一、概述
D882是一款由日本東芝（Toshiba）推出的中功率NPN型晶體管，廣泛應用于各類電子設備的開關與放大電路。其集電極—發射極耐壓最高可達30V，最大集電極電流可達1.5A，同時在IC=150mA時電流放大倍數（h_FE）通常在50至320之間波動，具備良好的增益性能。D882的封裝形式通常為TO-92塑料封裝，功耗約0.8W，既滿足了中等功率場合對電流與電壓的要求，又兼顧了小巧的體積與易于安裝的特性。憑借耐壓高、飽和壓低、增益大的優勢，D882常用于開關電源中的開關元件、電機驅動、繼電器驅動以及小功率音頻放大等場景，既能實現高效開關，又能保證穩定放大，是工程師在設計中常選的經典型號。

二、外觀與封裝
TO-92塑料封裝是D882最常見的外觀形式，其扁平側面上常印刷有“D882”型號標識，另一面平滑無字。該封裝殼體寬度約4.5mm、高度約5.2mm、深度約4.0mm，引腳間距2.54mm，非常適合插入面包板及常規PCB。正面觀察時，晶體管平面朝向觀察者，引腳由左至右依次為發射極（E）、集電極（C）、基極（B）；從側面可以直觀看到殼體與引腳的長度差異。TO-92封裝不僅體積小巧，還能通過PCB銅箔及金屬散熱片輔助散熱，以滿足高功耗應用中的熱管理要求。

三、引腳圖
下圖為從正面朝向D882平面、下方為引腳方向的TO-92封裝示意：

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      |  D882   |  
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   1 ——|         |—— 3  
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• 引腳1（左側）：E（Emitter，發射極）

• 引腳2（下方）：C（Collector，集電極）

• 引腳3（右側）：B（Base，基極）

在PCB設計時，應嚴格按照此排列進行焊盤布局，以避免因錯位而引發電路故障。

四、引腳功能

引腳1：E（發射極）
發射極是NPN晶體管中電子注入和輸出的端口，一般連接至低電位側或地（GND）。當基極注入少量電流后，發射極承接從集電極來的主電流，并將電荷注入電路中形成回路。發射極引腳的導通速度快，電流承受能力取決于芯片內部結構及導線寬度，若電流過大或環境溫度過高，可能引起結溫升高，影響器件壽命。因此，在實際設計中常在發射極處增加散熱銅箔或散熱片，并根據實際電流選擇合適的熱阻降額設計。

引腳2：C（集電極）
集電極是NPN晶體管中承受最大電壓和電流的端口，通常接至高電位電源正極或電源輸出端。在開關電源和電機驅動等應用中，集電極要承受高達幾十伏的脈沖或直流電壓，并在導通狀態下提供大電流。其飽和壓V_CE(sat)決定了開關效率，D882在IC=150mA時飽和壓可低至0.15V左右，降低了功耗。設計時需在PCB集電極焊盤周圍留足銅面積，用以快速散熱，并注意避免在高頻開關狀態下產生的電磁干擾。

引腳3：B（基極）
基極是控制端，用于接收驅動信號的小電流來控制集電極與發射極之間的導通。典型驅動電流僅需幾百微安至數毫安，取決于所需的集電極電流及放大倍數。基極電路設計時通常需加限流電阻（常見1kΩ～10kΩ范圍）以防止過大電流燒毀晶體管，并可并聯去耦電容或RC網絡，以消除高頻振蕩，確保開關切換迅速且穩定。在高頻開關應用中，基極寄生電容可能引起延遲，需通過阻容網絡優化波形。

五、主要電氣參數與特性
D882的核心電氣參數直接決定了其在電路中能否勝任各種應用場景。首先，**集電極—發射極飽和壓（VCE(sat)）**是衡量開關損耗的關鍵指標。在測試條件IC＝150mA、IB＝15mA時，VCE(sat)典型值僅為0.15V，最高不超過0.3V，這意味著在中低電流開關狀態下，D882的導通過程幾乎不會產生明顯的額外壓降，極大地提高了開關電源和PWM電機驅動的效率。其次，**集電極—發射極擊穿電壓（VCEO）**標稱為30V，允許器件在±30V的反向電壓環境中保持安全；與此同時，**集電極—基極擊穿電壓（VCBO）**也為30V，因此在未加基極驅動時，集電極與發射極之間承受的最大反向電壓可達此數值。

此外，D882在IC＝150mA時的**DC電流放大倍數（hFE）**典型值為100，而在IC＝500mA時仍能保持50～100的增益水平，這意味著僅需十幾毫安的基極電流即可控制數百毫安乃至近安級的集電極電流。此高增益特性使得D882在信號放大與小功率驅動電路中表現出色。熱性能方面，TO-92封裝在空氣中自由對流時，JC熱阻約為200°C/W，結合PCB敷銅層后可進一步降低至100°C/W以下，從而支撐D882在環境溫度最高達+85°C、集電極電流上限為1.5A的工作條件下依舊可靠運行。

最后，還需關注基極—發射極擊穿電壓（VEBO），其典型值為5V，最高6V，若驅動電壓超過此值，基極區可能出現反向擊穿現象，導致永久損傷。因此，在驅動電路中基極電阻的選擇尤為重要，既要保證足夠的驅動電流，又要避免過高基極電壓。

六、工作原理與電流傳輸機制
D882作為NPN型晶體管，其工作原理基于半導體pn結的空間電荷區控制與載流子注入放大效應。整體可分為三個區域：截止區、放大區和飽和區。

在截止區，基極—發射極間沒有顯著正向偏置（VBE<0.6V），PN結處于截止狀態，集電極—發射極間無電流流動。此時D882等同于斷路器，即使集電極加上正向電壓，也無法形成集電極電流。截止狀態下漏電流（ICBO）僅幾微安，電路基本無損耗。

進入放大區時，基極—發射極PN結接近正向偏置（VBE≈0.6～0.7V），小電流從基極流入，并在晶體管內部形成基極區少數載流子注入發射區的過程。由于集電結處于反向偏置，基極少數載流子被集電極區的電場迅速抽取，形成大電流IC≈β·IB，實現信號電流的放大。放大區的VCE需保持在約1V以上，否則接近飽和。

當基極驅動電流過大或VCE過低（＜約0.2V）時，PN結雙側都導通，D882進入飽和區。此時PN結兩端電壓均小于0.3V，集電極與發射極間的壓降降至最低，從而最大限度減少功耗，適宜于開關場合。飽和區的特征是VCE(sat)與IB成反比；若希望獲得更低的飽和壓，可適當加大基極電流，但需避免基極過驅導致的慢關斷和存儲時間延長。

在高頻開關應用中，D882內部寄生電容（包括Cbe、Cbc、Cce）會導致開關延遲和死區時間。典型Cob（集電—基極結電容）約為20pF，這使在數百kHz甚至MHz頻率下，電容充放電延遲不可忽視。為此，設計者常在基極與集電極之間并聯小電阻（幾十歐至百歐）或RC阻尼網絡，以抑制振鈴并加速關斷；在更高頻應用中，甚至會在D882前級增設射極跟隨器或達林頓對，以改善開關特性。