什么是ir2153,ir2153的基礎知識?


IR2153:半橋驅動器IC基礎知識與應用詳解
IR2153是一款由國際整流器公司(International Rectifier,現為英飛凌科技公司 Infineon Technologies 旗下)生產的自振蕩半橋驅動器集成電路(IC)。它主要用于驅動功率MOSFET和IGBT,尤其是在需要高壓、高頻率、高效率的半橋拓撲電路中。由于其內部集成了振蕩器,IR2153極大地簡化了半橋變換器的設計,使其成為熒光燈鎮流器、緊湊型熒光燈(CFL)、開關模式電源(SMPS)以及其他各種功率轉換應用中的熱門選擇。
1. IR2153 的核心功能與工作原理
IR2153的核心功能是提供一對高電平(High-Side)和低電平(Low-Side)輸出驅動信號,用于控制半橋配置中的兩個開關管(通常是MOSFET)。其工作原理基于一個內置的CMOS振蕩器,該振蕩器通過外部連接的電阻(RT)和電容(CT)來設定工作頻率和占空比。
內置振蕩器: IR2153的內部振蕩器是一個非常關鍵的組成部分。它產生一個方波信號,作為整個半橋驅動器的時鐘。通過改變外部連接到RT/CT引腳的電阻和電容的數值,可以精確地調整振蕩頻率和死區時間。例如,增大RT或CT會降低振蕩頻率。
高低側驅動: IR2153的獨特之處在于其能夠驅動高側MOSFET。為了驅動高側MOSFET,其柵極電壓需要相對于其源極(而不是地)達到一個特定的電壓。在半橋配置中,高側MOSFET的源極電壓是浮動的,它會隨著半橋輸出點的切換而在高電壓和低電壓之間擺動。IR2153通過一個內部的自舉(Bootstrap)電路來解決這個問題。
自舉電路: 自舉電路是IR2153驅動高側MOSFET的關鍵。它由一個外部快速恢復二極管(通常是超快恢復二極管)和一個自舉電容(CBOOT)組成。當低側MOSFET導通時,自舉電容通過自舉二極管充電至VCC電壓。當高側MOSFET需要導通時,IR2153利用自舉電容儲存的電荷,將其輸出驅動信號(HO)提升到遠高于VCC的電壓,從而確保高側MOSFET能夠完全導通。自舉電容的容量選擇對于驅動器的正常工作至關重要,過小可能導致高側驅動不足,過大則可能影響充電速度。
死區時間(Dead Time): 為了防止半橋上下兩個開關管同時導通造成短路(也稱為直通),IR2153內部集成了固定的死區時間。這意味著在高側MOSFET關斷和低側MOSFET導通之間,以及低側MOSFET關斷和高側MOSFET導通之間,都會有一個短暫的時間間隔,確保一個MOSFET完全關斷后另一個MOSFET才能開始導通。這個內部固定的死區時間是IR2153的一大優點,它簡化了外部電路設計,提高了可靠性。雖然是固定的,但在實際應用中,這個固定值通常足以滿足大多數應用需求,避免了復雜的外部死區時間調整電路。
2. IR2153 的主要特點與優勢
內置自振蕩器: 這是IR2153最顯著的特點,省去了外部振蕩電路,極大地簡化了設計,降低了物料成本和PCB面積。
高壓操作: IR2153支持高達600V的高壓操作,使其適用于各種AC-DC和DC-DC功率轉換應用。
兼容CMOS和LSTTL輸出: 意味著它能夠與各種微控制器和邏輯電平兼容,便于接口設計。
獨立的低側和高側輸出: HO和LO輸出引腳提供獨立的驅動信號,便于精確控制MOSFET。
內部集成的死區時間: 無需外部死區時間設置,簡化了電路設計,并有效防止直通現象。這個固定死區時間通常經過優化,以提供可靠的開關性能。
欠壓鎖定(UVLO)功能: 當VCC電壓低于預設閾值時,IR2153會停止工作,防止在供電電壓不足時MOSFET柵極驅動不足而造成損壞。這提高了電路的可靠性和安全性。
微功耗啟動: 在啟動階段,IR2153消耗極低的電流,有利于使用簡單的啟動電阻來對VCC電容充電,從而實現快速啟動。
SOIC和DIP封裝: 提供多種封裝選項,方便不同的PCB布局需求。
3. IR2153 的引腳功能
理解IR2153的引腳功能對于正確使用它至關重要。IR2153通常采用8引腳封裝(例如SOIC-8或DIP-8),其典型引腳配置如下:
VCC (引腳1): 供電電壓輸入。為IR2153內部電路提供電源,通常為10V至20V。需要一個去耦電容靠近此引腳。
RT (引腳2): 振蕩電阻連接引腳。與CT引腳一起,通過外部電阻設定振蕩頻率和占空比。
CT (引腳3): 振蕩電容連接引腳。與RT引腳一起,通過外部電容設定振蕩頻率和占空比。
COM (引腳4): 地線引腳。低側驅動器的參考地,也是整個IC的公共地。
LO (引腳5): 低側輸出驅動引腳。連接到低側MOSFET的柵極。
VS (引腳6): 高側MOSFET的源極引腳。此引腳是浮動的,會隨著半橋輸出點的電壓擺動。自舉電容連接在VCC和VS之間。
HO (引腳7): 高側輸出驅動引腳。連接到高側MOSFET的柵極。
VB (引腳8): 自舉電源引腳。連接到自舉電容的另一端,通過自舉二極管連接到VCC。這是高側驅動器供電的浮動電源。
4. IR2153 的典型應用電路
IR2153最常見的應用是作為半橋逆變器的核心控制器。一個典型的應用電路包括以下幾個關鍵部分:
