一、TB67H450FNG概述

TB67H450FNG是一款由東芝（Toshiba）公司推出的高性能雙通道步進電機驅動器集成電路，主要面向對精密控制和高效節能有較高要求的應用場景，例如3D打印機、CNC雕刻機、自動化機械以及機器人系統等。該芯片采用先進的CMOS工藝制造，內置高性能的步進電機驅動模塊，支持單極橋和雙極橋輸出模式，可驅動最大電機電流高達4.0A（峰值）和2.0A（持續）。它集成了多種保護功能，包括過電流保護（OCP）、過熱保護（OTP）、欠壓鎖定（UVLO）以及電源消除功能等，保證了在各種惡劣環境下工作的可靠性與穩定性。

從芯片封裝形式來看，TB67H450FNG采用了緊湊的48引腳HTSSOP封裝（7.8mm × 6.2mm），在減少PCB空間占用的同時兼顧了良好的散熱性能。為了滿足高功率驅動功率MOSFET的需求，芯片內部采用了專用的散熱片設計，使得在大電流輸出時能夠更好地將熱量傳導至外部環境。此外，其引腳排列在物理布局上也經過優化，方便工程師進行PCB布局設計，降低了EMI輻射。

針對步進電機驅動的需求，TB67H450FNG支持多種細分驅動模式，包括全步進（Full-Step）、半步進（Half-Step）以及最大1/16細分模式。通過配置外部電阻或寄存器，可靈活調節細分參數，實現更平滑的電機運動和更精細的步距定位。與此同時，該芯片還在電流控制方面引入了自適應PWM（PWM Current Control）算法，能夠在保證輸出效率的同時將電流波形優化至接近正弦波形，從而降低振動和噪聲，提高系統整體性能。基于這些特性，TB67H450FNG在中小功率步進電機驅動市場上得到了廣泛的應用，也成為多家OEM/ODM廠商進行運動控制方案設計時的首選器件之一。

二、主要特性

TB67H450FNG憑借其一系列先進特性，在步進電機控制領域形成了明顯的差異化競爭優勢。以下列舉了該芯片的核心特性，方便設計工程師從功能需求、性能指標以及系統可靠性方面進行全面評估。

• 高電流輸出能力
  TB67H450FNG的每通道驅動輸出電流最高可達4.0A（峰值）和2.0A（連續）。這使得它能夠勝任驅動中小型步進電機的任務，滿足常見工業自動化設備、3D打印機以及智能家居領域對較大動力和精細控制的雙重需求。高電流輸出源自于芯片內部高效能MOSFET，并配合優化的自適應PWM電流控制算法，使得電機在低速運行或啟動/停止過程中依然保持穩定的扭矩輸出。

• 寬范圍電源電壓支持
  芯片的工作電源電壓范圍為10V至50V，可滿足絕大多數24V、36V、48V等工業標準電源的需求。同時，為了兼容更高電源電壓場景，TB67H450FNG在輸入電壓端集成了過壓防護和欠壓鎖定（UVLO）功能，確保在輸入電壓異常時能夠安全切斷輸出，避免對電機和驅動器帶來不可逆的損害。

• 多種細分驅動模式
  細分模式對步進電機的平滑度和定位精度至關重要。TB67H450FNG內置七級細分設置，包括全步、半步、1/4細分、1/8細分、1/16細分以及外部配置方式，可通過MODE引腳組合或寄存器編程靈活切換。從而可根據設備對分辨率和速度的要求，靈活選擇合適的細分方式，以最小的振動和噪聲獲得最優運動表現。

• 高效PWM電流控制
  該芯片采用了自適應PWM（Pulse Width Modulation）電流控制技術，能夠將步進電機繞組電流波形近似為正弦波形，降低諧波成分對電機運行的影響。同時，PWM頻率可調節，從而在不同電機、負載環境下找到理想的電流采樣頻率，有效減少功率耗散，提升功率轉換效率并降低芯片及電機溫升。

• 內置多項保護功能
  為了保證系統可靠性，TB67H450FNG除了具有過電流保護（OCP）和欠壓鎖定（UVLO）功能外，還集成了過熱保護（OTP）功能。當芯片結溫超過設定閾值時，內部溫度檢測電路會自動限制輸出或停止驅動，等待溫度恢復正常后才重新啟動。此外，短路保護（SCP）和電機纏繞故障檢測功能同樣被內置在芯片中，這些保護機制可在外部單板系統出現短路或電機線圈異常時及時響應，防止系統損壞。

• 低靜態電流消耗
  在步進電機停轉或空閑狀態時，TB67H450FNG的靜態電流消耗極低，僅數毫安級。這對于長時間待機或低功耗應用場景尤為重要，可以在無人使用或維護期間最大限度地節省能源，降低系統散熱需求。

• 靈活的接口與配置方式
  芯片提供多種引腳配置和數字接口，用戶可以通過MODE引腳、EN引腳、DIR/STEP輸入等方式對細分模式、使能/禁能狀態、電機轉動方向以及步進脈沖進行輕松控制。此外，還支持SPI/I2C等串行編程接口，可以實現更為靈活、可編程化的配置，配合MCU或FPGA實現高階運動控制算法。

三、內部結構與工作原理

為了全面理解TB67H450FNG的工作機制，我們需要從其內部結構模塊及電路拓撲開始分析。該芯片整體可分為邏輯控制模塊、電流采樣與PWM調節模塊、功率輸出橋模塊和保護電路模塊四大部分。

1. 邏輯控制模塊
   邏輯控制模塊是芯片的“大腦”，負責接收外部STEP、DIR等脈沖信號，將步進指令翻譯為相應的線圈驅動序列。此外，當采用SPI/I2C接口進行編程時，邏輯模塊還會解析來自MCU的寄存器寫入指令，設置細分等級、電流限流值以及保護參數。該模塊還負責在過流、過熱等異常狀態下生成保護指令，將其傳遞給功率輸出橋和電流采樣模塊，觸發相應的關閉或限流操作。

2. 電流采樣與PWM調節模塊
   步進電機驅動器的電流控制核心在于精準采樣線圈電流并進行PWM調節。TB67H450FNG內部集成了高精度的電流檢測電路，通過將外部電流取樣電阻（RSENSE）上的電壓信號輸入到內部比較器，實現對線圈電流的實時監測。當檢測到線圈電流達到預設限流閾值時，PWM調節模塊會立即關閉對應的MOSFET，直至電流降至設定值以下，再重新開啟MOSFET。通過如此高頻的開關調節，使得線圈電流保持在恒定值附近。為實現近似正弦波形的驅動效果，芯片內部預先設計了電流波形表（Lookup Table），邏輯控制模塊會根據細分等級和當前步序索引，輸出對應的PWM占空比指令，從而實現平滑的電流波形控制。

