耐高溫性能、熱導率與散熱能力、反向恢復損耗與功率損耗以及耐用性與服務壽命等方面均優于硅二極管芯片。因此，可以認為碳化硅二極管芯片更耐用。