電源部分: 為IR2153提供VCC供電,通常需要一個穩壓電源。
振蕩器部分: 由RT和CT構成,設定工作頻率。頻率計算公式大致為 f≈1.4×(RT+75Ω)×CT1 ,其中75歐姆是內部電阻。具體的公式應參考數據手冊。
自舉電路: 由自舉二極管(Dboot)和自舉電容(Cboot)組成,為高側驅動器提供浮動電源。Dboot通常選用快速恢復二極管,Cboot的容量選擇需要考慮開關頻率和高側MOSFET的柵極電荷。
半橋功率級: 由兩個MOSFET(Q1和Q2)組成,通常是N溝道MOSFET,以半橋形式連接。這兩個MOSFET的柵極分別由HO和LO驅動。
負載: 連接在半橋輸出點和地之間,可以是變壓器、電感、電容或實際負載(如燈管)。
在實際設計中,還需要考慮以下因素:
柵極電阻(Rg): 在HO/LO引腳和MOSFET柵極之間串聯一個電阻,用于限制柵極充電和放電電流,抑制振蕩,并減緩開關速度,從而減少電磁干擾(EMI)。
旁路電容: 在VCC和COM之間放置一個去耦電容,以濾除電源噪聲,確保VCC的穩定性。
輸入濾波: 如果IR2153用于交流輸入,可能需要輸入EMI濾波器和整流橋。
5. 設計考量與注意事項
在使用IR2153進行電路設計時,需要注意以下幾個方面:
RT和CT的選擇: 根據所需的開關頻率和死區時間(盡管IR2153死區時間固定,但RT/CT會影響整體周期),查閱數據手冊選擇合適的RT和CT值。確保其容差在可接受范圍內,以保證頻率的穩定性。
自舉電路設計: 自舉二極管的選擇應考慮其反向恢復時間,應選用快速恢復或超快恢復二極管,以確保在半橋高低側切換時能夠迅速導通和截止。自舉電容的容量需要根據高側MOSFET的柵極電荷量和開關頻率進行計算,確保有足夠的電荷驅動高側MOSFET的柵極。通常,Cboot的ESR(等效串聯電阻)和ESL(等效串聯電感)也應盡可能低。
MOSFET選擇: 選擇具有適當Vds額定值、Id額定值和柵極電荷量(Qg)的MOSFET。Qg值會影響柵極驅動電流和開關損耗。通常,低Qg的MOSFET更適合高頻應用。
布局布線: 良好的PCB布局對IR2153的性能至關重要。
短而粗的連接: 連接到MOSFET柵極的走線應該盡可能短而粗,以減少寄生電感和電阻,從而避免不必要的振鈴。
地平面: 使用一個良好的地平面可以有效降低噪聲和干擾。COM引腳應直接連接到功率地的低阻抗路徑。
電源去耦: VCC去耦電容應盡可能靠近VCC和COM引腳放置。
高壓與低壓隔離: 注意高壓側(VB、HO、VS)和低壓側(VCC、RT、CT、LO、COM)之間的爬電距離和電氣隔離。
熱管理: 盡管IR2153本身的功耗較低,但在驅動大功率MOSFET時,由于柵極充放電以及少量內部損耗,IC會產生一定的熱量。在高溫環境下或高頻應用中,可能需要考慮散熱。
啟動電流限制: 在某些應用中,為了保護電源和IR2153,可能需要在VCC供電路徑上串聯一個限流電阻,尤其是在啟動階段。
故障保護: 雖然IR2153內置了UVLO,但在更復雜的應用中,可能還需要額外的過流保護、過壓保護、過溫保護等功能,以提高系統的魯棒性。
6. IR2153 與其他驅動器的比較
IR2153屬于“自振蕩”系列驅動器,與需要外部PWM控制器信號的“邏輯輸入”驅動器(如IR2110、IR2104等)有所不同。
優點: IR2153的優點在于其集成度高,設計簡單,成本低廉。它特別適合那些對頻率精度要求不是特別高,但追求成本效益和簡化設計的應用,例如照明鎮流器。
缺點: 它的缺點是頻率和死區時間固定或受限,無法進行實時占空比調節或頻率調制,這使得它不適用于需要精確控制輸出電壓或電流的PFC(功率因數校正)或同步整流等復雜應用。對于這些應用,通常需要使用帶有外部PWM控制信號的驅動器。
7. 總結
IR2153作為一款高度集成的自振蕩半橋驅動器,憑借其內置振蕩器、高壓兼容性、內部死區時間以及欠壓鎖定等特點,極大地簡化了半橋功率轉換電路的設計。它在熒光燈鎮流器、緊湊型熒光燈、開關電源、逆變器等領域有著廣泛的應用。通過正確理解其工作原理、引腳功能以及設計考量,工程師可以高效地利用IR2153構建穩定、可靠且具有成本效益的功率轉換解決方案。隨著電力電子技術的發展,IR2153及其系列產品將繼續在簡化電源設計中發揮重要作用。
責任編輯:David
【免責聲明】
1、本文內容、數據、圖表等來源于網絡引用或其他公開資料,版權歸屬原作者、原發表出處。若版權所有方對本文的引用持有異議,請聯系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方將及時處理。
2、本文的引用僅供讀者交流學習使用,不涉及商業目的。
3、本文內容僅代表作者觀點,拍明芯城不對內容的準確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為,是基于自主意愿和獨立判斷做出的,請讀者明確相關結果。
4、如需轉載本方擁有版權的文章,請聯系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“轉載原因”。未經允許私自轉載拍明芯城將保留追究其法律責任的權利。
拍明芯城擁有對此聲明的最終解釋權。