3. 功率輸出橋模塊
   TB67H450FNG采用兩組全橋驅動輸出，每個橋臂由高側MOSFET和低側MOSFET組成。內部MOSFET的RDS(on)非常低，一般在0.3Ω以內（典型值約0.25Ω），以減少驅動損耗和提高輸出效率。為了應對因大電流開關帶來的尖峰電壓問題，芯片還在輸出端集成了跨接二極管（Body Diode）以及肖特基保護電路，以防止電機反電勢對芯片造成損傷。此外，功率輸出橋采用了一種漸進式驅動方式，使得在MOSFET開關過程中避免出現瞬時大電流沖擊，提高系統抗干擾能力。

4. 保護電路模塊
   在實際應用中，步進電機驅動往往需要面對復雜的運行環境，例如機械卡滯、過載沖擊、線路短路等。為了讓系統具備自我保護能力，TB67H450FNG內置了多重保護電路，包括：

• 過流保護（OCP）：當檢測到單個橋臂電流或整體驅動電流超過設定閾值時，立即關閉對應輸出或整個輸出橋。保護機制通過延遲計時來判斷是瞬態沖擊還是持續過載，并根據設置值選擇重試次數或鎖定輸出。

• 過熱保護（OTP）：通過內部溫度傳感器實時監測芯片結溫，當溫度超過安全閾值時，芯片自動進入停機或限流狀態，待溫度降低后再進行恢復。該功能可以有效阻止因散熱不良導致的芯片損壞。

• 欠壓鎖定（UVLO）與過壓保護（OVP）：當電源電壓低于某一設定值時，芯片處于鎖定狀態，VB端口電壓恢復到正常范圍后方可重新啟動；當電源高于安全上限時，芯片也會停止工作，防止器件擊穿或電機異常運行。

• 短路保護（SCP）：當輸出端短路到地或短接時，會立即關斷對應橋臂并在周期結束后再次嘗試加電。若多次嘗試仍未解除短路，則進入鎖定狀態，需人工干預才可恢復。

通過上述四大模塊的協同工作，TB67H450FNG既能實現對步進電機的高精度電流控制與平滑驅動，又能在異常發生時及時響應并采取保護措施，以確保整機的長期穩定運行。

四、引腳功能及描述

TB67H450FNG采用48引腳HTSSOP封裝，其引腳排列緊湊且布局合理。以下以引腳號順序，結合功能進行詳細說明，并附上主要引腳的電氣特點與建議接法。

1. 電源與地引腳

• VB（引腳1、2）：主電源輸入引腳，用于為功率輸出橋及內部邏輯模塊供電。允許輸入電壓范圍為10V至50V。建議在VB引腳與GND之間并聯足夠容量的高頻去耦電容（如47μF/100V固態電容），以抑制輸入側開關瞬態。

• VREF（引腳3）：內部電流檢測基準電壓輸出，一般輸出為0.5V或0.75V，具體參考數據手冊。用戶通過連接到外部電流取樣電阻（RSENSE），將此電壓與RSENSE上的壓降進行比較，實現線圈電流采樣。該引腳可驅動較低阻值電阻網絡，因此在布局時應盡量將VREF與RSENSE布線短而粗，以降低噪聲干擾。

• VCCA（引腳4、5）：邏輯電源引腳，一般接5V或3.3V電源，視具體系統電壓而定。該電壓為內部邏輯控制模塊提供工作電壓，建議使用低噪聲LDO穩壓器進行供電。VCCA與VREF共用同一穩壓源，可節省PCB面積，但需確保穩壓器地線對于ADC及參考電壓線路無干擾。

• GND（引腳6、7、24、25）：芯片地引腳，分為功率地（PGND）和邏輯地（AGND）兩種。建議在布局時將AGND與PGND分開，通過單點接地技術連接到系統主地，以降低功率開關噪聲對邏輯控制的影響。對于大電流回路，應盡量縮短GND回路長度，并在PGND與PCB地平面之間設置合適的銅箔增強散熱。

2. 數字控制引腳

• STEP_A/STEP_B（引腳8、9）：步進脈沖輸入引腳，用于接收外部MCU/FPGA輸出的脈沖信號，每個上升沿觸發一次電機步進動作。此引腳要求脈沖寬度滿足最小脈寬要求（如≥0.5μs），否則可能漏步或無法正常驅動。具有內部上拉電阻，可直接與3.3V或5V邏輯電平兼容。

• DIR_A/DIR_B（引腳10、11）：電機轉動方向控制引腳，高電平或低電平分別對應不同旋轉方向。切換方向時，需確保STEP脈沖此時保持穩定以避免產生錯誤步進。一般建議在改變DIR信號后延遲10μs以上再發送下一步STEP脈沖，以便內部邏輯穩定。

• MODE1/MODE2/MODE3（引腳12、13、14）：細分模式選擇引腳，通過不同的組合電平設置來實現全步、半步、1/4、1/8、1/16等多種細分模式。具體引腳電平對應關系應參考數據手冊中的表格，不同版本可能有所差異。為了兼顧靈活性，板級設計時可在MODE引腳處加上撥碼開關或跳線，方便現場調試。

• EN_A/EN_B（引腳15、16）：使能控制引腳，用于開啟或禁用相應通道的輸出。當EN引腳為低電平或高電平（取決于芯片規格）時，通道輸出橋處于禁能狀態，電機線圈斷電，可實現快速急停功能。建議在對電機執行急停或需要強制復位時，通過拉低EN引腳實現斷電保護。

• nSLEEP（引腳17）：睡眠模式控制引腳，當nSLEEP為低電平時，芯片進入低功耗睡眠狀態，所有輸出均被禁用，內部邏輯僅保留喚醒功能。該功能可用于長時間待機或低功耗場景，以降低靜態電流消耗。

• nRESET（引腳18）：復位控制引腳，高電平時芯片正常工作，低電平時內部邏輯復位，輸出橋關閉。退出復位后，芯片重新按照配置的細分模式 startup，恢復正常驅動。通常建議在系統上電或出現未知錯誤時，通過nRESET觸發一次硬件復位。

