国产无码黄电影_麻豆av一区二区三区不卡_伦理在线视频免费观看视频_九九热这里只有精品33_亚洲av中文无码乱人伦在线播放_国产成人精品aa毛片久久_成人欧美一区二区三区的电影在线_78精品国产综合久久香蕉_亚洲日本成本人在线观看

0 賣盤信息
BOM詢價
您現(xiàn)在的位置: 首頁 > 電子資訊 >電路圖 > lm74610應(yīng)用電路

lm74610應(yīng)用電路

來源:
2025-05-12
類別:電路圖
eye 18
文章創(chuàng)建人 拍明芯城

LM74610應(yīng)用電路深度解析

一、LM74610概述

LM74610是一款專為汽車及工業(yè)應(yīng)用設(shè)計的零靜態(tài)電流(Zero IQ)智能二極管控制器,可與外部N溝道MOSFET配合使用,實現(xiàn)反極性保護(hù)和OR-ing功能。其核心優(yōu)勢在于不以地為參考,因此靜態(tài)電流為零,且具備快速響應(yīng)反極性、低功耗、高可靠性等特點。LM74610符合AEC-Q100汽車級認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn),并滿足CISPR25 EMI規(guī)范及ISO7637瞬態(tài)要求,廣泛應(yīng)用于ADAS、信息娛樂系統(tǒng)、電動工具、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域。

image.png

二、LM74610應(yīng)用電路核心組件

1. 外部N溝道MOSFET

  • 作用:作為理想二極管的開關(guān)元件,由LM74610驅(qū)動以實現(xiàn)低損耗整流。

  • 選型要點

    • 最大漏極電流(Id):需大于系統(tǒng)最大負(fù)載電流,確保MOSFET在正常工作及過載情況下均能穩(wěn)定運行。

    • 漏源擊穿電壓(Vds):需高于系統(tǒng)最大電壓,并留有一定余量(如20%),以防止瞬態(tài)高壓損壞MOSFET。

    • 柵閾值電壓(Vgs(th)):需與LM74610的柵極驅(qū)動電壓匹配,確保MOSFET能夠可靠導(dǎo)通和關(guān)斷。

    • 導(dǎo)通電阻(Rds(on)):影響正向壓降和功耗,應(yīng)選擇Rds(on)較小的MOSFET以降低損耗。

  • 推薦型號:如AO3400(30V/5.8A/Rds(on)=35mΩ@4.5V),適用于低電流應(yīng)用;或CSD19536KTT(60V/30A/Rds(on)=2.2mΩ@10V),適用于高電流應(yīng)用。

2. 電荷泵電容

  • 作用:為MOSFET的柵極驅(qū)動提供所需的電壓,確保MOSFET能夠完全導(dǎo)通。

  • 選型要點

    • 電容值:建議使用220nF至4.7μF的X7R或COG陶瓷電容,具體值需根據(jù)系統(tǒng)需求和MOSFET特性確定。

    • 電壓額定值:需高于系統(tǒng)最大電壓,并留有一定余量。

    • 布局:應(yīng)遠(yuǎn)離MOSFET,以降低熱耦合效應(yīng),提高電荷泵的穩(wěn)定性。

3. TVS二極管

  • 作用:抑制瞬態(tài)過電壓,保護(hù)后級電路免受損壞。

  • 選型要點

    • 擊穿電壓(Vbr):需高于系統(tǒng)最大工作電壓,但低于MOSFET的Vds,以確保在正常工作電壓下TVS二極管不導(dǎo)通,而在瞬態(tài)過電壓時能夠迅速導(dǎo)通。

    • 鉗位電壓(Vc):需低于后級電路的耐壓值,以防止過電壓損壞后級電路。

    • 功率額定值:需根據(jù)系統(tǒng)可能遇到的瞬態(tài)過電壓能量選擇合適的功率額定值。

  • 推薦型號:如SMF5.0A(5V/8.5A/Vbr=5.8V),適用于低電壓應(yīng)用;或SMAJ58CA(58V/400W/Vbr=64.3V),適用于高電壓應(yīng)用。

三、LM74610典型應(yīng)用電路

1. 反極性保護(hù)電路

  • 電路原理

    • 當(dāng)電源正極正確連接至LM74610的Anode引腳,負(fù)極連接至Cathode引腳時,LM74610驅(qū)動MOSFET導(dǎo)通,為后級電路供電。

    • 當(dāng)電源反接時,LM74610迅速檢測到反極性,并通過Gate Pull Down引腳快速下拉MOSFET的柵極電壓,使MOSFET關(guān)斷,從而切斷反向電流,保護(hù)后級電路。

