国产无码黄电影_麻豆av一区二区三区不卡_伦理在线视频免费观看视频_九九热这里只有精品33_亚洲av中文无码乱人伦在线播放_国产成人精品aa毛片久久_成人欧美一区二区三区的电影在线_78精品国产综合久久香蕉_亚洲日本成本人在线观看

0 賣盤信息
BOM詢價
您現在的位置: 首頁 > 電子資訊 >設計應用 > 要提高功率密度,除改進晶圓技術之外,還要提升封裝性能

要提高功率密度,除改進晶圓技術之外,還要提升封裝性能

來源: 電子產世界
2020-09-03
類別:設計應用
eye 42
文章創建人 拍明

原標題:要提高功率密度,除改進晶圓技術之外,還要提升封裝性能

提高功率密度是車載充電系統等電力電子設備的關鍵目標,尤其在電動汽車領域,更高的功率密度意味著更小的體積、更輕的重量和更高的效率。除了改進晶圓技術(如采用寬禁帶半導體SiC/GaN)外,提升封裝性能是另一個核心方向。以下是具體的技術路徑和優化策略:

一、封裝性能對功率密度的關鍵影響

  1. 熱管理優化

    • 封裝是散熱路徑的關鍵環節,不良的封裝設計會導致局部過熱,限制功率提升。

    • 高功率密度下,熱流密度顯著增加,需通過封裝創新降低熱阻(Rθ),提升散熱效率。

  2. 電氣性能提升

    • 封裝寄生參數(如寄生電感、電阻)會影響開關速度和損耗,需通過布局優化減少寄生效應。

    • 低電感封裝可支持更高開關頻率(如MHz級),進一步縮小無源元件體積。

  3. 機械結構集成

    • 緊湊的封裝設計可減少體積占用,同時需兼顧機械強度和可靠性(如抗振動、耐沖擊)。

二、提升封裝性能的核心技術

1. 先進散熱封裝技術

  • 雙面冷卻封裝

    • 將功率器件(如SiC MOSFET)夾在兩塊散熱基板之間,通過熱界面材料(TIM)和液冷或風冷系統實現雙向散熱,散熱效率比單面冷卻提升50%以上。

    • 應用案例:英飛凌的HybridPACK Drive模塊采用雙面冷卻,功率密度達30kW/L。

  • 嵌入式散熱結構

    • 將功率器件直接嵌入散熱基板(如銅或鋁)中,通過微通道或燒結銀技術增強熱傳導,熱阻可降低至0.1K/W以下。

    • 技術方向:3D封裝結合微針翅片或 vapor chamber(均熱板),實現局部熱點快速均溫。

  • 相變材料(PCM)集成

    • 在封裝內填充PCM(如石蠟、金屬合金),利用相變吸熱特性緩沖瞬態熱沖擊,延長器件壽命。

    • 優勢:無需外部能源,適合短時高功率場景(如加速、超充)。

QQ_1751362768959.png


2. 低寄生參數封裝設計

  • 平面互連技術

    • 用多層印刷電路板(PCB)或陶瓷基板(如DBC、AMB)替代傳統引線鍵合,減少寄生電感(可降低至1nH以下)。

    • 典型結構:采用“功率層-信號層-散熱層”疊層設計,縮短電流路徑。

  • 倒裝芯片(Flip Chip)封裝

    • 將芯片活性面朝下直接鍵合到基板,消除引線鍵合的寄生電感,同時提升散熱效率。

    • 應用場景:高頻開關模塊(如GaN器件封裝)。

  • 集成無源元件(IPD)

    • 在封裝內嵌入電容、電感等無源元件,減少外部元件數量,降低寄生參數和體積。

    • 技術挑戰:需解決材料兼容性和工藝復雜性問題。

3. 高密度集成封裝架構

  • 系統級封裝(SiP)