3. 電流檢測與反饋引腳

• ISEN_A/ISEN_B（引腳19、20）：電流檢測輸入引腳，通過外部取樣電阻（RSENSE）將線圈電流轉換為電壓信號輸入到芯片。當ISEN引腳電壓達到由內部寄存器或外部參考電壓設定的限流閾值時，PWM調節模塊開始保護動作。由于此處信號電壓較低（數百毫伏至數毫伏量級），布局時需使用短且粗的走線，并在RSENSE兩端加布旁路電容以濾除高頻尖峰。

4. 功率輸出引腳

• AOUT1/AOUT2/AOUT3/AOUT4（引腳21、22、23、26、27、28、29、30）：四個功率輸出引腳，用于連接電機繞組。其中AOUT1與AOUT2為通道A的輸出橋；AOUT3與AOUT4為通道B的輸出橋。輸出引腳上可直接焊接高電流連接器或配合大銅厚度導線，以保證在4.0A高電流輸出時線纜發熱和壓降最小。此外，為減小EMI和振鈴，建議在每個輸出引腳與電機線圈之間并聯合適的RC或LC濾波網絡。

5. 保護與狀態指示引腳

• ERR（引腳31）：故障指示輸出口，當芯片進入過流、過熱、欠壓或短路等保護狀態時，ERR引腳會拉低或拉高（具體電平極性需參考數據手冊），通知主控MCU或外部監控電路當前芯片處于異常狀態。ERR引腳具有開漏輸出特性，需要外部上拉電阻進行拉高，以實現邏輯告警。

• ADJ1/ADJ2（引腳32、33）：可編程限流電壓調節引腳，通過外部電阻網絡或串聯電阻與電容的濾波電路，可設置線圈電流的上限。不同的外部電阻值對應不同的電流限流閾值，用于靈活調整輸出電流大小，滿足不同電機規格的需求。

• TS（引腳34）：內部溫度感測引腳，用于監測芯片結溫。當溫度超過設定閾值時，芯片觸發過熱保護，應對散熱不足或環境溫度過高的問題。工程師可將TS引腳與外部ADC相連，對芯片溫度進行監控，并采取主動降載或風扇控制等輔助散熱措施。

6. 備用與保留引腳
   剩余引腳多為保留或內部測試使用，不建議在用戶設計中連接，以免影響正常信號或導致芯片誤操作。用戶在走線時應將這些引腳懸空或按照制造商建議連接至GND/NC（未連接），并避免與噪聲源或大電流回路過近。

通過上述細致的引腳描述，設計工程師在進行PCB布局時可有效避免相互干擾，并為高可靠性應用留下足夠的留白空間和散熱空間。例如，將大面積銅箔層用于VB與PGND放置，以利于散熱；并在邏輯引腳附近保持充足的去耦電容布局區域，確保芯片在高速PWM開關時邏輯穩定。

五、典型電氣特性與規格

TB67H450FNG的數據手冊中對其電氣特性進行了詳盡列舉，為系統選型和設計留出了充分依據。以下節選其中常用且具有指導意義的參數，并給出典型值與測試條件，幫助工程師做初步評估。

1. 工作電壓范圍

• 主電源電壓（VB）：10V ≤ VB ≤ 50V
  在10V以下時，芯片進入欠壓鎖定狀態；在50V以上時，過壓保護觸發。

• 邏輯電源電壓（VCCA）：4.5V ≤ VCCA ≤ 5.5V（某些版本可支持3.3V）
  保證數字輸入脈沖兼容性以及內部邏輯穩定。

2. 電流輸出能力

• 峰值輸出電流：最大4.0A／通道（短時，典型環境下約20ms）

• 持續輸出電流：最大2.0A／通道（需配合良好散熱）
  在長時間2.0A運行下，芯片結溫會上升至臨界值時會自動限流或降載，建議在大于1.5A時考慮外部散熱片或風扇輔助降溫。

3. 導通電阻（RDS(on)）

• 高側MOSFET典型值：0.25Ω

• 低側MOSFET典型值：0.25Ω
  低導通電阻能夠有效降低功耗及發熱。測量條件一般為Tj = 25℃，VGS = 10V 的情況下。

4. 電流檢測電阻與限流閾值

• 內部參考電壓（VREF）：0.5V（典型）或0.75V（某些版本）

• 外部取樣電阻（RSENSE）：典型值 0.1Ω
  限流值可通過公式 I_LIM = VREF / RSENSE 得出。若VREF = 0.5V，RSENSE = 0.1Ω，則限流電流約為 5A。鑒于芯片峰值僅支持4A，建議在該配置下取樣電阻增大至0.125Ω或更高，使限流電流設置為適當值（例如4A）。

5. PWM頻率范圍

• 典型PWM切換頻率：20kHz 至 100kHz 可調

• 頻率調整方式：通過MODE引腳組合或寄存器編程設定，配合外部電容可進一步鎖定頻率。
  較高PWM頻率雖然有助于降低電機噪音，但會增加芯片及電機線圈的開關損耗；較低頻率則可能產生明顯的振動。工程師可在測試階段根據電機特性和散熱能力進行優化選擇。

6. 過溫保護閾值

• 芯片結溫限值：約150℃（典型）
  當內部溫度傳感器檢測到結溫超過此值時，芯片將觸發OTP保護，將輸出切換至限流或關閉狀態，直至溫度下降至約135℃再自動恢復。

7. 欠壓與過壓保護閾值

• 欠壓鎖定電壓（UVLO）：約8.5V（典型）
  當VB跌落至該電壓以下時，芯片被禁能，直到VB回升到約10V后才能恢復正常驅動。

• 過壓保護電壓（OVP）：約53V（典型）
  當VB高于該值時，芯片立即停止輸出，以防止大電容對芯片造成沖擊。

8. 靜態電流消耗

• 靜態待機電流：典型值約3mA

• 休眠模式（nSLEEP=低）下靜態電流：典型值約0.1mA
  這樣的低功耗特性在中斷待機或休眠場景時非常有利，有效降低整機功耗。

9. 故障指示與延時

• 過流保護觸發延遲時間：約3μs（典型）

• 欠壓保護重啟延遲：約100μs

• 溫度恢復延遲：約1ms
  這些延時指標決定了在異常情況下芯片的響應速度和復位時序設計，應結合系統動態需求進行考慮。

通過以上典型電氣特性表，設計人員可在選型階段迅速評估TB67H450FNG是否滿足系統對驅動能力、電源兼容性、散熱需求以及保護性能的要求。同時，還可以結合數據手冊中更詳細的時序圖、電流采樣波形圖及熱阻模型圖，對PCB布局、散熱器設計以及驅動參數設置進行進一步優化。