  • 電路圖


    VIN —+—[TVS D1]—+—[MOSFET Q1]— VOUT

    |            |

    [LM74610]    [C1]

    |            |

    GND          GND
    • VIN:電源輸入端。

    • VOUT:電源輸出端,連接至后級電路。

    • TVS D1:瞬態(tài)電壓抑制二極管,用于抑制瞬態(tài)過電壓。

    • MOSFET Q1:外部N溝道MOSFET,作為理想二極管的開關(guān)元件。

    • C1:電荷泵電容,為MOSFET的柵極驅(qū)動提供電壓。

    • LM74610:智能二極管控制器,負(fù)責(zé)驅(qū)動MOSFET并檢測反極性。

2. OR-ing應(yīng)用電路

  • 電路原理

    • 在冗余電源系統(tǒng)中,當(dāng)兩個或多個電源并聯(lián)供電時,LM74610可替代肖特基二極管,實現(xiàn)OR-ing功能。

    • LM74610通過比較兩個電源的電壓,自動選擇電壓較高的電源為后級電路供電,同時防止電流倒灌至電壓較低的電源。

  • 電路圖


    VIN1 —+—[TVS D1]—+—[MOSFET Q1]— VOUT

    |            |

    VIN2 —+—[TVS D2]—+—[MOSFET Q2]—

    |            |

    [LM74610]    [LM74610]

    |            |

    GND          GND
    • VIN1VIN2:兩個并聯(lián)的電源輸入端。

    • VOUT:電源輸出端,連接至后級電路。

    • TVS D1TVS D2:瞬態(tài)電壓抑制二極管,分別用于抑制VIN1和VIN2的瞬態(tài)過電壓。

    • MOSFET Q1MOSFET Q2:外部N溝道MOSFET,分別由兩個LM74610驅(qū)動,實現(xiàn)OR-ing功能。

    • LM74610:智能二極管控制器,負(fù)責(zé)驅(qū)動MOSFET并比較兩個電源的電壓。

四、LM74610應(yīng)用電路設(shè)計要點

1. PCB布局建議

  • 電荷泵電容布局:電荷泵電容應(yīng)遠(yuǎn)離MOSFET,以降低熱耦合效應(yīng)。同時,電容的走線應(yīng)盡可能短且寬,以減少寄生電感。

  • 柵極驅(qū)動走線:LM74610的Gate Drive引腳到MOSFET柵極的走線應(yīng)盡可能短且寬,以減少寄生電感和電阻,確保柵極驅(qū)動信號的快速響應(yīng)。

  • 旁路電容布局:VIN端子應(yīng)使用低ESR陶瓷旁路電容(如10μF/16V),并盡可能靠近LM74610的VIN引腳,以抑制電源噪聲。

  • 散熱設(shè)計:MOSFET在工作過程中會產(chǎn)生熱量,因此應(yīng)在MOSFET下方增加散熱焊盤,并必要時使用散熱片,以提高散熱效率。

2. 電源濾波設(shè)計

  • 輸入濾波:在VIN端子前可添加LC濾波電路,以抑制電源中的高頻噪聲和紋波。濾波電路可由電感(L)和電容(C)組成,形成低通濾波器。

  • 輸出濾波:在VOUT端子后也可添加濾波電路,以進(jìn)一步平滑輸出電壓,減少紋波和噪聲。

3. 保護(hù)電路設(shè)計

  • 過流保護(hù):可在電路中添加電流檢測電阻和比較器,當(dāng)電流超過設(shè)定值時,比較器輸出信號至LM74610的使能引腳(如可用),或直接控制MOSFET的柵極,以實現(xiàn)過流保護(hù)。

  • 過溫保護(hù):可在MOSFET附近添加熱敏電阻或溫度傳感器,當(dāng)溫度超過設(shè)定值時,觸發(fā)保護(hù)機制,如關(guān)閉MOSFET或降低其驅(qū)動能力。

