壓敏電阻的選用方法有哪些?


壓敏電阻的選用需綜合考慮電路特性、保護需求及環境條件,確保其能有效抑制瞬態過電壓并可靠工作。以下是詳細的選用方法及關鍵步驟:
一、明確保護目標與電路參數
1. 確定保護對象
敏感元件:如芯片、電容、傳感器等,需明確其耐壓值(如芯片的絕對最大額定電壓)。
電路類型:區分交流(AC)或直流(DC)電路,以及電源輸入端、信號接口、電機驅動等不同場景。
2. 分析電路參數
工作電壓:
AC電路:測量有效值(如220V AC),峰值電壓為有效值×√2(≈311V)。
DC電路:直接測量直流電壓(如12V DC)。
預期浪涌類型:
雷擊浪涌(高能量、低頻率)。
靜電放電(ESD,高電壓、短時間)。
開關操作產生的尖峰(如感性負載關斷時的反電動勢)。
二、關鍵參數選型
1. 標稱電壓(V?mA)
定義:壓敏電阻在1mA直流電流下測得的電壓值,是其導通閾值。
選型原則:
V?mA > 電路正常工作電壓峰值:避免誤動作。
V?mA < 后級元件耐壓值:確保浪涌時電壓被鉗位在安全范圍。
經驗公式:
AC電路:V?mA ≥ (1.8~2.5) × √2 × V_rms(如220V AC選470V~680V)。
DC電路:V?mA ≥ (1.2~1.5) × V_DC(如12V DC選18V~22V)。
2. 通流容量(Ipp)
定義:壓敏電阻在8/20μs波形下能承受的最大浪涌電流峰值。
選型原則:
根據預期浪涌能量選擇,需留足夠余量(通常選預期浪涌電流的1.5~2倍)。
常見場景參考:
家庭電器(如空調):2kA~4kA。
工業設備(如變頻器):10kA~40kA。
通信設備(如路由器):500A~1kA(針對ESD)。
3. 能量吸收能力(W?)
定義:壓敏電阻在單次浪涌中能吸收的最大能量(單位:焦耳,J)。
選型原則:
計算浪涌能量:W = 0.5 × C × V2(電容放電場景)或根據浪涌電流波形積分。
選擇W? ≥ 計算值的1.2~1.5倍。
示例:
雷擊浪涌(8/20μs,10kA,470V):W ≈ 0.5 × 10kA × 470V × 8μs ≈ 188J(需選W?≥200J的型號)。
4. 最大持續工作電壓(MCV)
定義:壓敏電阻可長期承受的最大直流或交流有效值電壓。
選型原則:
MCV > 電路正常工作電壓(留10%~20%余量)。
避免長期接近MCV工作,防止性能退化。
5. 漏電流(I_L)
定義:在標稱電壓下,壓敏電阻的靜態電流。
選型原則:
漏電流越小越好(通常≤1μA),避免增加電路功耗。
高阻抗型壓敏電阻(如SMD封裝)漏電流更低。
三、物理特性與封裝選擇
1. 封裝形式
引線型:如5D、7D、10D、14D、20D(數字代表直徑,單位mm),適用于大電流場景(如電源輸入端)。
貼片型(SMD):如0402、0603、0805、1206,適用于小型化電路(如手機、USB接口)。
圓片型:如φ5mm、φ7mm,用于高電壓場景(如高壓直流輸電)。
2. 尺寸與功率
尺寸越大:通流容量和能量吸收能力越強,但寄生電容也越大(可能影響高頻信號)。
功率:需滿足浪涌時的瞬時功率(P = V × I),通常選擇功率降額≥50%的型號。
3. 寄生電容
影響:高頻電路中,寄生電容可能引入信號衰減或相位失真。
選型原則:
低頻電路(如電源):寄生電容可忽略(通常為幾百pF至幾nF)。
高頻電路(如RF接口):選低電容型(如<10pF)或串聯磁珠隔離。
四、環境適應性考量
1. 工作溫度范圍
工業級:-40℃~+85℃(適用于戶外設備)。
商業級:0℃~+70℃(適用于室內設備)。
高溫環境:需降額使用(如每升高10℃,通流容量降低約10%)。
2. 濕度與防護
防潮設計:在潮濕環境中,壓敏電阻可能因吸濕導致漏電流增大,需選擇涂覆三防漆或密封封裝的型號。
耐鹽霧:海洋環境需選抗腐蝕封裝(如環氧樹脂涂層)。
3. 機械應力
振動場景:避免使用引線型壓敏電阻,防止引腳斷裂,優先選貼片型或加固引線。
五、認證與標準符合性
1. 安全認證
IEC 61000-4-5:浪涌抗擾度測試標準。
UL 1449:浪涌保護器件(SPD)安全標準。
CQC:中國強制性產品認證(適用于國內銷售設備)。
2. 環保要求
RoHS:符合無鉛化要求。
REACH:無有害物質限制。
六、選型步驟總結
確定保護需求:電壓等級、浪涌類型、能量大小。
計算關鍵參數:
V?mA = (1.2~2.5) × 電路峰值電壓。
Ipp = 1.5 × 預期浪涌電流峰值。
W? = 1.2 × 浪涌能量計算值。
選擇封裝與尺寸:根據空間、電流和頻率需求。
驗證環境適應性:溫度、濕度、機械應力。
檢查認證與成本:確保符合標準且性價比合理。
七、典型應用案例
案例1:220V AC電源輸入端保護
需求:抑制雷擊浪涌(8/20μs,10kA,470V)。
選型:
V?mA = 470V(留余量)。
Ipp = 10kA(直接匹配浪涌電流)。
W? = 200J(計算值≈188J,留余量)。
封裝:14D或20D引線型(大通流容量)。
案例2:USB 3.0接口ESD保護
需求:抑制±15kV靜電放電(IEC 61000-4-2)。
選型:
V?mA = 18V(USB 5V供電,留3倍余量)。
Ipp = 500A(ESD能量低,但需快速響應)。
封裝:0402 SMD(小型化,低電容<5pF)。
八、常見誤區與注意事項
標稱電壓誤選:
過高:無法有效鉗位浪涌電壓。
過低:正常工作時誤動作,導致漏電流增大或發熱。
通流容量不足:
浪涌時壓敏電阻可能燒毀,甚至炸裂產生電弧。
忽略寄生電容:
高頻電路中可能導致信號失真,需優先選低電容型號。
未考慮降額使用:
高溫或高濕度環境下需降低工作電壓或通流容量。
單級保護不足:
需與保險絲、TVS二極管等元件協同工作,形成多級防護。
責任編輯:Pan
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