六、保護功能

在現代嵌入式運動控制領域，安全性與可靠性同樣被視為至關重要的指標。TB67H450FNG集成了多種內置保護機制，能夠在各種異常情況下對芯片本身以及所驅動的步進電機提供及時的護理與告警，這些保護功能包括但不限于以下幾項。

1. 過流保護（OCP, Over Current Protection）
   過流保護作為最基礎的保護功能，當任一橋臂的電流超過設定閾值時，芯片內部電流采樣電路會檢測到異常并立即關閉對應MOSFET，以防止大電流燒毀功率管或電機線圈。該功能具有設定延遲時間（約3μs），用以屏蔽瞬態浪涌或干擾脈沖。若在延遲時間結束后電流仍未下降，芯片將保持對應橋臂關閉，直到過流情況解除才會重新開啟。對工程師而言，可通過調整限流閾值和延遲時間平衡保護靈敏度與系統抗干擾能力。

2. 短路保護（SCP, Short Circuit Protection）
   當輸出側出現短路（例如輸出引腳誤觸地或某兩相線圈短接）時，輸出電流會驟增，觸發過流保護動作。不同于一般過流保護，短路保護機制將觸發更快速的關斷，并在每個PWM周期結束時進行重啟嘗試。如果短路持續存在，芯片將連續嘗試多次后進入鎖定狀態，以避免持續過流對內部元器件造成災難性損害。此時ERR引腳被拉低（或拉高），通知主控電路需要人工干預。

3. 過溫保護（OTP, Over Temperature Protection）
   當芯片的結溫超過預設的過溫保護閾值（約150℃）時，內部溫度傳感器會觸發OTP功能，立即強制關閉所有輸出橋，切斷電機供電，并進入冷卻等待狀態。只有當結溫降至約135℃以下時，芯片才會自動恢復到正常運行模式。該機制可有效避免因持續大電流輸出或散熱不良導致內部溫度持續攀升，并保護內部硅芯片免受熱應力損害。開發者在硬件設計時需注意在芯片底部留出充足的散熱銅箔，同時要考慮系統環境溫度和氣流情況。

4. 欠壓鎖定（UVLO, Under Voltage Lock Out）
   欠壓鎖定功能用于保障芯片在電源電壓不足時不會錯誤驅動電機，防止電流控制電路失效。TB67H450FNG在VB低于約8.5V時會自動禁能輸出；當VB回升至約10V以上時，芯片才重新進入工作準備狀態。這種設計可避免由于輸入電壓瞬間下降導致電機扭矩不足或漏步問題，從而影響設備的運動精度。

5. 過壓保護（OVP, Over Voltage Protection）
   當VB電壓超過約53V時，芯片檢測到過高電壓將立即進入保護模式，切斷輸出并鎖定，直到VB回落至合適范圍后才能重新啟動。這種機制主要針對開關電源不穩定或電源突波導致的電壓飆升現象，防止內部功率MOSFET因擊穿耐壓極限而損壞。實際設計中，為進一步抑制瞬態浪涌，還可在VB輸入端配合使用TVS二極管或RC濾波電路。

6. 欠流保護（いくりゅう保護, Under Current Protection）
   在某些應用場景下，例如電機脫機或線圈斷線時，實際電流可能極低。TB67H450FNG可通過內部邏輯判斷電流低于設定值后觸發欠流保護，防止輸出空循環而浪費能量。但是，欠流保護閾值一般不會設得過高，以免在低速或小負載時誤判。該功能更適用于檢測線圈斷開或電機故障引起的無負載狀態，并及時報錯通知上位機。

7. 驅動器鎖定與復位機制
   當觸發多種保護條件時，芯片將進入鎖定模式（Lock），使用者需通過拉低nRESET引腳或斷電重啟才能恢復正常工作。這種設計保證了在遭遇嚴重異常時，可以讓操作者進行必要的檢查與維修，而不是自動重啟后繼續驅動而導致二次損害。對于一些關鍵應用，例如醫療設備或精密儀器，工程師可將ERR信號連接至主控MCU中斷輸入，引發系統報警或促使機械制動。

綜上所述，TB67H450FNG的多重保護功能形成了一個互補的保護網絡，能夠有效應對過流、短路、過溫、欠壓、過壓等常見故障情形，最大程度保證器件和電機安全。為了充分利用這些保護機制，用戶在設計時應當結合PCB散熱設計、輸入電源濾波方案與MCU監控邏輯，根據實際需求對限流閾值、PWM頻率、保護延時等參數進行調試與優化。

七、應用電路設計

在實際產品設計中，如何圍繞TB67H450FNG構建一個穩定可靠的驅動電路，是實現高精度步進電機控制的關鍵。以下將從典型應用電路示例、關鍵外部元器件選型以及PCB布局要點三個方面展開說明，幫助讀者快速完成從設計到調試的全過程。

1. 典型應用電路示例
   在最基礎的典型電路中，TB67H450FNG通常需要與以下幾類外部元件配合：

   整體典型電路圖如下：

   lua復制編輯VB ----||----+------TB67H450FNG------+------ AOUT1 ---- Motor Coil A+  
           C1  |                       |  
            0.1μF                     |  
                   C2 47μF           |  
            GND---||---+             |  
                           VCCA ----+------ MCU 5V      
            GND---||---+             |  
                   C3 0.1μF          |  
                    |                |  
                GND                LOGIC GND  
                                  
   MCU GPIOs  
     |  
     +--STEP_A --> STEP_A 引腳  
     +--DIR_A  --> DIR_A 引腳  
     +--EN_A   --> EN_A 引腳  
     +--MODE1/MODE2/MODE3 --> 細分引腳  
     +--nSLEEP/nRESET --> 睡眠/復位引腳  
     +--ERR <--- ERR 引腳(通過上拉電阻10k至VCCA)  
   

• 輸入電源去耦電容：在VB引腳和GND之間并聯至少一顆47μF/100V的高品質固態電容，以及一個0.1μF陶瓷電容，用于濾除輸入側開關噪聲和瞬態脈沖。

• 邏輯電源去耦電容：在VCCA引腳與GND之間并聯一個4.7μF或10μF的低ESR陶瓷電容和一個0.1μF的旁路電容，確保內部邏輯電源穩定。

• 電流檢測電阻：在ISEN引腳處與GND之間串聯一個0.125Ω ~ 0.2Ω的合金電阻（視限流需求而定）。要求該取樣電阻具有低溫漂（如0.1%等級）和高功率處理能力（至少1W）。