4. 電磁兼容性(EMC)設(shè)計

  • 接地設(shè)計:良好的接地設(shè)計是確保電路電磁兼容性的關(guān)鍵。應(yīng)確保所有地線盡可能短且寬,并避免形成地環(huán)路。

  • 屏蔽設(shè)計:對于敏感電路或高速信號線,可采用屏蔽罩或屏蔽線進(jìn)行屏蔽,以減少電磁干擾。

  • 濾波設(shè)計:在電路的輸入和輸出端添加濾波電路,以抑制電磁干擾的傳導(dǎo)和輻射。

五、LM74610應(yīng)用電路調(diào)試與測試

1. 調(diào)試步驟

  • 上電前檢查:檢查電路連接是否正確,確保無短路或開路現(xiàn)象。同時,檢查所有元件的型號和參數(shù)是否符合設(shè)計要求。

  • 上電測試:緩慢上電,觀察電路的工作狀態(tài)。使用萬用表或示波器測量關(guān)鍵節(jié)點的電壓和電流,確保其在正常范圍內(nèi)。

  • 功能測試:測試電路的反極性保護(hù)功能和OR-ing功能是否正常。可通過模擬反極性輸入或切換電源輸入來驗證電路的功能。

  • 性能測試:測試電路在不同負(fù)載和溫度條件下的性能表現(xiàn),如正向壓降、反向恢復(fù)時間、靜態(tài)電流等。

2. 常見問題及解決方案

  • MOSFET發(fā)熱嚴(yán)重:可能是由于MOSFET選型不當(dāng)(如Rds(on)過大)或散熱設(shè)計不良導(dǎo)致。可重新選型MOSFET或優(yōu)化散熱設(shè)計。

  • 反極性保護(hù)失效:可能是由于LM74610檢測反極性的閾值設(shè)置不當(dāng)或Gate Pull Down引腳的下拉能力不足導(dǎo)致。可調(diào)整LM74610的閾值或增強Gate Pull Down引腳的下拉能力。

  • OR-ing功能異常:可能是由于兩個LM74610之間的比較閾值不一致或MOSFET的導(dǎo)通特性差異導(dǎo)致。可校準(zhǔn)LM74610的比較閾值或選擇導(dǎo)通特性一致的MOSFET。

六、LM74610應(yīng)用電路優(yōu)化與改進(jìn)

1. 降低功耗

  • 優(yōu)化MOSFET選型:選擇Rds(on)更小的MOSFET,以降低正向壓降和功耗。

  • 優(yōu)化電荷泵設(shè)計:通過調(diào)整電荷泵電容的值和布局,提高電荷泵的效率,減少功耗。

2. 提高可靠性

  • 加強保護(hù)電路:增加過流保護(hù)、過溫保護(hù)等保護(hù)電路,提高電路的可靠性。

  • 優(yōu)化散熱設(shè)計:通過增加散熱焊盤、使用散熱片或風(fēng)扇等方式,提高M(jìn)OSFET的散熱效率,防止其因過熱而損壞。

3. 減小體積

  • 選用小型化元件:選擇封裝尺寸更小的MOSFET、電容和TVS二極管等元件,以減小電路板的體積。

  • 優(yōu)化PCB布局:通過合理的PCB布局和布線,減少電路板的面積和層數(shù)。

七、LM74610應(yīng)用電路在不同領(lǐng)域的應(yīng)用案例

1. 汽車電子領(lǐng)域

  • ADAS系統(tǒng):在ADAS系統(tǒng)中,LM74610可用于保護(hù)攝像頭、雷達(dá)等傳感器免受反接損壞。通過優(yōu)化PCB布局和散熱設(shè)計,可確保電路在高溫、高濕等惡劣環(huán)境下穩(wěn)定工作。

  • 信息娛樂系統(tǒng):在信息娛樂系統(tǒng)中,LM74610可用于保護(hù)車載娛樂設(shè)備在電源反接時安全運行。通過增加過流保護(hù)和過溫保護(hù)等電路,可提高系統(tǒng)的可靠性和安全性。

2. 工業(yè)控制領(lǐng)域

  • 電動工具:在電動工具中,LM74610可用于防止反接導(dǎo)致的電機損壞。通過優(yōu)化MOSFET選型和電荷泵設(shè)計,可降低功耗并提高效率。

  • 傳輸控制單元(TCU):在TCU中,LM74610可用于保護(hù)通信模塊在復(fù)雜電磁環(huán)境下的穩(wěn)定性。通過加強EMC設(shè)計和濾波設(shè)計,可減少電磁干擾對通信模塊的影響。

3. 新能源領(lǐng)域

  • 儲能系統(tǒng):在儲能系統(tǒng)中,LM74610可用于電池組并聯(lián)時的OR-ing功能,避免電流倒灌。通過優(yōu)化保護(hù)電路和散熱設(shè)計,可提高系統(tǒng)的安全性和可靠性。

  • 太陽能逆變器:在太陽能逆變器中,LM74610可用于保護(hù)逆變器在電源反接或瞬態(tài)過電壓時的安全運行。通過增加輸入濾波和輸出濾波電路,可提高逆變器的輸出質(zhì)量和穩(wěn)定性。

八、LM74610應(yīng)用電路的發(fā)展趨勢

1. 集成化趨勢

  • 將MOSFET與控制器集成:未來,LM74610可能會將MOSFET與控制器集成在一起,形成更小、更高效的解決方案。這將有助于減小電路板的體積和成本,并提高系統(tǒng)的可靠性。