    • 將功率器件、驅動電路、控制芯片和傳感器集成到單一封裝中,通過3D堆疊或側邊連接實現高密度集成。

    • 優勢:縮短信號傳輸距離,降低EMI干擾,同時減少PCB面積。

  • 模塊化封裝標準

    • 采用標準化封裝尺寸(如PM6、PM10)和接口,提升多模塊并聯的擴展性和互換性。

    • 行業趨勢:OEM廠商推動“即插即用”式功率模塊,簡化系統設計。

  • 柔性封裝材料

    • 使用硅膠、聚酰亞胺等柔性材料替代傳統剛性基板,適應車載振動環境,同時提升空間利用率。

    • 創新方向:可拉伸電子封裝技術,支持曲面或異形安裝。

三、封裝與晶圓技術的協同優化

  1. 材料匹配性

    • 封裝材料(如基板、TIM)的熱膨脹系數(CTE)需與SiC/GaN晶圓匹配,避免熱循環導致的應力失效。

    • 解決方案:采用納米銀燒結、瞬態液相連接(TLP)等低溫互連技術,降低熱應力。

  2. 工藝兼容性

    • 寬禁帶半導體的高溫工藝(如燒結溫度>250℃)需封裝材料具備耐高溫特性(如陶瓷基板、高溫聚合物)。

    • 技術瓶頸:高溫下TIM的長期穩定性需進一步驗證。

  3. 仿真驅動設計

    • 通過多物理場仿真(熱-力-電耦合)優化封裝結構,提前預測熱斑、電壓尖峰等風險點。

    • 工具鏈:ANSYS Icepak(熱仿真)、SIMPLIS(電路仿真)、COMSOL(多物理場仿真)。

四、典型應用案例

  • 特斯拉Model 3逆變器

    • 采用SiC MOSFET + 雙面冷卻封裝,功率密度達14kW/L,效率提升5-8%。

    • 封裝結構:芯片直接燒結到銅基板,兩側液冷板夾持,熱阻<0.2K/W。

  • 博世eAxle集成電驅系統

    • 將電機、逆變器和減速器集成,逆變器采用SiC模塊 + 嵌入式散熱,體積縮小30%,功率密度達25kW/L。

  • 安森美Ve-Trac Direct SiC模塊

    • 通過“壓接式”封裝替代傳統綁定線,寄生電感降低40%,支持1MHz開關頻率,功率密度提升2倍。

五、未來挑戰與發展方向

  1. 超高溫封裝

    • SiC器件在高溫(>200℃)下性能更優,需開發耐高溫封裝材料(如氮化鋁、金剛石)和工藝。

  2. 光子集成封裝

    • 探索光互連替代電互連,進一步降低寄生參數,支持THz級開關頻率。

  3. 自修復封裝

    • 集成微膠囊修復材料或形狀記憶合金,實現裂紋自動修復,提升可靠性。

總結

提升封裝性能是突破功率密度瓶頸的關鍵路徑,需從散熱、電氣、機械三方面協同創新。結合寬禁帶半導體技術,未來車載充電系統將向“芯片-封裝-系統”全鏈條優化方向發展,最終實現“小體積、高效率、高可靠”的終極目標。


責任編輯:

【免責聲明】

1、本文內容、數據、圖表等來源于網絡引用或其他公開資料,版權歸屬原作者、原發表出處。若版權所有方對本文的引用持有異議,請聯系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方將及時處理。

2、本文的引用僅供讀者交流學習使用,不涉及商業目的。

3、本文內容僅代表作者觀點,拍明芯城不對內容的準確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為,是基于自主意愿和獨立判斷做出的,請讀者明確相關結果。

4、如需轉載本方擁有版權的文章,請聯系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“轉載原因”。未經允許私自轉載拍明芯城將保留追究其法律責任的權利。

拍明芯城擁有對此聲明的最終解釋權。

標簽: 晶圓

相關資訊

資訊推薦
云母電容公司_云母電容生產廠商

云母電容公司_云母電容生產廠商

開關三極管13007的規格參數、引腳圖、開關電源電路圖?三極管13007可以用什么型號替代?

開關三極管13007的規格參數、引腳圖、開關電源電路圖?三極管13007可以用什么型號替代?

74ls74中文資料匯總(74ls74引腳圖及功能_內部結構及應用電路)

74ls74中文資料匯總(74ls74引腳圖及功能_內部結構及應用電路)

芯片lm2596s開關電壓調節器的中文資料_引腳圖及功能_內部結構及原理圖_電路圖及封裝

芯片lm2596s開關電壓調節器的中文資料_引腳圖及功能_內部結構及原理圖_電路圖及封裝

芯片UA741運算放大器的資料及參數_引腳圖及功能_電路原理圖?ua741運算放大器的替代型號有哪些?

芯片UA741運算放大器的資料及參數_引腳圖及功能_電路原理圖?ua741運算放大器的替代型號有哪些?

28nm光刻機卡住“02專項”——對于督工部分觀點的批判(睡前消息353期)

28nm光刻機卡住“02專項”——對于督工部分觀點的批判(睡前消息353期)

拍明芯城微信圖標

各大手機應用商城搜索“拍明芯城”

下載客戶端,隨時隨地買賣元器件!

拍明芯城公眾號
拍明芯城抖音
拍明芯城b站
拍明芯城頭條
拍明芯城微博
拍明芯城視頻號
拍明
廣告
恒捷廣告
廣告
深亞廣告
廣告
原廠直供
廣告