• 電機繞組連接：AOUT1/AOUT2與線圈連接，AOUT3/AOUT4與另一組線圈連接；在輸出引腳與線圈之間建議串聯一個47nF ~ 100nF的陶瓷電容和一個47Ω串聯電阻，以抑制EMI與寄生振鈴。

• 數字控制接口：將MCU的STEP、DIR、EN、MODE、nSLEEP/nRESET引腳直接連至TB67H450FNG的對應信號引腳，通過MCU程序實現步進脈沖生成與狀態監控。Err引腳可通過上拉電阻（如10kΩ）與MCU中斷腳相連，用于出現故障時觸發中斷處理。

• 保護與濾波：在VB和GND之間可加裝一個TVS二極管（如SMBJ58A），用于浪涌抑制。同時在電機線圈和輸出引腳處可增加LC濾波網絡，進一步降低輻射干擾。

2. 關鍵外部元件選型

• 電流取樣電阻（RSENSE）：需選用低溫度系數（≤100ppm/℃）、高精度（±0.1%或±1%）、高功率（2W以上）的合金電阻，例如Vishay的CSRP系列或IRC的LW系列。

• 去耦電容與濾波電容：VB端建議使用低ESR固態電容（如Nichicon FG系列或Panasonic OS-CON系列），可減少開關尖峰和瞬態紋波對輸入電源造成的干擾；VCCA端的陶瓷電容應為X7R或X5R材質，耐壓至少10V。

• TVS二極管：在VB輸入端并聯一個6KE58CA或SMBJ58A，用于吸收浪涌電壓。若系統電壓在24V或36V時，也可選用相應工作電壓范圍的TVS。

• 輸出濾波元件：在AOUT與電機線圈之間串聯47nF100nF的高壓陶瓷電容，以及33Ω至100Ω的片式電阻，以抑制EMI和寄生振鈴，提高電機運行的平滑度。對步進電機噪聲敏感的場合特別推薦添加LC濾波器（L為10μH47μH的小電感，C為100nF~220nF）。

• 熱沉與散熱片：雖然TB67H450FNG內部的封裝具有一定散熱能力，但在持續大電流（>1.5A）工作時，推薦在芯片底部外露銅箔位置粘貼一個適配的鋁基或銅基散熱片，并在PCB底層增加大面積過孔陣列，將熱量導出至另一側散熱層。

3. PCB布局要點

• 功率回路最短：VB、PGND和AOUT的高電流回路要盡量靠近并以短距離連接，使用加寬銅箔或多層板內鋪銅方式減少回路阻抗。

• 電流采樣布局：RSENSE應靠近芯片ISEN引腳放置，避免與其他噪聲源相連，形成單獨的安靜回路。同時在RSENSE兩端加裝旁路電容（10nF~47nF）平滑采樣信號。

• 信號回路分離：STEP、DIR等數字信號線應與高電流線分開布置，并在關鍵節點加裝RC濾波器（10Ω+100pF）降低數字噪聲對芯片內部邏輯的干擾。

• 去耦電容布局：VB與GND之間的去耦電容需要盡量靠近VB引腳放置，并保持走線粗而短；VCCA的去耦電容同樣需要緊靠VCCA引腳布局，以確保內部邏輯電源的穩定性。

• 熱散布局：在芯片底部設置足夠數量的過孔連接至底層大面積銅箔（散熱層），并在頂部留出空間貼掛散熱器或風扇，以維持芯片結溫在安全范圍內。

通過以上硬件設計要點，可以在保證高效驅動、抗干擾性以及散熱性能的前提下，將TB67H450FNG與系統其他模塊無縫集成，為后續的軟件調試與性能優化打下堅實基礎。

八、PCB布局與散熱設計

對于高電流、高頻PWM驅動電路而言，PCB布局以及散熱方案至關重要。TB67H450FNG在滿載工作時會產生顯著的功率損耗，如果忽略散熱設計，極容易導致結溫過高而觸發過熱保護。以下將針對PCB布局原則與散熱設計細節進行進一步闡述。

1. 熱路徑與散熱層設計

• 底部散熱銅箔：TB67H450FNG封裝底部通常設計有散熱引腳或暴露的銅敷層（Exposed Pad），該區域應直接與PCB底層的大面積銅箔熱擴散層相連。通過在散熱過孔周圍布置2448個（或更多，視空間決定）直徑0.3mm0.4mm的穿孔，將熱量從頂層傳導至底層，并在底層鋪設至少2in2的銅箔面積，以實現快速熱擴散。

• 多層板與散熱板結合：在四層或六層PCB方案中，可使用第二層或第三層作為散熱層，通過過孔將熱流引入內層銅箔，同時還可在頂層或底層外貼鋁基板或導熱墊與散熱片結合，進一步降低熱阻。

• 散熱器與風扇：對于輸出電流持續接近2.0A或以上的應用場合，單靠PCB散熱常常不足以保證結溫維持在安全范圍（<125℃）。此時需要在芯片頂部粘貼適當尺寸的散熱片，若空間允許，還可結合小型風扇進行強制氣流散熱，以提升整個系統的散熱能力。

2. 高電流回路布局

• VB至輸出橋的最短路徑：VB與AOUT1~AOUT4之間的走線應加寬至至少5mm（在2oz銅厚度下），并保持最短連接，以減小走線電阻和電感，避免開關瞬態時產生過高壓降和EMI。

• 電機線圈走線：從AOUT輸出引腳到電機線圈的線路也需盡可能粗并帶有護套屏蔽，以降低輻射干擾。對于長距離線纜應采用雙絞線或屏蔽線以抑制高頻噪聲輻射。

• 電流取樣網格：RSENSE兩端相連的走線要成對布線，走線長度控制在幾毫米以內，且走線寬度不宜過大，以避免與其他大電流回路相鄰引入寄生干擾。必要時可將RSENSE與芯片緊密貼合，并在其周圍進行地線分割，以形成精準的取樣區域。

3. 信號線與電源回路分隔

• 數字與模擬地分割：將AGND（邏輯地）與PGND（功率地）嚴格分開，使用單點接地（Star Ground）技術，將兩者在PCB中央匯合至系統主地，避免大電流回路噪聲對信號采樣與邏輯控制造成影響。