  • 增加更多功能:集成化的LM74610可能會增加更多功能,如電流檢測、溫度檢測、故障診斷等,以滿足更復(fù)雜的應(yīng)用需求。

2. 智能化趨勢

  • 增加智能控制算法:未來,LM74610可能會引入更智能的控制算法,如自適應(yīng)柵極驅(qū)動、動態(tài)功耗管理等,以優(yōu)化電路的性能和效率。

  • 實現(xiàn)遠(yuǎn)程監(jiān)控和故障診斷:通過集成通信接口和智能算法,LM74610可能實現(xiàn)遠(yuǎn)程監(jiān)控和故障診斷功能,方便用戶對電路進(jìn)行實時監(jiān)控和維護(hù)。

3. 高壓化趨勢

  • 支持更高輸入電壓:隨著新能源、電動汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展,對電源管理芯片的需求也越來越高。未來,LM74610可能會支持更高的輸入電壓(如60V以上),以滿足這些領(lǐng)域的應(yīng)用需求。

  • 提高耐壓等級:同時,為了提高電路的可靠性和安全性,LM74610的耐壓等級也可能會不斷提高。

九、總結(jié)

LM74610作為一款專為汽車及工業(yè)應(yīng)用設(shè)計的零靜態(tài)電流智能二極管控制器,在反極性保護(hù)和OR-ing應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢。通過合理選型外部MOSFET、電荷泵電容和TVS二極管等元件,并遵循PCB布局、電源濾波、保護(hù)電路和電磁兼容性等設(shè)計要點,可設(shè)計出高性能、高可靠性的LM74610應(yīng)用電路。未來,隨著技術(shù)的不斷演進(jìn)和應(yīng)用需求的不斷提高,LM74610應(yīng)用電路將朝著集成化、智能化和高壓化等方向發(fā)展,為汽車電子、工業(yè)控制、新能源等領(lǐng)域提供更優(yōu)質(zhì)、更高效的電源管理解決方案。


責(zé)任編輯:David

【免責(zé)聲明】

1、本文內(nèi)容、數(shù)據(jù)、圖表等來源于網(wǎng)絡(luò)引用或其他公開資料,版權(quán)歸屬原作者、原發(fā)表出處。若版權(quán)所有方對本文的引用持有異議,請聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方將及時處理。

2、本文的引用僅供讀者交流學(xué)習(xí)使用,不涉及商業(yè)目的。

3、本文內(nèi)容僅代表作者觀點,拍明芯城不對內(nèi)容的準(zhǔn)確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為,是基于自主意愿和獨立判斷做出的,請讀者明確相關(guān)結(jié)果。

4、如需轉(zhuǎn)載本方擁有版權(quán)的文章,請聯(lián)系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“轉(zhuǎn)載原因”。未經(jīng)允許私自轉(zhuǎn)載拍明芯城將保留追究其法律責(zé)任的權(quán)利。

拍明芯城擁有對此聲明的最終解釋權(quán)。

標(biāo)簽: lm74610

相關(guān)資訊

資訊推薦
云母電容公司_云母電容生產(chǎn)廠商

云母電容公司_云母電容生產(chǎn)廠商

開關(guān)三極管13007的規(guī)格參數(shù)、引腳圖、開關(guān)電源電路圖?三極管13007可以用什么型號替代?

開關(guān)三極管13007的規(guī)格參數(shù)、引腳圖、開關(guān)電源電路圖?三極管13007可以用什么型號替代?

74ls74中文資料匯總(74ls74引腳圖及功能_內(nèi)部結(jié)構(gòu)及應(yīng)用電路)

74ls74中文資料匯總(74ls74引腳圖及功能_內(nèi)部結(jié)構(gòu)及應(yīng)用電路)

芯片lm2596s開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器的中文資料_引腳圖及功能_內(nèi)部結(jié)構(gòu)及原理圖_電路圖及封裝

芯片lm2596s開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器的中文資料_引腳圖及功能_內(nèi)部結(jié)構(gòu)及原理圖_電路圖及封裝

芯片UA741運算放大器的資料及參數(shù)_引腳圖及功能_電路原理圖?ua741運算放大器的替代型號有哪些?

芯片UA741運算放大器的資料及參數(shù)_引腳圖及功能_電路原理圖?ua741運算放大器的替代型號有哪些?

28nm光刻機卡住“02專項”——對于督工部分觀點的批判(睡前消息353期)

28nm光刻機卡住“02專項”——對于督工部分觀點的批判(睡前消息353期)

拍明芯城微信圖標(biāo)

各大手機應(yīng)用商城搜索“拍明芯城”

下載客戶端,隨時隨地買賣元器件!

拍明芯城公眾號
拍明芯城抖音
拍明芯城b站
拍明芯城頭條
拍明芯城微博
拍明芯城視頻號
拍明
廣告
恒捷廣告
廣告
深亞廣告
廣告
原廠直供
廣告