原標題：應對“更高”存儲器件的ALD填充技術

應對“更高”存儲器件的ALD（原子層沉積）填充技術，主要是針對3D NAND、DRAM等存儲器件在高深寬比復雜架構下的填隙難題而發展起來的。以下是對這一技術的詳細解析：

一、技術背景與需求

隨著存儲器件向更高密度、更小尺寸發展，3D NAND堆棧越來越高，存儲單元之間的間隙變得越來越小，這對填充技術提出了更高的要求。傳統的填充方法，如化學氣相沉積、擴散/熔爐和旋涂工藝等，已無法滿足3D NAND的生產需求，因為它們往往會導致構建和設計的實際結構變形。因此，需要開發新的填充技術來應對這一挑戰。

二、ALD填充技術的優勢

ALD技術是一種特殊的真空薄膜沉積方法，具有較高的技術壁壘。它通過氣體分子之間的化學反應在襯底上逐層構建分子薄膜，從而實現分子甚至原子級別的沉積控制。在應對高深寬比復雜架構的存儲器件時，ALD填充技術具有以下優勢：

1. 無針孔薄膜：在ALD過程中，每個沉積周期只沉積一層原子或分子，確保了薄膜的均勻性和密封性。這種無針孔薄膜具有良好的密封性和隔離性，可以有效防止外部雜質進入存儲單元。

2. 100%階梯覆蓋：對于具有階梯結構的表面，如凹槽、孔隙和高縱深比結構，ALD的分子層級控制能夠在每個層面進行覆蓋。這使得ALD能夠逐步填充凹槽或孔隙，使薄膜沉積更加均勻。

3. 低溫沉積：許多ALD過程可以在相對較低的溫度下進行，適用于對溫度敏感的基板和材料，減少了熱應力和材料相容性的問題。

4. 多種材料沉積：ALD可以沉積多種材料，如金屬氧化物、氮化物、碳化物等，為存儲器件的制造提供了更多的選擇。

三、先進的ALD填充技術案例

以泛林集團的Striker ICEFill為例，該技術采用泛林獨有的表面改性技術，可以實現高選擇性自下而上的無縫填充，并同時能保持原子層沉積（ALD）固有的成膜質量。Striker ICEFill技術具有以下特點：

1. 自下而上填充：采用自下而上的填充方式，可以實現非常高質量的內部成膜且不會收縮。

2. 高選擇性：通過表面改性技術，可以實現對特定區域的精確填充，避免了對非填充區域的污染。

3. 良好的成膜質量：標準ALD技術能大幅提升沉積后的成膜質量，解決了收縮的問題。

四、市場前景與應用

隨著存儲器件技術的不斷發展，對填充技術的要求也越來越高。ALD填充技術憑借其獨特的優勢，在3D NAND、DRAM等存儲器件的制造中發揮著越來越重要的作用。未來，隨著存儲器件向更高密度、更小尺寸發展，ALD填充技術將具有更廣闊的市場前景和應用空間。

綜上所述，應對“更高”存儲器件的ALD填充技術是一種具有獨特優勢和高技術壁壘的薄膜沉積方法。它通過逐層構建分子薄膜的方式，實現了對高深寬比復雜架構存儲器件的精確填充。未來，隨著技術的不斷進步和應用領域的拓展，ALD填充技術將在存儲器件制造中發揮更加重要的作用。