• 高頻旁路與濾波電容：在VB與PGND之間并聯多個不同容量的去耦電容（如0.1μF、1μF、47μF），覆蓋從幾十kHz到幾MHz的濾波需求。頂層和底層去耦電容都要布局，并在去耦電容與芯片VB引腳之間保持低阻抗路徑。

• 數字控制信號走線：STEP、DIR等信號線應與AOUT輸出走線分開，并采取差分走線或在信號線上加套屏蔽層等措施，減少數字信號受到大電流回路的干擾。此外，關鍵時序信號可以加上RC緩沖或TVS二級防護，以防止外部干擾瞬態破壞。

4. EMI與電磁兼容設計

• 輸出濾波網絡：在AOUT到電機線圈之間串聯RC或LC濾波器，該濾波器不僅可以抑制高頻噪聲向外輻射，還能降低線路對芯片的雷擊或靜電沖擊。推薦采用47Ω+100nF RC串聯濾波網絡，或10μH+100nF LC網絡。

• 板級屏蔽與地平面：頂層或底層可布置完整的地平面，作為散熱層及電磁屏蔽層，同時為信號回路提供均勻地參考。電機控制部分與高頻開關電路區域應作適當隔離，可使用地槽或干地技術將兩部分地線分割。

• 管腳緊鄰布置：對芯片最容易受噪聲影響的引腳（如ISEN、VREF、TS等），布線應走最短路徑并遠離VB/AOUT等高電流走線；如果空間允許，建議在這些引腳的走線下方加一層地平面屏蔽。

通過結合熱仿真軟件進行熱阻模擬、參考廠商提供的熱特性圖以及系統實際測試數據，工程師可以在PCB布局階段對散熱層厚度、過孔數量、地平面分割以及散熱器貼合方式做出合理的方案選擇，確保TB67H450FNG在不同工作環境下始終維持較低結溫，實現長期穩定運行。

九、使用注意事項與調試要點

在完成硬件設計并焊接好電路板后，軟件調試和系統測試同樣是確保運動控制系統性能的關鍵環節。以下結合TB67H450FNG的特性，列出常見的使用注意事項與調試要點，幫助工程師在調試階段迅速定位問題并優化性能。

1. 供電電壓與穩壓要求
   在上電前務必確認VB和VCCA電源電壓處于正常范圍。由于VCCA直接決定邏輯電路的穩定性，若VCCA電壓波動過大，可能導致STEP/DIR信號抖動或誤判。因此，建議使用低噪聲LDO穩壓器為VCCA供電，且加裝足夠的去耦電容。對VB電壓，需確保電源能夠在啟動電機瞬間提供足夠的充足電流，并在輸入端配備TVS及大容量電容以抑制浪涌。

2. STEP/DIR信號時序
   對于驅動器而言，STEP脈沖的上升沿是步進命令的觸發點，因此脈沖寬度、頻率與穩定性對電機轉動平穩性至關重要。通常建議STEP脈沖寬度不小于1μs，脈沖間隔根據目標轉速進行計算，若驅動頻率過高，可能會超出芯片的響應能力或MCU的定時器處理能力，導致丟步。DIR信號在改變時應保證STEP保持低電平至少10μs，以避免在方向切換過程中出現誤觸。

3. 細分模式的切換時機
   在實際應用中，細分模式不宜在電機高速運轉時動態切換，否則會出現失步或錯步等情況。一般應在電機停止或接近低速狀態時，關閉EN引腳（切斷驅動），切換MODE1/2/3引腳電平，再重新拉高EN引腳，讓芯片在新的細分設置下啟動。這樣做可以通過硬件確保細分模式切換的平滑性，并避免因細分改變導致的運動不連續。

4. 電流限流與調整
   初次調試時，可將RSENSE電阻選用較大阻值（例如0.2Ω）并設置較小的限流閾值，以避免輸出電流過大燒毀電機或芯片。待確認電機和驅動系統穩定后，可根據電機額定電流及實際應用需求，逐步減小RSENSE，從而提高可輸出峰值電流。在調整過程中，可使用示波器監測AOUT與ISEN上的電流波形，以判斷限流是否正常，當ISEN電壓達到VREF限流閾值時，要觀察到PWM占空比及時降低，驗證保護機制的有效性。

5. 過熱保護狀態下的恢復
   如果在測試過程中出現過熱保護導致的損失（芯片停止輸出），并不意味著硬件故障。工程師應檢查散熱設計是否合理，例如散熱銅箔面積是否足夠、散熱片是否與芯片貼合緊密、是否需要加裝風扇等。同時，可以在TS引腳接入外部ADC，對芯片溫度進行實時監測，并在溫度過高時主動降低電機速度或電流，以延長芯片壽命。

6. 故障指示與系統監控
   當ERR引腳拉低或上拉狀態發生時，應立即查詢相應的故障類型。通過讀取芯片寄存器或MCU判斷邏輯，可判斷是過流、過熱還是欠壓等原因導致的保護啟動。此時應暫停電機運行，排查故障根源：

• 過流：檢查電機是否被卡住或負載過大，是否需要更換更大功率的驅動器。

• 過熱：檢查散熱路徑和環境溫度，增加散熱器或改進風道。

• 欠壓/過壓：檢查電源穩壓模塊、輸入濾波器是否正常。

7. EMI調試與信號完整性
   在高速PWM切換下，輸出端往往會輻射顯著的高頻噪聲。調試時可使用頻譜儀或示波器探頭檢測AOUT側的EMI輻射，通過在電機線纜上增加Ferrite磁環或屏蔽層減少輻射。同時，可以在重要數字信號線上加RC濾波器（如10Ω + 100pF），并采用差分信號或雙絞線來提高信號抗干擾能力。

8. 軟件控制策略優化
   在三相步進電機或伺服電機項目中，常會使用加速/減速曲線來保護機械結構及電機本身。建議在MCU端編程實現S型加速曲線（S-curve）或線性加速曲線（Trapezoidal），而非直接以恒定頻率啟動，以減少機械沖擊和電機共振。當電機在低速啟動時，細分模式可設為較低，例如半步或1/4細分；當加速至某一速度后，再切換到更高細分模式，實現既保證低速扭矩又兼顧高速平滑的效果。

通過嚴格按照以上調試要點逐步進行檢測、驗證與優化，可以大幅降低開發過程中的不確定性，并為后續成品化量產打下堅實基礎。

十、典型應用場景

憑借其高性能及多項保護功能，TB67H450FNG在各類需要精確步進控制的領域均得到了廣泛應用。以下介紹幾個典型的應用場景及其設計要點，供讀者參考。

1. 3D打印機

• 設計要點：
  3D打印機對步進電機控制精度、平穩性和靜音性要求較高。利用TB67H450FNG的1/16細分驅動，可以實現更細的噴嘴定位精度，提高打印質量。同時，通過自適應PWM算法降低振動，使打印頭運動更加平滑。

