原標題：雙極型晶體管的結構_工作原理及特性曲線

一、結構

1. 三區結構

• 發射區（Emitter）：高摻雜濃度，負責發射載流子（NPN型為電子，PNP型為空穴）。

• 基區（Base）：極薄且低摻雜，控制載流子從發射區到集電區的流動。

• 集電區（Collector）：面積較大，收集通過基區的載流子。

2. 兩結結構

• 發射結（BE結）：發射區與基區之間的PN結。

• 集電結（BC結）：基區與集電區之間的PN結。

3. 電極

• 發射極（E）、基極（B）、集電極（C）。

二、工作原理

1. 載流子運動

• 發射結正偏（VBE < -0.7V），發射區空穴擴散到基區。

• 空穴被集電結反偏電壓拉入集電區，形成集電極電流。

• 發射結正偏（VBE > 0.7V），發射區電子擴散到基區。

• 基區極薄，電子迅速擴散到集電結邊緣，被集電結反偏電壓（VCE > 0）拉入集電區，形成集電極電流IC。

• 基極電流IB為發射極電流的一小部分，滿足IC = βIB（β為電流放大系數）。

• NPN型：

• PNP型：

2. 電流控制

• BJT是電流控制器件，基極電流的微小變化可控制集電極電流的較大變化。

三、特性曲線

1. 輸入特性曲線

• 當VBE < 0.7V（硅管）時，IB ≈ 0（截止區）。

• VBE > 0.7V后，IB隨VBE增加而迅速上升（類似二極管正向特性）。

• VCE增大時，曲線右移（基區復合減少，需更高VBE）。

• 定義：IB與VBE的關系（VCE為參變量）。

• 特點：

2. 輸出特性曲線

• 截止區：IB = 0，IC ≈ 0（發射結反偏或零偏）。

• 放大區：發射結正偏，集電結反偏，IC = βIB，曲線平坦（IC幾乎不隨VCE變化）。

• 飽和區：VCE較小（硅管< 0.7V），集電結正偏，IC不再與IB成比例，曲線陡峭。

• 定義：IC與VCE的關系（IB為參變量）。

• 工作區：

四、關鍵參數

1. 電流放大系數（β）：IC與IB的比值，反映放大能力。

2. 擊穿電壓：集電結反向擊穿電壓（VCEO）、發射結反向擊穿電壓（VEBO）等。

3. 極限參數：集電極最大電流ICM、最大功耗PCM等。

五、應用

1. 放大器：利用放大區特性實現信號放大。

2. 開關電路：利用飽和區和截止區實現快速通斷控制。

3. 模擬電路：如電壓調節器、振蕩器等。

六、總結

• 結構特點：三區兩結，基區極薄。

• 工作原理：載流子擴散與漂移，基極電流控制集電極電流。

• 特性曲線：輸入特性反映IB-VBE關系，輸出特性區分工作區。

• 應用領域：模擬電路、數字電路、功率控制等。

通過理解結構、原理和特性曲線，可靈活設計BJT在各種電路中的應用。