MOS場效應管7n65參數規格書


原標題:MOS場效應管7n65參數規格書
MOS場效應管7N65的參數規格書通常包含以下關鍵信息:
一、基本參數
型號:7N65
漏極-源極電壓(VDS):650V。這是場效應管漏極和源極之間的最大允許電壓。
柵源電壓(VGS):±30V(或標注為30V,表示柵極相對于源極的最大正向和反向電壓)。
漏極電流(ID):7A。這是場效應管在導通狀態下,漏極允許流過的最大電流。
二、電氣特性
功耗(PD):50W(或有的資料標注為更高值,如147W,這可能與具體型號或測試條件有關,但50W是常見標注)。
靜態漏源導通電阻(RDS(ON)):典型值為1.25Ω至1.35Ω(具體值可能因測試條件或生產批次而異,但通常在1.2Ω至1.4Ω范圍內)。RDS(ON)是場效應管在導通狀態下的電阻,它決定了器件的功耗和效率。
二極管正向電壓(VSD):1.4V(或接近此值)。這是當場效應管作為二極管使用時,正向導通電壓的典型值。
柵極閾值電壓(VGS(TH)):通常低于30V,但具體值可能因型號而異。VGS(TH)是使場效應管開始導通的柵極電壓。
脈沖正向電流(ISM):28A。這是場效應管在脈沖條件下允許流過的最大電流。
反向恢復時間(trr):293nS(或接近此值)。這是當場效應管從導通狀態切換到截止狀態時,反向電流衰減到某一水平所需的時間。
三、物理特性
封裝:TO-220或TO-220AB(具體封裝形式可能因生產廠家而異)。
尺寸:通常包括總長度、本體長度、寬度和高度等參數。例如,總長度可能為28.57mm至28.8mm,本體長度為15.87mm,寬度為10.16mm至10.66mm,高度為4.7mm等(具體尺寸可能因封裝形式或生產廠家而異)。
四、其他特性
低固有電容:這有助于降低場效應管的開關損耗和提高開關速度。
出色的開關特性:7N65具有快速的開關速度和穩定的開關性能。
擴展安全操作區域:這意味著場效應管可以在更寬的電壓和電流范圍內安全工作。
門電荷(Qg):典型值為29nC(或其他接近此值的數值)。門電荷是控制場效應管開關所需的總電荷量。
五、注意事項
在使用7N65時,應確保工作電壓和電流不超過其最大允許值,以避免器件損壞。
在設計電路時,應充分考慮7N65的開關速度和穩定性要求,以確保電路的正常工作。
7N65的參數可能因生產廠家、測試條件或生產批次而異,因此在實際應用中應參考具體型號的規格書。
綜上所述,MOS場效應管7N65具有優異的電氣特性和物理特性,適用于各種電子設備和電路中。在選擇和使用時,應充分考慮其參數規格和應用場景等因素,以確保系統的穩定性和可靠性。
責任編輯:David
【免責聲明】
1、本文內容、數據、圖表等來源于網絡引用或其他公開資料,版權歸屬原作者、原發表出處。若版權所有方對本文的引用持有異議,請聯系拍明芯城(marketing@iczoom.com),本方將及時處理。
2、本文的引用僅供讀者交流學習使用,不涉及商業目的。
3、本文內容僅代表作者觀點,拍明芯城不對內容的準確性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保證。讀者閱讀本文后做出的決定或行為,是基于自主意愿和獨立判斷做出的,請讀者明確相關結果。
4、如需轉載本方擁有版權的文章,請聯系拍明芯城(marketing@iczoom.com)注明“轉載原因”。未經允許私自轉載拍明芯城將保留追究其法律責任的權利。
拍明芯城擁有對此聲明的最終解釋權。