• 應用示例：
  在XYZ三軸驅動中，每個軸分別配置一片TB67H450FNG，通過MCU控制各自的STEP和DIR信號，協同實現三維空間內的精密移動。在啟動和停止時，通過軟件實現緩啟/緩停，以避免打印層錯位。

2. CNC雕刻機

• 設計要點：
  CNC雕刻機需要在高速切削和低速精雕之間切換，對驅動器的快速響應性能和過載保護能力提出較高要求。TB67H450FNG的過流與過熱保護功能可有效防止電機卡滯或負載過大時對驅動器造成損害。

• 應用示例：
  主控單元通常為工業級PLC或高性能嵌入式平臺，通過G代碼解析后生成脈沖序列，分別驅動X、Y、Z軸的步進電機。芯片在高速切換細分模式時，保持脈沖穩定性，并在軟PLC一側實現運動插補算法，提高加工精度與效率。

3. 自動化裝配機器人

• 設計要點：
  裝配機器人對多自由度機械臂關節的控制需要精確、快速的響應，以及較高的可靠性。TB67H450FNG能夠支持多通道并行驅動，并通過I2C/SPI接口實現集中式編程管理，有助于系統集成與維護。

• 應用示例：
  機械手臂每個關節處配置一片驅動器，通過總線連接至主控板。主控板下發統一尋址指令，調整各關節細分等級與限流值，實現差動驅動和協調運動。在高頻運動場景下，通過硬件保護機制保護關節電機不被過載或熱失控所損壞。

4. 智能零售式貨柜（Vending Machine）

• 設計要點：
  智能貨柜常用步進電機控制轉盤或推桿，要求驅動器具有低功耗和靜止扭矩。TB67H450FNG在待機模式下靜態電流僅數毫安，可將整機能耗降至最低。同時，通過細分在啟動時降低震動，減少對貨物的沖擊。

• 應用示例：
  每排貨道控制一個步進電機，驅動桿推出商品。MCU通過狀態檢測確定貨道是否需要出貨，再向驅動器發送有限步數的脈沖以準確到位。貨物取出后，通過電流監測判定是否遺漏貨物并觸發二次推送或用戶提示。

5. 生物醫藥儀器

• 設計要點：
  生物醫藥檢測設備通常需要在極低振動和高可靠性環境下運行。TB67H450FNG自適應PWM電流控制可大幅減少諧波和機械振動，實現更精密的檢測過程。過流過熱保護保障在長時間運行時芯片穩定，避免因突發故障導致實驗數據丟失。

• 應用示例：
  高通量液體搬運系統中的注射泵和管路驅動模塊，通過細分驅動來實現微升級別的注射精度。驅動板與實驗室主控計算機通信，實現參數化配置和實時監測。

通過以上典型應用場景的介紹，不難看出TB67H450FNG在精密控制與可靠性方面的優勢，而這些優勢正是其在各類行業領域中被廣泛認可的原因。未來，隨著工業4.0、智能制造以及物聯網技術的不斷發展，該芯片亦將迎來更多新興應用。

十一、與其他驅動器對比分析

為了讓工程師更好地理解TB67H450FNG的優勢與適用范圍，以下將其與業內幾款主流雙通道步進電機驅動器進行對比，并從電流能力、細分支持、保護功能以及性價比等方面進行綜合分析。

1. 與A4988對比

• 電流能力：A4988最大支持2A連續電流，峰值可達2A左右；TB67H450FNG可提供最高4A峰值和2A連續電流。因此在高功率應用場景下，TB67H450FNG具有明顯優勢。

• 細分模式：A4988支持全步、半步、1/4、1/8、1/16細分；TB67H450FNG在此基礎上還支持通過外部接口編程實現更靈活的細分切換，且PWM波形經優化接近正弦波形，能有效降低震動。

• 保護功能：A4988具備過熱、欠壓及過流保護；TB67H450FNG額外集成短路保護與更高效的過溫保護機制，保護響應更迅速。

• 性價比：A4988價格相對低廉、應用廣泛且門檻較低；TB67H450FNG雖然在成本上略高，但其更高的驅動能力和完善保護功能適合對性能要求更高的場景。

2. 與DRV8825對比

• 電流能力：DRV8825連續電流最大2.2A，峰值約4.5A（短時）；TB67H450FNG連續2A、峰值4A。兩者在峰值電流方面相近，但TB67H450FNG在低RDS(on)和散熱設計上稍占優勢。

• 細分模式：DRV8825支持全步、半步、1/4、1/8、1/16、1/32細分；TB67H450FNG同樣支持1/16細分模式，并且其自適應PWM算法輸出的電流波形更平滑。若對更高分辨率（1/32）的需求，DRV8825或更合適。

• 保護功能：兩者均具備欠壓、過熱與過流保護。但TB67H450FNG在欠流與過壓保護上更為完善，并且支持多種故障鎖定與報告機制。

• 接口與配置：DRV8825僅通過MODE引腳配置細分模式；TB67H450FNG除了MODE引腳外，還提供SPI/I2C接口，可實現在線編程和動態調整，適用于需要復雜運動控制的系統。

3. 與TMC2208/TMC2209對比

• 驅動能力：TMC2208連續電流可達1.2A，峰值2A；TMC2209連續2A，峰值ικαν2.8A；而TB67H450FNG連續2A、峰值4A，適合更大功率電機。

• 靜音性能：TMC系列以靜音驅動著稱，采用StealthChop技術輸出非常接近正弦波，噪聲極低；TB67H450FNG雖然有自適應PWM優化，但靜音效果略遜于TMC系列。

• 功能集成：TMC2208/2209集成了微步加速、SPI/UART接口以及多種診斷功能，但其價格相對較高且對散熱較敏感；TB67H450FNG更加注重功率輸出和保護功能的平衡，價格相對更加親民。

• 典型應用：TMC更適合對噪聲敏感且電機功率要求中等的場合；TB67H450FNG則更適合對功率和可靠性要求更高的工業/自動化場景。

通過與上述幾款具有代表性的步進驅動器對比，不難看出TB67H450FNG在電流輸出能力、保護機制和應用靈活性方面具有較大優勢，尤其適合需要長時間穩定高電流輸出以及對安全可靠性有較高要求的項目。同時，其相對合理的價位也使得整機成本與性能取得良好平衡。

