X7R材質TDK貼片電容的型號列表
來源:
2025-04-16
類別:基礎知識


X7R材質的TDK貼片電容型號列表如下:
型號 | 尺寸 | 電壓 | 容量 | 精度 | 特性 |
---|---|---|---|---|---|
C3225X7R1H106MT000E | 1210 | 50V | 10μF | ±20% | 高容貼片電容 |
C3225X7R1H105KT0A0N | 1210 | 50V | 1μF | ±10% | 高端電容 |
C3225X7R1E225MT000N | 1210 | 25V | 2.2μF | ±20% | 高端電容 |
CGA6M3X7R1H225KT0Y0N | 1210 | 50V | 2.2μF | ±10% | 車規級高端電容 |
CGA6P3X7R1H335KT0Y0N | 1210 | 50V | 3.3μF | ±10% | 車規級高端電容 |
CGA6N3X7S1H475KT0Y0N | 1210 | 50V | 4.7μF | ±10% | 車規級高端電容(X7S材質) |
CGA6P3X7R1H475KT0Y0N | 1210 | 50V | 4.7μF | ±10% | 車規級高端電容 |
C3225X7S1N475KT0Y0S | 1210 | 75V | 4.7μF | - | 高端電容(X7S材質,軟端) |
C3225X7R1E106K250AC | 1210 | 25V | 10μF | ±10% | 高端電容 |
C3225X7R1E106KTJ | 1210 | 25V | 10μF | ±10% | - |
C3225X7R1E475KT | 1210 | 25V | 4.7μF | ±10% | - |
C3225X7R1H105KT | 1210 | 50V | 1μF | ±10% | - |
C3225X7R2A106KT | 1210 | 100V | 10μF | ±10% | - |
C3225X7R2J683KT | 1210 | 630V | 68nF | ±10% | - |
C3216X7R1E106KT | 1206 | 25V | 10μF | ±10% | - |
C3216X7R1E225KT | 1206 | 25V | 2.2μF | ±10% | - |
C4532X7R1C336M | 1812 | 16V | 33μF | ±20% | - |
C4532X7R1E226M | 1812 | 25V | 22μF | ±20% | - |
C5750X7R1H106K | 2220 | 50V | 10μF | ±10% | - |
C5750X7R1E226M | 2220 | 25V | 22μF | ±20% | - |
C3225X7T2W224K | 1210 | 450V | 0.22μF | ±10% | - |
C3225X7T2J104K | 1210 | 630V | 0.1μF | ±10% | - |
C3216X5R1E106KT | 1206 | 25V | 10μF | ±10% | X5R材質 |
C3216X5R1E476MT | 1206 | 25V | 47μF | ±20% | X5R材質 |
命名規則說明
系列名稱:如
C
系列。尺寸:如
1210
表示1210尺寸(3.2mm×2.5mm)。材質:
X7R
表示材質類型。電壓:如
1H
表示50V。容量:如
106
表示10μF。精度:如
K
表示±10%,M
表示±20%。包裝方式:如
T
表示卷帶包裝。
應用領域
電源濾波:適用于DC-DC轉換器、開關電源等。
去耦電容:用于數字電路、模擬電路的去耦。
耦合電容:用于音頻、射頻信號的耦合。
車規級應用:如
CGA6M3X7R1H225KT0Y0N
等型號符合AEC-Q200標準,適用于汽車電子。
注意事項
電壓選擇:根據電路工作電壓選擇合適的額定電壓。
容量精度:根據電路需求選擇±10%或±20%的精度。
溫度特性:X7R材質溫度范圍為-55℃至+125℃,容量變化率±15%。
如需進一步了解具體型號的詳細參數或應用,建議訪問TDK官網或聯系TDK授權代理商。
責任編輯:Pan
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