晶體管能夠放大的外部條件是發射結正偏，集電結反偏。具體分析如下：

發射結正偏

發射結正偏是指晶體管的發射極與基極之間的PN結處于正向偏置狀態。這種偏置方式降低了發射結的勢壘，使得多數載流子（例如，在NPN型晶體管中為電子）能夠更容易地從發射區注入基區。這是實現電流放大的基礎，因為只有足夠的載流子進入基區，才有可能在集電結被收集，形成放大的集電極電流。

集電結反偏

集電結反偏是指晶體管的集電極與基極之間的PN結處于反向偏置狀態。這種偏置方式增大了集電結的耗盡層寬度，形成了一個強電場。這個強電場能夠加速從發射區注入基區并擴散到集電結邊緣的載流子，使它們被迅速拉入集電區，從而構成集電極電流的主要部分。集電結反偏是確保載流子被有效收集、實現電流放大的關鍵條件。

放大原理

在滿足發射結正偏、集電結反偏的條件下，晶體管內部載流子的運動形成放大效應：

• 發射區：高摻雜濃度使得大量載流子（如電子）存在，在正偏發射結的作用下，這些載流子容易注入基區。

• 基區：極薄且低摻雜的特性，使得注入的載流子中只有極小比例（約1-5%）與基區的空穴復合，形成微小的基極電流。大部分載流子（約95-99%）能夠繼續擴散到集電結邊緣。

• 集電區：在反偏集電結強電場的作用下，擴散到集電結邊緣的載流子被迅速拉入集電區，形成集電極電流的主體。

由于集電極電流與基極電流之間存在固定的比例關系（即電流放大系數β），因此通過調整基極電流（輸入信號），就可以在集電極獲得放大的電流輸出。