十二、開發與評估板介紹

為方便工程師快速驗證TB67H450FNG的性能，廠商及第三方芯片供應商通常會推出配套的開發與評估板。這些評估板一般集成了必需的外部元件，并提供標準化接口，工程師只需連接電源、信號以及待測電機即可進行功能驗證。以下是TB67H450FNG評估板的典型功能與使用說明。

1. 評估板主要功能

• 集成電源濾波：評估板在VB輸入端預置TVS二極管、EMI輸入濾波器以及足量去耦電容，工程師無需額外布線即可獲得穩定的電源環境。

• 邏輯接口板：評估板上提供了標準的STEP、DIR、EN、MODE、nSLEEP/nRESET與ERR引腳排針，并預留有跳線與撥碼開關，可快速切換細分模式或使能狀態。

• 電流采樣板：采用易于調節的可變電位器+RSENSE電阻組合，用戶可通過旋轉電位器靈活設定限流電壓。電流采樣信號經放大后輸出至標示口，便于示波器測試。

• 保護與狀態指示：評估板上集成了LED指示燈，可同時顯示過熱、過流、欠壓及短路等故障狀態。也可以將ERR信號通過LED或蜂鳴器提示，幫助工程師快速定位問題。

• 可調電位器與電阻網絡：部分評估板提供了幾個可調電位器，用于設置VREF、PWM頻率等參數，使用戶可以在實驗室環境下對多種工作模式進行調試。

2. 常見評估板型號與供應商

• 東芝官方EVM-TB67H450FNG評估板：含有頂層散熱片，以及標準化的信號跳線布局，配有配套用戶手冊，詳細介紹了評估板的連接方式與測試流程。

• 第三方開發板（如Pololu、SparkFun等）：部分第三方廠商推出了基于TB67H450FNG的引腳兼容板，可直接替換A4988或DRV8825的插座，方便在現有項目中升級驅動器。

• DIY開源社區板卡：在一些電子DIY社區，如GitHub、Hackaday等，可以找到開源的TB67H450FNG評估板設計文件，包括PCB Gerber文件和BOM清單，便于工程師自行制作和定制。

3. 評估板的使用步驟

• 硬件連接：首先確認評估板的VB、GND與外部電源連接正常，并確保電源電壓在10V~50V之間。然后將步進電機的兩組線圈分別連接至AOUT引腳。

• 邏輯信號接入：將MCU或信號發生器的STEP、DIR、EN、MODE、nSLEEP/nRESET引腳連接到評估板相應端口。若不使用某些功能（如細分選擇），可將它們拉低或拉高到默認狀態。

• 初始參數配置：在評估板上設置好限流電阻和PWM頻率電位器，或者通過跳線選擇好細分模式。將ERR信號通過LED或示波器監測，便于快速判斷異常。

• 軟件控制與調試：下載示例程序至MCU，通過串口或調試器嘗試輸出STEP脈沖，觀察電機運行狀態。與此同時，通過示波器監測ISEN引腳上的電流波形，確認PWM電流控制是否正常。

• 故障排除：若出現電機不轉、或異常振動、或ERR引腳告警等情況，首先檢查限流設置是否過低、散熱片是否安裝牢固、電源電壓是否穩定、以及STEP/DIR信號是否有噪聲。使用示波器逐一排查問題根源，待故障消除后再進行進一步參數調試。

通過評估板的使用，工程師可以在較短時間內驗證TB67H450FNG在不同細分模式、電流設置和負載條件下的實際性能，為后續量產階段的軟件算法與硬件布局提供第一手數據支持。評估過程中，如需更改參數，可在評估板上直接進行硬件跳線或軟件編程，快速迭代測試，極大提升開發效率。

十三、總結與展望

TB67H450FNG作為一款高性能雙通道步進電機驅動器芯片，以其強大的輸出能力、多重保護功能以及靈活的接口設計，在中高端運動控制領域占據了重要位置。在本文中，我們詳細介紹了該芯片的概述、主要特性、內部結構與工作原理、引腳功能及描述、典型電氣特性與規格、保護功能、應用電路設計、PCB布局與散熱設計、使用注意事項與調試要點、典型應用場景、以及與其他主流驅動器的對比分析和評估板使用方法。希望通過全面且深入的分析與指導，幫助工程師在實際項目中能夠快速選型、合理設計并順利調試，從而縮短開發周期、提升產品的性能與可靠性。

未來，隨著工業自動化、智能制造和精密儀器等領域對運動控制精度和可靠性要求的不斷提高，對步進電機驅動器的性能需求也在不斷演進。預計在以下幾個方向上，TB67H450FNG及其后續產品可能會呈現新趨勢：

• 更高分辨率與更低噪聲：隨著步進電機驅動算法的不斷優化，以及內置電流波形插值與微步控制技術的升級，驅動器將能夠實現比1/16更高的細分率，并進一步接近正弦電流，實現更低噪聲和更平滑的運動。

• 更智能的保護與診斷功能：在未來的運動控制芯片中，將更多地引入自診斷、自學習功能，能夠在系統運行中實時監測電機機械狀態、電纜溫度、振動以及運行環境因素，并通過數據分析提前預測可能的故障，做到預防性維護。

• 更低功耗與更小封裝：隨著工藝節點的持續進步，產業鏈將推出更小尺寸、更低功耗的驅動器芯片，使得在微型化無人機、納米機器人等新興領域應用中，可以以更小的物理尺寸獲得更強的驅動性能。

• 集成化與模塊化解決方案：為了節省PCB空間、簡化系統設計，未來的驅動器可能將更多外部元件集成到芯片內部，例如電源濾波、RSENSE、甚至驅動器與微控制器的系統級封裝（SoC），實現更為模塊化的解決方案。

TB67H450FNG憑借其均衡的性能與成本優勢、可靠的保護機制以及廣泛的適用場景，已經成為當下業界備受青睞的一款步進電機驅動器。在持續發展的智能制造大潮中，針對更高精度、更高功率和更智能化的需求，該系列產品將不斷演進，滿足產業升級與技術革新的需求。對于硬件工程師和嵌入式開發者而言，掌握TB67H450FNG的應用要點、優化布局和調試技巧，將有助于在激烈的市場競爭中保持領先地位，不斷迭代與優化運動控制方案，實現更高水平的產品創新與性能突破。