NPN三極管是高電平導通。以下是對其導通條件的詳細解釋：

一、NPN三極管的基本結構

NPN三極管由兩個N型半導體夾一個P型半導體構成。其中，發射極（E）和集電極（C）為N型半導體，基極（B）為P型半導體。

二、NPN三極管的導通條件

1. 發射結正向偏置：為了使NPN三極管導通，需要使發射極（E）相對于基極（B）為正電壓，即VBE > 0.7V（硅材料）。這樣，發射區的電子才能容易地越過發射結進入基區。

2. 集電結反向偏置：同時，集電極（C）相對于基極（B）應為負電壓，以保持集電結的反向偏置狀態。這有助于電子從發射極流向集電極，形成電流放大效應。

三、高電平導通的解釋

當NPN三極管的基極電壓VB高于發射極電壓VE時（且VBE > 0.7V），發射結處于正向偏置狀態，三極管開始導通。此時，從集電極到發射極的電路是通暢的，電流可以從集電極流入到發射極。因此，可以說NPN三極管在高電平（相對于發射極電壓而言）下導通。

四、實際應用中的注意事項

1. 避免深度飽和：在開關電路中，應避免NPN三極管進入深度飽和狀態，以免影響其開關速度。通常可以通過控制基極電流的大小來實現這一點。

2. 散熱問題：在大功率應用中，NPN三極管可能會產生較多的熱量。因此，需要采取適當的散熱措施，以確保三極管能夠長期穩定工作。

綜上所述，NPN三極管是高電平導通的電子器件。在實際應用中，需要根據具體需求和電路設計來選擇合適的控制方式和電路參數。